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無機銫鉛碘（CsPbI3）鈣鈦礦材料由于不含揮發(fā)性有機組分，是有應(yīng)用前景的光伏材料。通過使用表面配體限制晶體生長，將其制備成納米尺度的量子點是得到穩(wěn)定CsPbI3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的有效途徑之一。

本綜述首先從材料、制備方法、表征方法等方面對多孔流場進行了全面介紹；之后，對多孔流場中的氣液兩相流動以及多孔流場對燃料電池在正常工況和冷啟動工況下的性能進行了深入討論。

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個數(shù)量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時序，可以對納米線生長動態(tài)過程進行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現(xiàn)對超長納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼?；诖思夹g(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規(guī)?；瘧?yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。

基于上述挑戰(zhàn)，安徽大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院畢紅教授課題組首次采用金屬鎳摻雜碳點（Ni-CDs）作為尿素電氧化的催化劑。

東南大學(xué)生物科學(xué)與醫(yī)學(xué)工程學(xué)院磁共振造影劑弛豫率分析儀采購招標(biāo)項目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在東南大學(xué)采購中心網(wǎng)（https://dnzb.seu.edu.cn/）獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月05日14點30分（北京時間）前遞交投標(biāo)文件。

近日，我校電子信息工程學(xué)院和信息材料與智能感知安徽省實驗室科研團隊在各自研究領(lǐng)域取得多項科研成果。

成果簡介：氨式法 HCN 固定床反應(yīng)器是當(dāng)前應(yīng)用較多的由天然氣生成 HCN 的生成裝置，利用金屬鉑作催化劑，在 1600℃高溫下反應(yīng)合成 HCN。該反應(yīng)器 對反應(yīng)溫度、氣體純度、氣體配比和流速等都有很高的要求。國際上先進的 氨式法反應(yīng)器的收率一般都在 78~82％，而國內(nèi)該種反應(yīng)器在 2000年之前的 收率基本都只有 45％左右，操作穩(wěn)定性差，存在一定的安全隱患。低收率造&nbs