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本發明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經反射鏡、分光鏡和成像透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經圖像處理后根據圖像的灰度值求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統，避免了光源光強變化的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統紅外測厚裝置中存在的干涉影響

本項目共包括8項授權專利，另有20余項專利正處于公開階段。 項目主要創新點為：（1）提出了一種Bi+Lu共摻雜新配方，實現了在傳統GGG襯底上外延出具有大法拉第效應的BiLuIG石榴石單晶薄膜材料。 （2）提出了“緩沖法”技術，克服了無鉛液相外延工藝中熔體粘度偏高，薄膜均勻性差的難題，成功制備出3英寸的高質量單晶BiLuIG薄膜材料，厚度可達20微米以上，其法拉第效應是含鉛工藝制備材料的10倍。項目總體達到國際先進水平，其中在Bi+Lu共摻雜材料設計和無鉛液相

本發明公開了一種聲學薄膜制備方法及其產品，其制備方法包 括以下步驟：首先將空心不銹鋼管插入液態紫外膠并靜置，再沿豎直 向上方向取出不銹鋼管，在液態紫外膠自身張力的作用下，液態紫外 膠在空心不銹鋼管的末端形成一層均勻的紫外膠薄膜；采用紫外光固 化該薄膜，使完全固化；制備得的聲學薄膜厚度為 2.1um～8.1um，直 徑為 0.11mm～2.61mm，在 0.025Hz～25000Hz 的聲波頻率響應范圍具 有很高的靈敏

公司的核心產品包括系列全球首創半導體薄膜斷層吸收光譜儀，并已經成功應用于高校、研究所、相關企業半導體薄膜斷層檢測中，并已實際發表多篇論文，平均影響因子達到10以上，獲得一致好評。 一、項目進展 創意計劃階段 二、負責人及成員 姓名 學院/所學專業 入學/畢業時間 侯曉清 管理學院/工商管理 2019/2023 師鳴遙 生命學院/化學生物 2019/2023 李想 生命學院/化學生物 2020/2024 徐婧謹 電信學部/儲能科學與工程 2019/2023 董梓竣 管理學院/工商管理 2019/2023 楊舒婷 化學學院/材料化學 2019/2023 吳一品 管理學院/大數據管理與應用 2020/2024 趙靜怡 人文學院/環境設計 2020/2024 劉彥麟 軟件學院/軟件工程 2020/2024 袁子翔 管理學院/工商管理 2019/2023 三、指導教師 姓名 學院/所學專業 職務/職稱 研究方向 魯廣昊 前沿科學技術研究院 教授 有機半導體薄膜和器件 卜臘菊 化學學院 教授 薄膜斷層分析技術及科研儀器的開發 魏澤龍 管理學院 教授 技術創新與創業管理 四、項目簡介 本項目依托于西安交通大學前沿科學與技術學院以及中國西部創新港的科研平臺，擁有半導體薄膜斷層檢測技術頂級研發團隊，并已有國內外超過100所高校、科研院所、企業等正在采用本產品檢測的數據或正在實際試用本產品，本團隊可以更好了解產品需求及效果，能夠實現量產、快速研發與后續更新迭代。 公司的核心產品包括系列全球首創半導體薄膜斷層吸收光譜儀，并已經成功應用于高校、研究所、相關企業半導體薄膜斷層檢測中，并已實際發表多篇論文，平均影響因子達到10以上，獲得一致好評。作為國內外首家使用軟等離子體源刻蝕技術，實現了半導體薄膜斷層的精準檢測，占據了全球領先地位，將“卡脖子”技術轉換成“殺手锏”，為基于光譜分析的半導體薄膜斷層精準檢測提供了中國方案，提高了我國半導體薄膜檢測的科技實力水平。

本發明公開了一種金納米棒光學薄膜，屬于光學薄膜材料技術領域。一種金納米棒光學薄膜，光化 學薄膜中金納米棒呈周期排列。其優點是:本發明對不同偏振的入射波具有不同的等效折射率，故可以 制造其它器件如偏振器件、雙折射器件等，在光學薄膜領域，其容易實現折射率匹配，從而達到鍍膜層 數較少的情況下具有較高透過率。

