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φ200mm×300mm，管內稀薄氣體放電。

底座尺寸400*300*70mm,模具一體成型，兩端呈弧形，上翹47度，兩面四角注塑有1.5mm腳墊，長度25*25mm，儀器整體高度300mm，電源出入AC220V，50HZ，輸出DC8V,2A，電源總開關型號KCD1-105 耐壓400V，內裝一直泡沫球，直徑20mm，管道直徑32mm，探究小球為什么會空氣從上管口被吸入，由此形成環流。

上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室吳更教授與武漢大學王連榮、陳實教授團隊合作，揭示了細菌DNA硫化修飾中催化第一步反應的半胱氨酸脫硫酶發生構象變化，使其活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動5.5埃以發起攻擊的催化機制。最新研究成果以“Structural Analysis of an L-Cysteine Desulfurase from an Ssp DNA Phosphorothioation System”為題發表在《mBio》雜志上。劉立瓊等為第一作者，吳更、王連榮為通訊作者，上海交通大學生命科學技術學院、微生物代謝國家重點實驗室為第一單位。本文是團隊自2018年Nature Communications上發表的細菌采用SBD結構域識別硫化修飾DNA的結構機理及2020年Nature Microbiology上發表的II型DNA硫化修飾系統的SspB、SspE晶體結構的延續和擴展。在細菌的DNA硫化修飾（不管是早先發現的Dnd修飾系統還是新近發現的Ssp修飾系統）途徑中，都由一個半胱氨酸脫硫酶催化第一步的反應，即半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸對底物半胱氨酸上的硫原子發起親核攻擊反應，將活化的硫原子轉移到半胱氨酸脫硫酶的活性位點半胱氨酸上，以進行后續的將硫原子加進DNA的反應。2020年4月初團隊在Nature Microbiology上發表的文章“SspABCD-SspE is a phosphorothioation-sensing bacterial defense system with broad antiphage activities”，從探索海洋弧菌的高頻單鏈磷硫酰化修飾入手，通過比較基因組學和分子遺傳學手段，鑒定出以SspABCD為修飾元、SspE為限制元的單鏈磷硫酰化限制-修飾系統。該系統與之前發現的磷硫酰化（以DndABCDE為修飾元以產生雙鏈DNA磷硫酰化、DndFGH為限制元）的Dnd系統均迥然不同，并首次闡明了細菌磷硫酰化限制-修飾系統賦予宿主抑制噬菌體入侵的能力。同時，通過結構生物學和生物化學手段，解析了SspB蛋白的晶體結構，揭示其兩個保守motif的關鍵殘基對其DNA缺刻酶活性非常重要；解析了SspE蛋白的晶體結構，發現其N端結構域有依賴于DNA磷硫酰化修飾的NTP水解酶活性，而其C端結構域有DNA缺刻酶活性，從而闡明了該系統DNA磷硫酰化修飾與限制兩部分功能耦合的分子機理。研究還發現SspABCD作為修飾蛋白在宿主基因組DNA上產生磷硫酰化修飾，SspE作為限制元能夠感應基因組DNA上的磷硫酰化修飾從而區別宿主自身與外源的遺傳物質，并利用其核酸酶活性對入侵噬菌體的DNA進行大范圍的缺刻，從而抑制噬菌體DNA的復制。本研究解析了新發現的II型DNA硫化修飾系統中的半胱氨酸脫硫酶SspA（來源于弧菌）與底物半胱氨酸的復合物晶體結構，分辨率為1.8埃。結構揭示SspA通過其天冬酰胺N150和精氨酸R340殘基來識別底物半胱氨酸，如果將這兩個殘基突變則會嚴重破壞細菌的DNA硫化修飾。在結構中，SspA的活性位點半胱氨酸C314與底物半胱氨酸的距離長達8.9埃，這就產生了一個有趣的問題——SspA是怎么催化脫硫反應的？通過計算機分子動力學模擬，作者發現SspA的活性位點半胱氨酸C314在催化過程中向底物半胱氨酸移動了5.5埃，從而把它們之間的距離縮短到便于發生反應的范圍內。本研究通過簡正模式分析，發現弧菌的SspA、大腸桿菌的IscS、鏈霉菌的DndA（這兩個都是I型DNA硫化修飾系統的）的活性位點半胱氨酸雖然處在不同的相對位置和不同的二級結構上，但都有著向各自的底物半胱氨酸的運動。本研究進一步通過在上海光源BL19U2生物小角X射線散射（簡稱SAXS）線站收集的數據，從頭搭建了SspA在溶液中結構的分子模型。發現SspA在溶液中的結構與分子動力學模擬后SspA的結構更為接近，它們之間的SAXS數據的χ2偏差只有1.04埃，遠低于從SspA的晶體結構推算出的SAXS數據之間的χ2偏差3.70埃。這從實驗上證實了前述的計算機分子動力學模擬和簡正模式分析的結果。弧菌SspA的活性位點半胱氨酸在催化過程中，活性位點半胱氨酸朝向底物半胱氨酸移動了5.5埃的距離（A）分子動力學模擬  （B）簡正模式分析  （C）小角X射線散射實驗數據與晶體結構經過分子動力學模擬后的結果和晶體結構的比較  本研究通過X射線晶體結構解析、分子動力學模擬、小角X射線散射等多種研究手段的結合，揭示了細菌DNA硫化修飾這一神奇現象中催化關鍵的第一步半胱氨酸底物脫硫反應的酶的催化機理，解答了半胱氨酸脫硫酶家族是如何克服活性位點半胱氨酸與底物半胱氨酸之間很長的距離這一長期懸而未決的問題，使人們對于細菌DNA硫化修飾的認識和理解又前進了一步。該研究獲國家自然科學基金（31872627、31670106）的支持。????

