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產(chǎn)品詳細介紹

產(chǎn)品詳細介紹教學用調(diào)溫電阻爐是為便于學生完成常規(guī)熱處理實習、實驗而專門設計的一種小型熱處理電阻爐。該設備對比原來用于教學實習的設備，具有體積小、重量輕、功率小、升溫快，無需特別安裝，移動方便，投資小，教學面大，實習操作性強等優(yōu)點。是熱處理教學實習、實驗的理想教具。其特征是臥式直通敞開式雙爐口型，在一個爐架上配備有相互獨立的兩組電爐和兩組可調(diào)溫控裝置，可獨立控制。爐溫調(diào)節(jié)范圍為0～880℃。可放置于普通實驗桌上，供4～8名學生同時進行實習。一個自然班學生，一般采用5～10臺即可滿足。本系列教學用調(diào)溫電阻爐以新型鐵-鉻-鋁高溫合金絲為發(fā)熱元件，爐膛最高溫度有880℃、1100℃兩種，測溫元件采用K分度熱電偶，控溫方式有自動恒溫型和程序控溫型兩種。該設備改變了以往學生進行熱處理實習時，只能看，不能進行全過程動手操作的狀況。學生可完成如榔頭、鋸條、彈簧等小零件的退火、正火、回火和淬火的全過程。在操作過程中，學生通過敞開式的爐口，還可以隨時觀察到不同溫度時，材料顏色的變化以及機械性能的改變。使看不見摸不著的熱處理工藝過程變得直觀、生動、清晰、簡便。1、最高溫度：880℃；2、電源及功率AC220V/2.5KW；3、爐膛尺寸：∮40×300mm；4、測溫：K分度號熱電偶+數(shù)顯控溫儀；5、控溫：自動恒溫，控溫精度：±8℃；

磁性斯格明子是由拓撲保護的納米渦旋磁結(jié)構(gòu)，其微觀的形成機制與非共線性作用（Dzyaloshinskii—Moriya Interaction）有關。該結(jié)構(gòu)在物理上可以被看成一種受拓撲保護的磁準粒子，擁有很長的壽命，可被電流、熱、光等條件所驅(qū)動。值得一提的是，其存在和消失的這兩種狀態(tài)可以被定義為磁存儲中的“1”和“0”狀態(tài)，使它成為一種頗具潛力的存儲信息載體，在未來的自旋電子學和存儲領域具有巨大的應用潛力。

硅溶膠在涂料方面的應用非常廣泛，其獨特的物理和化學性質(zhì)為涂料帶來了多種優(yōu)異的性能。 一、硅溶膠在涂料中的基本作用 提高涂料的穩(wěn)定性： 硅溶膠具有良好的懸浮性和分散性，能夠有效地防止涂料中的顏料和填料沉淀。當硅溶膠添加到涂料中時，其膠體粒子能夠在顏料和填料表面形成一層保護膜，防止粒子間的聚結(jié)，從而提高涂料的儲存穩(wěn)定性。 增強涂層的附著力： 硅溶膠中的硅羥基能夠與涂料中的有機基團發(fā)生化學反應，形成化學鍵合，增強涂層與基材之間的結(jié)合力。這種化學鍵合不僅提高了涂層的附著力，還使得涂層更加致密，有效防止了水分、氧氣等外界物質(zhì)的侵入，延長了涂層的使用壽命。 改善涂層的耐候性： 硅溶膠具有優(yōu)異的耐候性能，能夠抵抗紫外線、風雨、鹽霧等自然環(huán)境的侵蝕。當硅溶膠添加到涂料中時，能夠形成一層耐候性極佳的保護膜，保護涂層不受外界環(huán)境的破壞，保持涂層的色澤和光澤度。 二、硅溶膠對涂料性能的提升 提高涂層的硬度和耐磨性： 硅溶膠中的硅氧鍵具有較高的鍵能，使得硅溶膠具有優(yōu)異的硬度和耐磨性。在涂料中加入硅溶膠，能夠顯著提高涂層的硬度和耐磨性，使得涂層更加堅硬、耐磨，適用于各種高磨損場合。 調(diào)節(jié)涂料的流變性能： 硅溶膠的粘度可以通過調(diào)整其濃度和pH值來進行調(diào)控。在涂料中加入適量的硅溶膠，可以有效地調(diào)節(jié)涂料的流變性能，使涂料在施工過程中更加易于涂抹和流平，提高施工效率。 改善涂料的抗污染性： 硅溶膠具有較低的表面張力，不易被污染物吸附，因此具有優(yōu)異的抗污染性能。將硅溶膠添加到涂料中，可以使涂料表面更加光滑、不易沾污，從而提高涂料的抗污染性，保持其長期的美觀性。 提高涂料的防火性能： 硅溶膠具有一定的阻燃性能，能夠在高溫下形成一層保護層，阻止火勢的蔓延。將硅溶膠添加到涂料中，可以提高涂料的防火性能，增強建筑物的安全性能。 三、硅溶膠在涂料中的具體應用 水性涂料： 在水性涂料中，硅溶膠作為重要的添加劑，可以提高涂料的穩(wěn)定性、附著力、流平性、耐候性、硬度和耐磨性，同時減少有機溶劑的使用量，降低涂料對環(huán)境的污染。 建筑涂料： 將硅溶膠添加到建筑涂料中，可以提高涂料的附著力、耐擦洗性、耐候性、硬度和耐磨性，同時改善涂料的自清潔、防水防滲、防磨損、腐蝕、保色性等性能。 特殊涂料體系： 硅溶膠可以與水性高分子化合物和聚合物乳液混合，用于制備有機-無機復合涂料。這種復合涂料在密封底漆、彈性涂料、防水涂料、低PVC涂料等多種涂料體系中都有應用，可以改善涂層的性能并掩蓋涂層本身的缺陷。 四、硅溶膠在涂料應用中的優(yōu)勢 環(huán)保性： 硅溶膠作為一種無機材料，不含有毒有害物質(zhì)，對環(huán)境友好。在涂料中使用硅溶膠，能夠減少有機溶劑的使用量，降低涂料對環(huán)境的污染，符合綠色環(huán)保的發(fā)展趨勢。 多功能性： 硅溶膠能夠同時提升涂料的多種性能，如附著力、耐候性、硬度和耐磨性、抗污染性、防火性能等，是一種多功能的涂料添加劑。 廣泛的應用前景： 隨著涂料工業(yè)的不斷發(fā)展，硅溶膠作為一種高性能的涂料添加劑，將在更多領域得到應用和推廣，如建筑、汽車、航空、船舶等領域。

