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北京市人力資源和社會保障局 北京市教育委員會 關于印發《北京市深化高等學校教師職稱制度改革實施辦法》的通知
為貫徹落實黨中央、國務院及市委、市政府關于深化職稱制度改革的精神，結合本市實際，現將《北京市深化高等學校教師職稱制度改革實施辦法》印發你們，請認真遵照執行。
北京市人力資源和社會保障局
2023-02-01
在硅基質表面制備油水浸潤性光控可逆SiO2/TiO2復合涂層的方法
本發明公開了一種在硅基質表面制備油水浸潤性光控可逆SiO2/TiO2復合涂層的方法，將硫酸洗液清洗過的硅基質樣品浸入到SiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，使玻璃表面覆蓋均勻的SiO2涂層，220℃煅燒涂層，得到的覆蓋SiO2涂層的樣品浸入到TiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，并在500℃煅燒涂層。最后經氟硅烷溶液浸泡進行涂層表面改性得到光控油水浸潤性可逆轉換的SiO2/TiO2復合涂層。本發明和以往制備親疏水親疏油可逆轉換材料的方法相比，方法簡便，耗時少，不需要特殊儀器。涂層呈現納米TiO2微球包裹微米SiO2微球的類荷葉表面結構，在工程領域中具有良好的應用前景。
西南交通大學
2016-10-20
喜迎二十大 | 管培俊：高質量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發展實現新的歷史性跨越。
人民政協報
2022-10-12
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11
一種石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法
本發明公開了一種石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法。它包括以下步驟：（1）將1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）將1重量份碳納米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳納米管分散液；（3）將氧化石墨烯-碳納米管分散液進行冷凍干燥或超臨界干燥，得到氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠；（4）將氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠采用化學還原法還原或高溫熱還原法還原，得到石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠。本發明的工藝簡單，過程綠色環保，所得到的全碳超輕氣凝膠具有低密度、高導電率、高比表面積、彈性溫度范圍廣等優點。
浙江大學
2021-04-11
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法
本發明屬于材料制備領域，具體為一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法。首先，用鹽酸對天然沸石進行處理，并水浴加熱，攪拌、過濾、洗滌、干燥，熱處理后制備出性能穩定的天然沸石，然后，結合浸漬工藝將天然沸石浸漬在氯化銅溶液中，以四甲基乙二胺為絡合劑，CTAB為軟模板，葡萄糖為還原劑，采用水熱法制備天然沸石負載Cu納米線，最后，采用熱處理法制備天然沸石負載CuO納米管復合光催化材料。該工藝過程簡單，成本低，便于實現，制備的天然沸石負載CuO納米管復合材料比表面積大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大學
2021-04-11
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種基于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法
本發明屬于納米復合材料制備及應用領域，具體公開了一種基 于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法。該方法首先通過 獲取分散體系中碳納米管分散狀態的掃描電鏡圖片，然后采用圖像處 理軟件(ImageJ)將所得掃描電鏡圖片進行二值化處理，再提取出圖片中 單根碳納米管或者碳納米管團聚體的邊界輪廓，最后利用盒子算法計 算處理后圖片的分形維數，所得的分形維數值即是對碳納米管分散狀 態中豐富信息的定量化描述，從而實現分散體系中
華中科技大學
2021-04-14