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氮化硅基光子集成技術及關鍵器件
項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件
中山大學
2021-04-10
低密度阻燃室溫硫化硅橡膠絕緣材料
室溫硫化硅橡膠可以在室溫硫化，施工簡單，且具有優異的電絕緣?耐臭氧老化、耐候、耐高低溫等性能，在電力行業的絕緣領域得到廣泛應用。但采用白炭黑和碳酸鈣等常用填料補強的室溫硫化硅橡膠密度較高（≥1.20 g/cm3），且阻燃性能較差，而臨近居民區、樹木植被和交叉跨越河流、池塘、高架橋等的高壓架空裸導線及其部件絕緣包覆用硅橡膠需要具有較低的密度和良好的 阻燃性能。該技術采用α、ω-二羥基聚二甲基硅氧烷為基礎聚合物，加入經特殊工藝表面處理的輕質補強填料、高效環保型阻燃 劑及其協效劑等助劑，研究開發出低密度阻燃室溫硫化硅橡膠絕緣材料。產品固化后具有外觀良好、絕緣性能優良、耐 UV 性能高、力學性能好、耐熱良好及防水氣透過等優勢，拉伸強度≥3.0MPa、 阻燃性能達到UL94V-0 級、介電強度≥18kV/mm、密度≤0.95 g/ ??m3。
華南理工大學
2023-05-08
阻燃隔熱二氧化硅納米管
成果創新點 該材料具有一系列優點： 1.具有較低的導熱系數，阻燃；材料性質穩定，耐酸 堿、耐腐蝕，不老化；使用過程中不向環境揮發有害物質； 2.與墻體主要物質成分一樣，其物理化學性質與墻體 接近，不會在使用過程中發生開裂、空鼓等現象； 3.合成方案在傳統制備白炭黑的基礎上就可完成，無 設備改造成本，且關鍵原料成本低廉易獲取； 4.可作為關鍵原料直接加入水泥中，構建保溫施工工
中國科學技術大學
2021-04-14
阻燃隔熱二氧化硅納米管
該材料具有一系列優點： 1.具有較低的導熱系數，阻燃；材料性質穩定，耐酸堿、耐腐蝕，不老化；使用過程中不向環境揮發有害物質；
2.與墻體主要物質成分一樣，其物理化學性質與墻 接近，不會在使用過程中發生開裂、空鼓等現象；
3.合成方案在傳統制備白炭黑的基礎上就可完成，無設備改造成本，且關鍵原料成本低廉易獲取；
4.可作為關鍵原料直接加入水泥中，構建保溫施工工藝簡單，施工成本不高；同時，不會影響施工人員的健康。
中國科學技術大學
2023-05-17
二氧化硅晶體結構模型
寧波浪力儀器有限公司（余姚市朗海科教儀器廠）
2021-08-23
二氧化硅晶體結構模型
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
大顆粒狀速溶食品（菊花晶和金銀花晶）的開發及產業化
菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態存在，外觀形狀較差，且溶解時所需的時間較長。本項目開發的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。 溶解時間：熱水中 3 s 以內全部溶解，不使用食品添加劑。 效益分析： 菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時引起的上火等問題。因此， 開發具有良好外觀形態和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強的市場競爭力。
江南大學
2021-04-11
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低成本納米微晶陶瓷制備技術
本項目開發了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術。它采用天然礦物和工業廢渣來取代高溫燒結法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優點。開發的原位受控晶化技術不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數量和結晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學
2021-04-10
全自動激光晶圓劃片機系統
電路是以晶圓為載體，采用一定的工藝，把電路中的元器件和布線制作在晶圓片上，封裝為 一個整體，使晶圓上每個晶粒成為具有所需電路功能的微型結構。晶圓切割的過程是將集成有 電路的整片晶圓通過劃切分割成單個的晶粒，切割過程又是一種無法恢復的過程，因此，材料 和制造成本的積累以及工藝的不可重復性決定了切割工藝成為整個集成電路制造過程中最關鍵 和難度最大的工藝環節。 精密機械：可加工的晶圓最小直徑可達50mm，在晶圓里面印刷有晶格，每個晶格的寬度 為200μm，晶格間距約為20μm，所以設備的切割精度要求控制在2μm以內，每小時切割15片。 運動平臺采用高精度的直線電機平臺，定位精度為2μm，重復定位精度為1μm；旋轉平臺的定 位精度為30″，重復定位精度為4″。 計算機自動控制：劃片機系統將根據客戶要求以及配合視覺檢測系統傳輸的晶圓數據，自 動生成切割路徑，在規定的工作時間內完成晶圓的切割。
華東理工大學
2021-04-11