网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

本發(fā)明公開一種銅基粉末冶金剎車片材料及其制備方法和應用，該銅基粉末冶金剎車片材料由如下重量百分比的原料制得：銅粉54wt％～67wt％，石墨13wt％，鐵粉4wt％～17wt％，鐵鉻合金8wt％～14wt％，碳化硅1wt％～4wt％，二氧化硅1wt％～4wt％；其制備方法包括如下步驟：1)按配比稱取原料，放入混料機中混配均勻；2)將混配好的原料裝入模具中，在真空氣氛或在氮氣保護下采用熱壓燒結(jié)或放電等離子燒結(jié)得到綜合性能優(yōu)異的剎車片材料。制得的剎車片材料致密度和硬度高，摩擦系數(shù)穩(wěn)定，耐磨損，綜合性能優(yōu)異，可以滿足高鐵列車制動摩擦片需求。該銅基粉末冶金剎車片材料可用于制備剎車片，制備方法為：采用Q235作基材，將制備銅基粉末冶金剎車片材料的原料與基材經(jīng)熱壓燒結(jié)工藝進行復合燒結(jié)，得到剎車片。

本發(fā)明公開了一種四分之一雙波片相位延遲器，可在紫外、可 見及近紅外的波段范圍內(nèi)實現(xiàn)消色差，其特征在于，該雙波片相位延 遲器由兩個同種材料或者不同材料的四分之一零級波片構(gòu)成，該兩零 級波片沿光軸平行布置，且兩光軸夾角為 45°，其中，所述兩個四分 之一零級波片的中心波長在波段范圍內(nèi)，且滿足使得兩零級波片組成 的雙波片在該波段范圍內(nèi)各波長點對應的相位延遲量δe(λ)與理想相 位延遲量值π/2 之間差值的最大值取得最小值。與現(xiàn)有的雙波片相比， 該相位延遲器將兩個零級波片光軸按 45°組合，而不是 90°，得到的 雙波片相位延遲器在全波段內(nèi)有更好的消色差等特性，能夠滿足光譜 橢偏測量等寬光譜光學系統(tǒng)的使用要求。 

本發(fā)明涉及果汁機304奧氏體不銹鋼旋片刀片等離子氮碳共滲工藝，使304奧氏體不銹鋼旋片刀片進行等離子氮碳共滲處理后，在不銹鋼旋片刀片表面生成厚度大于15微米的硬化層，該硬化層為氮和碳在奧氏體中的過飽和固溶體(S相)，具有高硬度和高耐蝕的性能，各項技術(shù)指標均超過食品機械標準要求。

針對高速重載大能容摩擦片制動過程的多場耦合特性，開發(fā)了摩擦層三參數(shù)摩滑載荷和邊界條件模擬與仿真軟件、摩擦機理及摩擦系數(shù)預測平臺，提高了摩擦層三參數(shù)摩滑載荷和邊界條件測試的精度，增強了摩擦元件工作過程的可靠性。研制了適用于多種工況的摩擦磨損測試設備，首創(chuàng)了摩擦特性的變速測試及壓力邊界動態(tài)測試方法，具有國際領(lǐng)先水平。 與某兵工院所合作單位開發(fā)的摩擦元件測試及邊界條件精確獲取方法己成功應用于某履帶車輛的生產(chǎn)研制過程中，填補了國內(nèi)外邊界條件動態(tài)測試實踐應用的空白。 該成果主要針對履帶及重在車輛的軍用和民用巿場。未來幾年，國內(nèi)重型機械和武器裝備的需求將呈現(xiàn)持續(xù)明顯上升趨勢，該成果有助于推動重型機械中摩擦離合器和制動器的發(fā)展，具有廣闊的發(fā)展空間和應用前景。 采用嵌入測量技術(shù)突破了壓力及溫度邊界動態(tài)測試的瓶頸，測量精度相對原始六分力測量方法提高了25%。目前己獲得包括實驗技術(shù)、模型理論專用設備等方面的國家發(fā)明專利4項、軟件著作權(quán)2項，發(fā)表國內(nèi)外高水平論文10余篇。

本實用新型提供一種提高微型光譜儀紫外響應和分辨率的濾光片，包括基板、鍍膜層和鍍膜保護層， 所述鍍膜層分為三個區(qū)域，在不同區(qū)域分別鍍有紫外轉(zhuǎn)換膜，紫外截止濾光膜，可見光截止濾光膜。本 實用新型同時解決了紫外效率低、可見光、紅外光波段存在高次衍射光的問題，并且可以根據(jù)光譜儀的 光譜范圍選擇鍍膜的層數(shù)、類型、區(qū)間長度，具有安裝拆卸方便，結(jié)構(gòu)簡單，使用靈活的特點，且鍍膜 之間不會相互產(chǎn)生干涉。 