產品詳細介紹薄膜拉力機用途：于塑料薄膜、膠粘劑、膠粘帶、不干膠、醫用貼劑、離型紙、保護膜、組合蓋、背板材料、無紡布、橡膠、紙張纖維等產品的拉伸、剝離、變形、撕裂、熱封、粘合、穿刺力等性能測試。薄膜拉力機標準：GB 13022、GB 8808、GB 1040、GB 4850、ASTM E4、ASTM D828、ASTM D882、ASTM D1938、ASTM F904、ISO 37薄膜拉力機特征：蘭光研究制造的高端產品，采用國際知名品牌零部件，進口高精傳感器，儀器穩定性高；微電腦控制，液晶顯示，操作簡便。薄膜拉力機具備抗拉強度、最大拉斷力、斷裂伸長率、撕裂強度、熱封強度、剝離強度、定伸應力、彈性模量多項獨立試驗功能；專項試驗結果一目了然，無需繁瑣設置、計算；最大量程500N，完全滿足行業需求同時具備超高0.5級精度；超長行程1000mm滿足大變形率材料的測試要求；最大量程500N，完全滿足行業需求同時具備超高0.5級精度。薄膜拉力機技術指標：規       格：500N   50N （可選其一）精       度：0.5級 試驗速度：50  100  150  200  250  300  500mm/min 試驗寬度：30 mm（標配夾具）                   50mm （可選夾具）行       程：1000mm了解詳情請致電：濟南蘭光0531-85068566 Labthink蘭光產品： 1. 透氧儀 2. 氣體滲透儀 3. 透氣性測試儀 4. 透濕儀 5. 透濕性測試儀 6. 密封試驗儀 7. 落鏢沖擊試驗儀 8. 密封儀 9. 泄漏與密封強度測試儀 10. 氧氣透過率測試儀 11. 熱封儀 12. 氧氣透過率測定儀 13. 水蒸氣透過率測試儀 14. 薄膜拉力機 15. 摩擦系數儀 16. 初粘性測試儀 17. 智能電子拉力試驗機 18. 撕裂度儀 19. 熱縮試驗儀 20. 電子剝離試驗機 21. 揉搓試驗儀 22. 瓶蓋扭矩儀 23. 頂空分析儀 24. 磨擦試驗機 25. 熱封試驗儀 26. 擺錘沖擊試驗儀 27. 墨層結合牢度試驗機 28. 持粘性測試儀 29. 薄膜測厚儀 30. 霧化試驗儀 31. 摩擦系數測試儀 32. 紙箱抗壓試驗機 33. 氣相色譜儀 34. 摩擦系數測定儀 35. 測厚儀 36. 膠粘劑拉伸剪切試驗機 37. 透氣度測試儀

項目簡介： 本技術是利用智能水凝膠的刺激響應性，結合 Fabry-Perot 薄膜 干涉現象提出的新型光學傳感方法。本技術使用的水凝膠薄膜厚度僅 數微米，因此具有響應速度快速的特點?？蓹z測的項目包括溫度、pHIntensity Wavelength 值、葡萄糖等?？膳c光纖傳感技術相結合，實現遠程傳感。

該成果探討了煤的結構參數與煤光催化氧化反應性、光-生物耦合降解的關系及控制方法，并基于煤特殊的物理化學結構，以及光敏化和光氧化降解特性，采用聚合物共混原理成功開發了一項多功能降解薄膜母料制備及功能材料制備技術。首次將煤作為光降解控制試劑應用于新型光降解薄膜制備，該成果對用光催化氧化、光-生物耦合方法進行煤溫和定向轉化有著重要科學和實際意義。獲陜西省科學技術進步二等獎1項，中國煤炭工業協會科學技術進步二等獎1項，獲國家發明專利3項。 在渭北及新疆等地進行了薄膜農業田間試用，本項目薄膜對農作物如玉米、棉花等生長有良好的促進作用，降解性能滿足實際要求，降解后對土壤無不良影響，并具有保氮和降草等功能，降解薄膜土壤背景分析通過了農業部食品質量監督檢驗測試中心（石河子）質量檢測。

本發明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結構LED芯 片以及一層透光保護膜。本器件LED芯片為倒裝結構，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實現免金線鍵合的電氣互聯，一層透光保護膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實現表面貼裝技術。本發明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產效率高，成本低等諸多優點，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應用于照明、顯示等領域。截至目前，已累計創造產值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術為核心的科技成果“半導體發光器件跨尺度光功能結構設計與制造關鍵技術”獲得廣東省人民政府頒發的廣東省科技進步一等獎，并且本專利獲得中國專利優秀獎。

基于過去發展的基于第一性原理電子結構計算的有限溫度下鐵電-順電相變模擬手段，指出Fisher等人提出的有限尺寸標度理論存在缺陷，并針對鐵電-順電相比提出修正方法。此理論缺陷存在的本質原因是理論推導過程中對體材到薄膜演變過程中哈密頓量變化的忽視，是由當時實驗技術與針對具體材料物性理論模擬手段的局限造成的。新發展出來的修正方法可廣泛適用于類似鐵電材料的物性模擬。 研究中，以SnTe作為一個例子，來研究標度律不成立的體系；以BaTiO3為一個例子，來描述標度律成立的體系。通過對比兩類材料在從體材到薄膜變化過程中電子結構與相變溫度變化的規律，作者發現相變序參量的變化可以作為一個描述子，來區分此兩類系統。在標度律成立的體系，體材與薄膜的相變序參量并不發生變化，這個也是70年代Fisher等人提出標度律的一個基本假設。而對SnTe這類材料，在從體材到薄膜的演化過程中，相變序參量已經發生了變化。這一機制也為尋找、預測和設計低維高Tc鐵電材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加應變等外部調制手段，新機制預測的低維鐵電材料具備本征高Tc，更易于脫離實驗室條件走向工業生產。課題組期待這一工作能激發更多高Tc鐵電材料的發現。圖1. 材料的相變序列(a) 滿足標度律的傳統鐵電材料；(b) 不滿足標度律的二維鐵電材料；(c) 不滿足標度律的一維鐵電材料。當且僅當材料的低維相變序列發生改變時，標度律不成立，該材料有可能發現高Tc，即(b)(c)，有待于進一步的實驗發現。