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硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對稱的懸臂梁構(gòu)成兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測，首先對待測信號的頻率進(jìn)行檢測。頻率檢測通過測量兩路在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，其實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測，首先對待測信號的頻率進(jìn)行檢測。頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測通過將兩路相位差為９
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測信號，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測。最后根據(jù)兩個(gè)直接加熱式微波
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測信號，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測。最后根據(jù)兩個(gè)間接加熱式微波
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種劍麻玻璃纖維復(fù)合增強(qiáng)有機(jī)硅改性的酚醛模塑料及其制備方法
本發(fā)明公開了一種劍麻玻璃纖維復(fù)合增強(qiáng)有機(jī)硅改性的酚醛模塑料，該酚醛模塑料的組成為：35-70％的有機(jī)硅改性熱塑性酚醛樹脂，5-45％的玻纖和劍麻混合纖維，5-45％的填充料，0.5-3％的脫模劑，0.25-1.5％的著色劑，2-10％的固化劑。本發(fā)明還提供了該劍麻玻璃纖維復(fù)合增強(qiáng)有機(jī)硅改性的酚醛模塑料制備方法，由上述組份經(jīng)混煉，粉碎或造粒等工序制備而成。采用該方法制備的酚醛模塑料儲存時(shí)間長，不易受潮，耐候性能優(yōu)良，相對密度小，生產(chǎn)成本低，固化后的材料韌性和耐熱性能優(yōu)異。利用該有機(jī)硅改性酚醛模塑料制成的塑料件具有儲存時(shí)間長，韌性好，相對密度小和耐熱性能優(yōu)異的特點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-11
基于硅基微機(jī)械懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式毫米波信號檢測器
本發(fā)明的基于硅基微機(jī)械懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式毫米波信號檢測器，由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)、直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過第一直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測；頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合
東南大學(xué)
2021-04-14
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硅基質(zhì)表面油水浸潤性光控可逆轉(zhuǎn)換的 SiO2/TiO2復(fù)合涂層
本成果來自國家科技計(jì)劃項(xiàng)目，獲國家發(fā)明專利授權(quán)。該發(fā)明獲得的光控油水浸潤性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層在功能納米界面材料研究領(lǐng)域具有重要意義。這項(xiàng)研究成果在基因傳輸、無損失液體輸送、微流體、生物芯片、藥物緩釋、石油化工、建筑材料等領(lǐng)域具有極為廣闊的應(yīng)用前景。
西南交通大學(xué)
2016-06-24
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計(jì)
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二極管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測量儀器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測量儀器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11