主要技術(shù)內(nèi)容： （1）提出了基于神經(jīng)網(wǎng)絡的多電平 SVPWM 控制技術(shù)，研發(fā)了基于 FPGA 技術(shù) 的多電平 SVPWM 控制器，實現(xiàn)了塑料片材擠出裝備驅(qū)動電源的高效性。采用神經(jīng) 網(wǎng)絡技術(shù)，實現(xiàn)參考電壓矢量所在區(qū)域判斷及矢量作用時間計算，降低了計算量； 將多電平 SVPWM 控制器集成到一片 FPGA 芯片上，為擠出裝備用交流電機驅(qū)動控 制提供高性能的專用 SVPWM 控制器，可以直接與通用變頻器對接。 （2）提出了分離型螺桿結(jié)合 CRD 分散混合器的高速螺桿技術(shù)，提升了擠出 效率及效果；研發(fā)了塑料片材擠出螺桿高頻電磁感應加熱裝置，有效降低了擠出 機運行能耗。將常規(guī)三段式螺桿設計成五段式，改變了傳統(tǒng)螺桿直徑對擠出產(chǎn)量 的限制。在螺桿機筒外壁上纏繞電流線圈，線圈外再包覆隔熱層，線圈兩端連接 控制線圈電流的高頻電源模塊；在常規(guī)加熱瓦加熱的基礎上，通過電磁感應原理 使螺桿產(chǎn)生熱量，使得螺桿及螺桿機筒同時加熱，縮短了機筒內(nèi)聚合物塑化時間、 降低了能耗。（3）提出了面向塑料片材擠出成套裝備運行過程的全息生產(chǎn)車間制造物聯(lián) 感知技術(shù)，開發(fā)了成套裝備運行的全息感知系統(tǒng)。構(gòu)建了 RFID-WSN 數(shù)據(jù)采集集 成網(wǎng)絡，提出了 LZM - WKPSO 優(yōu)化算法，在保證覆蓋率的前提下使干擾最?。唤?鑒昆蟲協(xié)作機理，提出了基于昆蟲協(xié)作機理的源節(jié)點選擇概率算法，最大化降低 了網(wǎng)絡能量消耗。（4）提出了塑料片材擠出成套裝備多目標柔性資源優(yōu)化調(diào)度模 型，研發(fā)了塑料片材擠出裝備精益管控軟件平臺，實現(xiàn)了成套裝備的高效能運行。 建立了多目標柔性資源優(yōu)化調(diào)度模型，采用重力粒子群混合優(yōu)化算法進行求解。 按照 SOA 思想，設計了集成平臺；開發(fā)了塑料擠出成套裝備運行功能模塊，并與 底層全息車間無縫集成，形成塑料擠出成套裝備精益管控平臺。 行業(yè)意義： 本項目針對高效能塑料片材擠出裝備的關(guān)鍵技術(shù)取得了創(chuàng)新性成果，解決了 我國塑料片材擠出裝備業(yè)目前普遍存在的高能耗、高污染、低附加值、低勞動效 率等問題，提升了塑料片材擠出裝備的自動化與信息化水平，促進了塑料片材擠 出裝備的自動化、信息化深度融合；完成了塑料擠出裝備產(chǎn)業(yè)技術(shù)上的跨越式發(fā) 展，極大地推動了塑料擠出裝備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化升級，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)由高消耗 向高效率的轉(zhuǎn)變。 獲獎情況：2015 年獲中國商聯(lián)聯(lián)合會科學技術(shù)進步獎特等獎。 成果的技術(shù)指標、創(chuàng)新性與先進性: 目前市場上還沒有完全一樣的同類產(chǎn)品出現(xiàn)，國外主要有德馬克、克虜伯、 巴頓菲爾,日本的住友重工等公司在致力于開發(fā)塑膠擠出裝備產(chǎn)品，但是他們開 發(fā)的還是將單一系統(tǒng)的簡單組合，無法從單機與成套裝備精益化管控兩方面集合 提高系統(tǒng)的能效。由于本項目是從單機關(guān)鍵設備能效優(yōu)化設計和成套裝備精益化 管控能效優(yōu)化設計兩個方面入手，開發(fā)料擠出成套裝備，產(chǎn)品具有能耗低、效率 高等特點。綜上所述，本項目產(chǎn)品目前擁有先入的一定優(yōu)勢，競爭對手在技術(shù)方 面無法與本項目產(chǎn)品直接競爭。 本項目產(chǎn)品具有如下技術(shù)和性能優(yōu)勢： （1）螺桿的速度從同行的 100 轉(zhuǎn)/分鐘提高到 200 轉(zhuǎn)/分鐘，擠出量從類技 術(shù)的 200kg/h 提升 400kg/h；擠出效率的提升導致能耗降低 10%左右；同類技術(shù) 目前直徑 105mm 的螺桿需要配置 115KW 左右的電機，而本項目技術(shù)只需要配置 90KW 左右的電機，降低了能耗。 （2）螺桿高頻感應加熱裝置使得加熱系統(tǒng)能耗降低 15%左右；（4）克服了同類技術(shù)在高速混合擠出時混合效果差導致溫度不均衡、色差 大等問題，提高了制品的品質(zhì)； （5）生產(chǎn)工藝數(shù)據(jù)自動數(shù)采率 95%以上； （6）生產(chǎn)效率提高 30%左右；優(yōu)等品率提高 20%；產(chǎn)能提高 1.5 倍； （7）填補國內(nèi)針對塑料擠出裝備生產(chǎn)過程的精益化生產(chǎn)軟件的空白； （8）本項目實現(xiàn)生產(chǎn)流程的閉環(huán)優(yōu)化，現(xiàn)有的 ERP、MES 系統(tǒng)則為開環(huán)控制； （9）本項目的軟件平臺有效提升了塑料擠出成套裝備的附加值。 技術(shù)的成熟度: 相關(guān)技術(shù)已經(jīng)形成產(chǎn)品，在廣東達誠機械有限公司及其下游企業(yè)進行了產(chǎn)業(yè) 化。 項目成果轉(zhuǎn)化造價：130 萬元； 投資預算：硬件成本（不包含塑料片材擠出機本體部分）85 萬元；軟件開發(fā) 45 萬元。 成果應用范圍：塑料包裝行業(yè)、包裝機械行業(yè)。 應用案例及單位：成果在廣東達誠機械有限公司等行業(yè)龍頭企業(yè)進行了產(chǎn)業(yè) 化，并在廣東、江浙等地區(qū)的 10 多家塑料企業(yè)進行了推廣應用。 經(jīng)濟和社會效益： 項目成果能夠有效降低能耗 25%，提高生產(chǎn)效率 30%左右，使得企業(yè)投資效 益大幅度提升。近 3 年來，據(jù)不完全統(tǒng)計，累計新增產(chǎn)值約 67206 萬元，新增利 潤 5040 萬元，新增稅收 2872 萬元。項目成果解決了我國塑料片材擠出裝備業(yè)目 前普遍存在的高能耗、高污染、低附加值、低勞動效率等問題，提升了塑料片材 擠出裝備的自動化與信息化水平，促進了塑料片材擠出裝備的自動化、信息化深 度融合；完成了塑料擠出裝備產(chǎn)業(yè)技術(shù)上的跨越式發(fā)展，極大地推動了塑料擠出 裝備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化升級，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)由高消耗向高效率的轉(zhuǎn)變。 

