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低成本為中品位硅鈣質(zhì)膠磷礦選礦工藝
20世紀(jì)八十年代，采用正反浮選技術(shù)富集中低品位硅鈣質(zhì)磷塊巖技術(shù)，在降低磷礦中MgO含量方面取得突破性進展。而這一當(dāng)時鑒定為“國際先進”得技術(shù)因直接經(jīng)濟效益不顯著未能生產(chǎn)。故全面大幅度降低選礦成本是使正浮選技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的關(guān)鍵。本項目針對這一問題，提出了一套完整的選礦工藝。
武漢工程大學(xué)
2021-04-11
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硅質(zhì)機制砂高吸附性石粉改性劑
隨著建筑行業(yè)的蓬勃發(fā)展，混凝土的使用量越來越大，砂石骨料作為混凝土的基本組分，正在被快速消耗。由于我國地域廣闊，各地的巖石成分都不盡相同，生產(chǎn)出的機制砂成分差異較大，現(xiàn)在用得比較多的是石灰?guī)r質(zhì)機制砂（鈣質(zhì)機制砂）。該類石粉不僅具有一定的減水作用，提高混凝土的和易性，還可以為水泥水化過程提供晶核，提高混凝土的早期強度，其優(yōu)良的微集料效應(yīng)還可以增強混凝土的耐久性。華中、華東、西北大部分地區(qū)，存在大量的硅質(zhì)機制砂，這種硅質(zhì)石粉對減水劑的吸附量遠(yuǎn)大于鈣質(zhì)石粉，導(dǎo)致混凝土在拌合過程中大量減水劑被吸附，混凝土初始坍落度低，坍落度損失大。為了解決這一問題，目前應(yīng)用最廣泛的方法是提高外加劑的摻量，這大大增加了混凝土成本。因此研發(fā)專門的硅質(zhì)機制砂石粉改性劑尤為必要。在油浴的環(huán)境中，把一定比例的原料放入三口燒瓶中，經(jīng)過減壓蒸餾過程制備成一種黃色的小分子聚合物，然后水洗，用堿液中和pH到7．0左右，配制成硅質(zhì)機制砂改性劑。改性劑的濃度為5%，推薦摻量為膠凝材料總和加石粉質(zhì)量的1%～1.5%。在不增加聚羧酸減水劑摻量的情況下，硅質(zhì)機制砂改性劑可以有效地增大硅質(zhì)機制砂混凝土的初始坍落度，降低混凝土的30min、60min坍落度損失，另外其對強度的影響較小。硅質(zhì)機制砂改性劑由于分子結(jié)構(gòu)存在帶正電結(jié)構(gòu)，依靠靜電作用可以有效吸附在顆粒表面，依靠分散作用和吸附絡(luò)合作用使得混凝土具有良好的和易性。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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硅諧振微傳感器頻率特性測試儀
該儀器主要用于測量諧振微傳感器（也適用于所有諧振式傳感器）的動力學(xué)特性：諧振頻率，微振幅，品質(zhì)因數(shù)、幅頻特性、相頻特性等；它也是實現(xiàn)閉環(huán)自激系統(tǒng)以及研制和開發(fā)各種諧振式微傳感器，如微加速度計和微陀螺等不可缺少的測試設(shè)備；本儀器的若干新技術(shù)也可直接應(yīng)用于其他需要進行微弱信號檢測和處理的場合。適用于從事自動化、測控技術(shù)、傳感器、儀器儀表等科研院所、企業(yè)和高等院校的科研和教學(xué)方面的應(yīng)用。測試儀的創(chuàng)新點為：綜合應(yīng)用了多項新技術(shù)，研制過程中發(fā)展了弱信號相關(guān)檢測技術(shù)，超低頻、低噪聲恒流源技術(shù)。
北京航空航天大學(xué)
2021-04-13
超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料
技術(shù)特點超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動態(tài)法生產(chǎn)。是我國首次自主開發(fā)的適合我國國情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項指標(biāo)均達到或超過日本JISA9510-1984 標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無機硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時具有較高的強度。其耐熱溫度為 1000℃，在常見的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品
北京科技大學(xué)
2021-04-13
超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料
1．技術(shù)特點 超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動態(tài)法生產(chǎn)。是我國首次自主開發(fā)的適合我國國情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項指標(biāo)均達到或超過日本JISA9510-1984標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無機硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時具有較高的強度。其耐熱溫度為1000℃，在常見的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品。 本材料本項目所開發(fā)的170硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料本產(chǎn)品樣品檢測結(jié)果如下： 容重： 170kg/m3 導(dǎo)熱系數(shù)： 0.045W/m×K(70℃) 抗折強度： 0.29MPa 最高使用溫度： 1000℃ (1000℃×3小時燒后線收縮1.04％) 2．技術(shù)成熟程度 已實現(xiàn)批量工業(yè)生產(chǎn)，并成功地進行了應(yīng)用試驗。 3．應(yīng)用范圍 適用于建材、冶金、石油、化工、電力、輕工等行業(yè)熱工設(shè)備的絕熱保溫，屬環(huán)境友好型材料。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號實現(xiàn)分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單緊 湊，對光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨出波長 的同時，還能對入射光束的偏振態(tài)進行測量，適用范圍更廣。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進一步發(fā)展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學(xué)
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號實現(xiàn)分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單緊 湊，對光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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多晶硅太陽能光伏電池成套設(shè)備
該項目針對多晶硅太陽能光伏電池成套設(shè)備中太陽能光伏電池絲網(wǎng)印刷、自動光學(xué)檢測系統(tǒng)、燒結(jié)系統(tǒng)、自動分揀系統(tǒng)等高端設(shè)備進行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，形成了晶硅太陽能光伏電池生產(chǎn)線和成套設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力，打破了國外相關(guān)高端設(shè)備的壟斷局面，為我省相關(guān)產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展提供技術(shù)支撐。該成套設(shè)備具有完全自主知識產(chǎn)權(quán),聯(lián)合體已擁有發(fā)明專利8件,實用新型專利21件。 該項目的特色與創(chuàng)新之處主要體現(xiàn)在如下幾個方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術(shù)；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術(shù)；3）均勻熱場形成技術(shù)
華南理工大學(xué)
2021-04-14
一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)的制備方法
本發(fā)明公開了一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)的制備方法，步驟為①將鍵合硅器件晶圓鍵合于硅晶圓基板上；②減薄硅器件晶圓，再刻蝕硅器件晶圓，形成盲孔；③在硅器件晶圓上涂敷一層圖案化介電材料(如聚對二甲苯)；④刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁；在基板上形成介電質(zhì)孔，使介電質(zhì)孔和盲孔同軸；⑤在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，作為導(dǎo)電層，形成導(dǎo)電孔；⑥在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層；⑦移除基板，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點。本發(fā)明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；降低了寄生電容，提升了互連電性
華中科技大學(xué)
2021-04-14