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一種深
硅
刻蝕方法
本發明公開了一種深硅刻蝕方法,包括如下步驟:(1)在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜;(2)對硅片進行深感應耦合等離子體干法刻蝕,包括多個刻蝕階段,每個刻蝕階段均在感應耦合等離子體機內,通過鈍化、轟擊和刻蝕三個步驟交替循環加工完成,隨著刻蝕深度的增加,各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強度逐漸增強。本發明有效解決了現有技術中側壁垂直度及粗糙度難以控制以及大刻蝕深度難以實現的問題,在提高刻蝕效率的同時,提高了對光刻膠的選擇比,刻蝕槽側壁垂直度高,粗糙度小,刻蝕深度大。
華中科技大學
2021-04-14
低硼
硅
藥用玻璃管
主要生產藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產品。現擁有14條國際先進的拉管生產線,70余臺國際先進的制瓶機,年產各類安瓿/管制瓶32億支,藥用玻管(精品7.0)30000噸。
山東力諾特種玻璃股份有限公司
2021-08-27
硅
通孔結構及其制造方法
本發明公開了一種硅通孔結構的制造方法,包括以下步驟:將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米;去除硅片表面的所有絕緣層;在硅片的導電區表面和絕緣區表面制作摻雜掩膜,以對導電區和絕緣區分別進行粒子摻雜,絕緣區與導電區摻雜的粒子的極性相反;在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜;在導電區表面覆蓋金屬電極;在硅片的表面除金屬電極之外的區域覆蓋絕緣層。本發明的方法制造工藝簡單,可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞,并能夠提高制造硅通孔結構的成品率。本發明還公開了一種硅通孔結構。
華中科技大學
2021-04-11
液
基
TCT病理全自動制片機24通道
1、微電腦控制,中文界面,彩色液晶顯示,觸摸屏操作,簡捷、直觀、方便。2、全程電腦自動控制,無需人工干預。自動梯度離心濃縮標本,自動抽取標本瓶廢液,自動轉移標本,自動制片,自動滴染色(含鹽酸酒精分化)。3、每份標本獨立離心濃縮,獨立抽取廢液,獨立轉移并沉降制片,獨立滴染色、獨立傾倒廢液,標本與耗材(離心管、一次性移液針筒、沉降倉等)一一對應,不交叉使用,不重復使用,保證單獨制片染色,無標本間交叉污染4、一次性移液針筒抽取染色液、鹽酸酒精,因此,無堵塞管道風險,無染色液浪費。5、有效細胞單層、均勻地平鋪到載玻片圓形區域上,制成細胞成分豐富、背景清晰、顏色鮮艷、形態完整、平鋪均勻的細胞學涂片。6、上皮細胞、化生細胞、頸管細胞及微生物等清晰,既可直接查癌及癌前病變,也可查炎癥,HPV感染、滴蟲、霉菌等微生物。7、配有凈化排氣裝置,環保密封罩活性炭過濾,吸附有害氣體,保證儀器內外空氣潔凈,保護操作者健康。8、單次制片染色1-24任意數值只標本。9、婦科、非婦科兩種工作模式;巴氏、HE兩種染色方式。
孝感奧華醫療科技有限公司
2025-01-21
TiC顆粒增強鋼
基
及鐵
基
復合材料
TiC顆粒增強鋼基及鐵基復合材料適用于在苛刻條件和環境(如:強負荷下的強磨損,高溫下的磨料磨損,強腐蝕氣氛中的沖蝕等)工作的設備零部件。這種新材料以合金鋼為基體,以TiC為增強體,具有常規的金屬材料難以比擬的一系列特征:1.耐磨損:在各種試驗條件下,它的耐磨損性能遠優于與其成分相似但不含TiC的合金鋼;2.工藝性能好:尤其是它的熱加工(包括鍛、軋和熱擠壓等)性能,優于一般的高合金鋼;3.性能的可調性:可以根據使用要求,調整成分,形成不同性能(強度、硬度、塑性及耐磨損性能)配合的材料; 4. 熱膨脹系數小:尺寸穩定性好;5.強度高:特別是它的高溫強度和抗蠕變性能高于與其成分相似,但不含TiC的合金鋼;6.成本低:新材料采用原位合成法應工藝制備。這種工藝方法先進,流程合理,易于實現工業化生產。
東南大學
2021-04-10
多晶
硅
鑄錠爐的隔熱塊及包括該隔熱塊的多晶
硅
鑄錠爐
本發明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊,設置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周,用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫,該隔熱塊為中空方形筒體結構,筒體筒壁為中空夾層結構,其中內壁用于包覆設置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面,且該內壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙,所述外壁用于與設置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸,所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合,且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發明還公開了具有
華中科技大學
2021-04-14
液晶
屏微米級金球缺陷檢測設備
