一種絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法
提供一種絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及其制備方法,該IGBT包括N型基區、P型基區(28)、背P+陽極區(21)、N+陰極區(26)、柵氧化層(24)、陽極(20)、柵電極(25)和陰極(27),所述的N型基區由依次層疊的N+擴散殘留層(29)、N-基區(23)和N+緩沖層(22)組成,所述的N+擴散殘留層(29)和N+緩沖層(22)從與N-基區(23)的邊界起始向外摻雜濃度逐漸增加。IGBT在N-基區(23)正面設置N+擴散殘留層(29),提高了N型正面的離子摻雜濃度,降低了結型場效應晶體管(JEFT)電阻的影響,從而有效降低IGBT的導通壓降,同時對IGBT的正向阻斷電壓(耐壓)的影響降低到最小。
浙江大學
2021-04-13