本發(fā)明公開了一種粗糙粘結(jié)界面粗糙度的臨界值計算方法，包含步驟如下：(1)將一種材料的粘結(jié)界面處理平整光滑，然后制作兩種材料粘結(jié)在一起的軸向受拉試件；(2)測定平整光滑界面狀態(tài)下兩種材料粘結(jié)界面的軸向抗拉強度σj；(3)測量兩種粘結(jié)材料的軸向抗拉強度σ1和σ2，選擇兩種材料中軸向抗拉強度最小者作為臨界值σmin；(4)確定粗糙粘結(jié)界面局部凸凹部分的平均間距d；(5)建立粗糙界面的粘結(jié)強度σj,c與σj、粗糙界面局部凸凹高差平均值h及粗糙界面局部凸凹部分的間距平均值d的關系；(6)令σmin＝σj,c，求得界面局部凸凹部分的高度臨界值hmin；(7)如果實測值h大于hmin，則不會發(fā)生粗糙粘結(jié)界面剝離破壞，如果實測值h小于hmin，則會發(fā)生粗糙粘結(jié)界面剝離破壞。

本發(fā)明公開了一種同質(zhì)包套熱等靜壓成形方法，該方法采用熱 等靜壓(HIP)/激光選區(qū)熔化(SLM)3D 打印復合工藝。本發(fā)明提出采用 SLM 成形出同質(zhì)包套來解決傳統(tǒng)方法成形復雜形狀異質(zhì)包套生產(chǎn)周期 長、制造成本高、包套除去過程繁瑣、連接界面發(fā)生擴散反應污染制 件等問題。同時將同質(zhì)包套內(nèi)側(cè)表面(在熱等靜壓中與粉末相接處的面) 設計成梯度多孔漸變結(jié)構(gòu)，使得熱等靜壓后連接界面處組織呈現(xiàn)出梯 度變化結(jié)構(gòu)，從而克服了因 SLM

本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創(chuàng)新 二、成果簡介 基于新材料、新架構(gòu)的硅基高密度集成信息功能器件的自主發(fā)展是國家重大戰(zhàn)略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規(guī)模可控制備、物性調(diào)控及其電子、光電器件展開系統(tǒng)研究，主要技術創(chuàng)新點有： 一、二維半導體材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的大規(guī)模可控制備。本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構(gòu)建出大規(guī)模的二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)，得到了具有高可靠性和穩(wěn)定性的集成器件。相關成果發(fā)表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權(quán)專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現(xiàn)了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質(zhì)量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發(fā)展高質(zhì)量硫族半導體的外延生長新工藝，系統(tǒng)研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質(zhì)，極大地拓展了傳統(tǒng)的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質(zhì)結(jié)光電器件；發(fā)展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調(diào)節(jié)晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現(xiàn)了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現(xiàn)了從深紫外區(qū)到中遠紅外區(qū)的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發(fā)表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權(quán)專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的物性調(diào)控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現(xiàn)了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現(xiàn)了室溫負微分電阻特性；通過構(gòu)筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創(chuàng)新性的提出多層二維范德華非對稱異質(zhì)結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發(fā)展了新型存算一體架構(gòu)電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發(fā)展的新途徑。相關成果發(fā)表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權(quán)專利7項。