產品詳細介紹 硫化氫氣體檢測管 比長式氣體檢測管原理及使用方法原理CO、CO2、H2S、O2、SO2、NH3等檢測管的基本測定原理為線性比色法，即被測氣體通過檢定管與指示膠發生有色反應，形成變色層（變色柱），變色層的長度與被測氣體的濃度成正比。2、主要技術參數（見附表）3、附件（每盒）①膠管一段；Φ3×5，長度20cm②小砂輪一片4、貯運條件本品應避光保存于陰涼干燥處，嚴禁日光照射，保存溫度不超過40℃，玻璃制品，小心輕放。5、使用方法各種檢定管均可與氣體檢定管用圓筒型正壓式采樣器等配套使用。于測定現場用空氣沖洗采樣器后，取一定體積的現場空氣，把檢定管兩端切開，用短膠管將檢定管的下端（濃度標尺有“0”的一端）連接在采樣器（檢定器）的出氣口上，按規定時間勻速通過檢定管，然后按檢定管變色柱（或變色環）上端指示的數字，直接讀取被測氣體的百分濃度。  各種氣體檢測管主要技術參數表

（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

本團隊采用新型結構導向技術來實現亞微米和納米二氧化硅中空微球的溶膠凝膠法和沉淀法高濃度制備，能夠滿足大規模工業生產的需要，并能對其納米殼層結構進行精準調控，為相關功能材料的性能設計提供合成技術基礎。現有二氧化硅中空微球制備技術的投資成本高、設備生產率低、控制難度大，無法在工業規模上對其特有的納米結構進行精準調控，嚴重限制了中空微球在高端產業中的應用。本團隊基于全新的中空結構導向技術，在間歇反應釜中通過溶膠凝膠法和沉淀法實現中空微球的高密度、大批量生產，具有設備生產率高、微球結構規整、壁厚可控、容易復合改性等優點，突破了中空微球規模化生產的技術瓶頸。通過改變導向劑分子結構和生產工藝微調，可在 50-400 納米范圍內對中空微球的壁厚進行精準調控，使其對不同波長的光信號產生各種響應，并能通過控制中空和多孔結構調節比表面積、導熱系數、阻尼特征、機械強度等性能，滿足不同功能材料領域的要求。該技術還可以實現脂溶性物質或納米顆粒與二氧化硅的復合，制備出具有功能多樣性的復合中空微球， 如將氧化錫銻（ATO）與二氧化硅中空微球復合，可制備兼具紫外光、可見光、近紅外反射和隔熱功能的復合中空微球保溫填料。 

本技術可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學催化、超導、光電轉換等。 本技術可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質量優于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現性好是本技術的優勢。

  本項目的提出建立在申請人對國內外相關研究現狀和趨勢的分析及已有的工作基礎上,項目的目標產品為具有自修復功能，主要應用于海洋工程高性能防腐涂層的復合聚合物蠟微粉。避免全新的分子結構的設計,將多見于樹脂材料的自修復性能遷移到海洋工程等領域用的高性能防腐涂層上,再加上應用極為簡單，可直接添加到涂料體系中去，在兼容市場現有涂料產品配方和涂裝工藝基礎上實現涂層表面自修復功能。