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已有樣品/n5G針對(duì)熱點(diǎn)場景優(yōu)化，通過密集部署的小型基站來卸載用戶流量，滿足用戶高 速接入的需求，提升用戶體驗(yàn)。面向熱點(diǎn)高容量的基帶芯片為小型基站提供高靈活 性、集成一體化的芯片級(jí)解決方案，大大降低5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)成本，是小型基站的核 心器件。研制小型基站基帶芯片對(duì)我國在5G時(shí)代實(shí)現(xiàn)引領(lǐng)、提升企業(yè)核心競爭力、 搶占市場應(yīng)用先機(jī)具有重要的戰(zhàn)略意義。面向室內(nèi)外局部熱點(diǎn)區(qū)域的高容量場景， 突破軟件可定義空口架構(gòu)、高并行度基帶處理等關(guān)鍵技術(shù)，研制能夠提供高數(shù)據(jù)傳 輸速率的基帶芯片，開發(fā)相關(guān)模塊并與企業(yè)合作進(jìn)行

本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了一種高速實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)控制電路/芯片，包括CPU讀寫控制模塊、FIFO(First In First Out)模塊、FIFO讀取控制模塊、初始化模塊、輔助控制模塊、插補(bǔ)控制模塊和輸出控制模塊；CPU讀寫控制模塊的數(shù)據(jù)輸入端接收外部控制數(shù)據(jù)，它的數(shù)據(jù)輸出端連接FIFO模塊的輸入端；FIFO模塊的輸出端連接FIFO讀取控制模塊，F(xiàn)IFO讀取控制模塊的輸出端連接初始化模塊輸入端，初始化模塊輸出端分別連接輔助控制模塊和插補(bǔ)控制模塊的輸入端；輔助控制模塊和插補(bǔ)控制模塊的輸出端分別連接輸出控制模塊的輸入端，輸出控制模塊的輸出端即為本電路/芯片的輸出端；FIFO模塊內(nèi)還包括監(jiān)測FIFO空/滿狀態(tài)的檢測模塊。

本發(fā)明所述毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，包括芯片本體，包括位于芯片本體上的進(jìn)樣毛細(xì)管和檢測毛細(xì)管，所述進(jìn)樣毛細(xì)管中部和檢測毛細(xì)管一端呈T形垂直連接。采用本發(fā)明所述的毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，采取蝕刻芯片代替普通毛細(xì)管，使得電泳路徑明顯縮短并更加規(guī)則；采取T字形毛細(xì)管，使得前導(dǎo)、尾隨緩沖液和樣品分別進(jìn)樣更加方便，且能有效縮短電泳路徑減少流體沿程阻力損失，更大限度的保證衡量污染物監(jiān)測的精確度。

微電子芯片結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸（CD）的測試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實(shí)現(xiàn)能否滿足設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵測試/分析技術(shù)。該技術(shù)（OCD）的產(chǎn)業(yè)化在國內(nèi)還是空白，目前我們的系統(tǒng)研究可PK國際先進(jìn)水平，并已具備產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力。 

本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對(duì)其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）電子與信息工程學(xué)院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對(duì)光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導(dǎo)模場的精細(xì)調(diào)控，在實(shí)現(xiàn)多模波導(dǎo)低損耗和低串?dāng)_的同時(shí)，將關(guān)鍵器件的尺寸縮小了1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復(fù)用信號(hào)的任意緊湊布線，使多模光學(xué)系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進(jìn)一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計(jì)算、量子信息等眾多高新領(lǐng)域中加速發(fā)展和應(yīng)用。

本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫

本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機(jī)構(gòu)， 安裝于 Z 向升降機(jī)構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍(lán)膜上芯片的外緣實(shí)現(xiàn)預(yù)頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)， 連接多頂針主體機(jī)構(gòu)，用于先后驅(qū)動(dòng)外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動(dòng)作；Z 向升降機(jī)構(gòu)，安裝于三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)上，停 機(jī)狀態(tài)時(shí)其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準(zhǔn)備；三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，用于對(duì)多頂針主體機(jī)構(gòu)進(jìn)行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。 

本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對(duì)硅晶圓進(jìn)行局部減薄，對(duì)減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝，相對(duì)于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來進(jìn)行減薄，所以不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械研磨對(duì)硅晶圓造成的輕微震動(dòng)而使厚度不能減得過小，通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。

量子隱形傳態(tài)是建立遠(yuǎn)距離量子網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵技術(shù)之一。相比二維系統(tǒng)，高維量子網(wǎng)絡(luò)具有更高的信道容量、更高的安全性等優(yōu)點(diǎn)，受到人們的廣泛關(guān)注。如何實(shí)現(xiàn)高效的高維量子隱形傳態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)高效的高維量子網(wǎng)絡(luò)是當(dāng)前量子信息領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。 為了實(shí)現(xiàn)高維量子通信，李傳鋒、柳必恒等人從2016年開始采用光子的路徑自由度編碼，解決了路徑比特的相干性問題[PRL 117, 220402 (2016)]，制備出了高保真度的三維糾纏態(tài)[PRL 117, 170403(2016)]；解決路徑維度擴(kuò)展問題，實(shí)現(xiàn)了32維量子糾纏態(tài)[PRL 125, 080503 (2020)]；解決路徑自由度的傳輸問題，實(shí)現(xiàn)了高維量子糾纏態(tài)在11公里光纖中的有效傳輸[Optica 7, 738 (2020)]等。研究組從2017年起開始了高維量子隱形傳態(tài)的實(shí)驗(yàn)研究。然而理論研究表明，在線性光學(xué)體系中，必須采用輔助粒子才能實(shí)現(xiàn)高維量子隱形傳態(tài)。 為了實(shí)現(xiàn)高維量子隱形傳態(tài)，研究組首先巧妙的提出了糾纏輔助的方式，利用log2d-1個(gè)輔助糾纏光子對(duì)就可以高效的實(shí)現(xiàn)d維的量子隱形傳態(tài)，從而解決了資源消耗問題。然后實(shí)驗(yàn)上利用主動(dòng)反饋技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑間的相位鎖定，干涉可見度在45小時(shí)內(nèi)保持在0.98的水平，從而利用六光子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了三維的量子隱形傳態(tài)。研究組對(duì)三維量子隱形傳態(tài)過程做了過程層析，保真度達(dá)到0.596，以7個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差超過了經(jīng)典極限值1/3，證實(shí)了三維量子隱形傳態(tài)過程的量子特性。高效的高維量子隱形傳態(tài)的實(shí)現(xiàn)為構(gòu)建高效的高維量子網(wǎng)絡(luò)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。