1、主要功能和應用領域: 本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業對導電金球在COG綁定后的在線質量全檢需求,即對導電金球的深淺、個數和偏位進行準確高效的自動檢測,以滿足液晶行業日益上升的金球質檢標準和產能要求。金球內核為聚合物材料,外殼為金或鎳,直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁,有的被壓開口,并充當LCD和驅動芯片之間的導電通道,如金球壓合不好會造成導電不良,使得液晶屏發生批量缺線等故障。 2、特色及先進性: 1)金球深淺判斷。導電金球的壓合輕重程度沒有量化指標,主要依靠人眼目視的感受,需要從圖像上提取物理特征參數,以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化,對應無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2)偏位測量情況多樣。當BUMP比金手指尺寸大的時候,完全對準的情況下看不到金手指,和剛好錯開一個金手指的情況一樣。需保證調機良好情況下的3微米精度,對于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3)檢查標準設置繁多。設計并實現了一個智能分組的工具,在采集了所有視場的圖像后,將建標的時候識別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組,尺寸相近的在一組,則通過點擊智能分組工具,然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起,簡化操作。 4)屏幕放置精度和尺寸精度高。系統的檢測流程需要根據被測屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定,若屏幕在自動對邊后相同特征不同片子產生的位置差異遠大于線寬線距,則需要添加自動尋找定位點,然后將其作為位置起點再進行自動檢測。 8、 技術指標:金球直徑:3微米;分辨率:0.7微米;放大倍數:10;圖片大小:4000*100000,4億像素;采集時間:2秒 ;計算時間:0.8秒 ;ITO引腳:200~500個;單個引腳金球個數:10~50個;整機檢測效率:一代機5 s,二代機3.5 s 4、關鍵問題和實施效果 目前傳統液晶屏和觸摸屏生產線上,對于ACF熱壓后的金球壓合質量均采用人工抽檢的方式,借助顯微鏡進行人工檢測,8-10片抽檢一片。該設備可以實現產品的全檢,一臺設備相當于8-10個人,對于提高產能提升產品質量具有非常重大的意義。該設備采用線陣相機配合精密運動平臺實現0.7微米分辨率的圖像采集,其光學采集部分如下圖所示。
電子科技大學
2021-04-10
液晶
屏微米級金球缺陷檢測設備
本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業對導電金球在COG綁定后的在線質量全檢需求,即對導電金球的深淺、個數和偏位進行準確高效的自動檢測,以滿足液晶行業日益上升的金球質檢標準和產能要求。金球內核為聚合物材料,外殼為金或鎳,直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁,有的被壓開口,并充當LCD和驅動芯片之間的導電通道,如金球壓合不好會造成導電不良,使得液晶屏發生批量缺線等故障。
電子科技大學
2021-04-10
液晶
屏微米級金球缺陷檢測設備
成果簡介: 1、主要功能和應用領域: 本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業對導電金球在COG綁定后的在線質量全檢需求,即對導電金球的深淺、個數和偏位進行準確高效的自動檢測,以滿足液晶行業日益上升的金球質檢標準和產能要求。金球內核為聚合物材料,外殼為金或鎳,直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁,有的被壓開口,并充當LCD和驅動芯片之間的導電通道,如金球壓合不好會造成導電不良,使得液晶屏發生批量缺線等故障。 2、特色及先進性: 1)金球深淺判斷。導電金球的壓合輕重程度沒有量化指標,主要依靠人眼目視的感受,需要從圖像上提取物理特征參數,以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化,對應無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2)偏位測量情況多樣。當BUMP比金手指尺寸大的時候,完全對準的情況下看不到金手指,和剛好錯開一個金手指的情況一樣。需保證調機良好情況下的3微米精度,對于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3)檢查標準設置繁多。設計并實現了一個智能分組的工具,在采集了所有視場的圖像后,將建標的時候識別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組,尺寸相近的在一組,則通過點擊智能分組工具,然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起,簡化操作。 4)屏幕放置精度和尺寸精度高。系統的檢測流程需要根據被測屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定,若屏幕在自動對邊后相同特征不同片子產生的位置差異遠大于線寬線距,則需要添加自動尋找定位點,然后將其作為位置起點再進行自動檢測。 3、技術指標: 金球直徑:3微米;分辨率:0.7微米;放大倍數:10;圖片大小:4000*100000,4億像素;采集時間:2秒 ;計算時間:0.8秒 ;ITO引腳:200~500個;單個引腳金球個數:10~50個;整機檢測效率:一代機5 s,二代機3.5 s 4、關鍵問題和實施效果: 目前傳統液晶屏和觸摸屏生產線上,對于ACF熱壓后的金球壓合質量均采用人工抽檢的方式,借助顯微鏡進行人工檢測,8-10片抽檢一片。該設備可以實現產品的全檢,一臺設備相當于8-10個人,對于提高產能提升產品質量具有非常重大的意義。該設備采用線陣相機配合精密運動平臺實現0.7微米分辨率的圖像采集,其光學采集部分如下圖所示。
電子科技大學
2017-10-23
基于波前調節的電控
液晶
激光整形芯片
本發明公開了一種基于波前調節的電控液晶激光整形芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調相架構;其包括液晶材料層,依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、圖形化電極層、第一基片和第一增透膜,以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜;公共電極層由一層勻質導電膜構成;圖形化電極層由圓形導電膜和同心設置在圓形導電膜外圍的至少一個圓環形導電膜構成,圓形導電膜的圓心與液晶調相架構的
華中科技大學
2021-04-14
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