本發(fā)明公開了一種云計算環(huán)境下面向并行應用的動態(tài)時間片調(diào) 度方法及系統(tǒng)；其中，動態(tài)時間片調(diào)度方法包括：自旋鎖延遲采樣； 建立虛擬機與虛擬機監(jiān)視器之間的通信通道，傳遞自旋鎖延遲采樣值； 自旋鎖延遲統(tǒng)計，獲取虛擬機自旋鎖延遲的平均值；動態(tài)時間片調(diào)度； 動態(tài)時間片調(diào)度系統(tǒng)包括自旋鎖延遲采樣模塊、通信模塊、自旋鎖延 遲統(tǒng)計模塊和動態(tài)時間片調(diào)度模塊；本發(fā)明提供的動態(tài)時間片調(diào)度方 法，基于虛擬機的自旋鎖延遲，動態(tài)的調(diào)整虛擬機的調(diào)度

本發(fā)明公開了一種四分之一雙波片相位延遲器，可在紫外、可見及近紅外的波段范圍內(nèi)實現(xiàn)消色差，其特征在于，該雙波片相位延遲器由兩個同種材料或者不同材料的四分之一零級波片構(gòu)成，該兩零級波片沿光軸平行布置，且兩光軸夾角為 45°，其中，所述兩個四分之一零級波片的中心波長在波段范圍內(nèi)，且滿足使得兩零級波片組成的 雙 波 片 在 該 波 段 范 圍 內(nèi) 各 波 長 點 對 應 的 相 位 延 遲 量 δ_e(λ)與理想相位延遲量值π/2 之間差值的最大值取得最小值。與現(xiàn)

本發(fā)明公開了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉(zhuǎn)移裝置， 包括薄膜進給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉(zhuǎn)移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進給單元用于薄膜的進給運動并對薄膜進 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅(qū)動至壓輥轉(zhuǎn)移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉(zhuǎn)移單元中實現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元則根據(jù)工況需要提供多種對廢料的實時檢測和剔除操作。通過本 發(fā)明，各個模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實現(xiàn)對成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測轉(zhuǎn)移過程，同時具備運動穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；  ※ 符合標準曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標準曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達：75V； ※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????