垂直結(jié)構(gòu)大功率白光 LED
成果簡介對于大電流注入下的高功率 LED 而言, 光衰是 LED 普遍存在的問題。 主要原因有載流子在多量子阱(MQW) 上的溢出(overflow); LED 芯片的晶體內(nèi)部的缺陷導(dǎo)致的非輻射復(fù)合; 在大注入條件下, 載流子分布的不均勻; 以及 LED 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理性等原因; 這些因素在 LED 材料生長過程中(采用 MOCVD 技術(shù)) 就已經(jīng)決定。 而大功率 LED 在實(shí)際應(yīng)用過程中另外一個瓶頸就是芯片的熱輸運(yùn)處理問題。 在大注入條件下, 過高的 pn 結(jié)結(jié)溫, 導(dǎo)致
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14