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采用離子輻照增強PtPb/Pt二維納米片電化學催化活性的實驗成果
采用核技術方法，利用高能離子束輻照，對PtPb/Pt二維納米片進行了原子尺度結構調控和修飾，極大地提高了納米片的催化活性。在線輻照和原位透射電子顯微鏡（TEM）結果表明：通過入射高能離子與納米片中靶原子相互作用，精確地控制納米片微觀結構的變化，利用鍵長變化和電子軌道雜化等機制來修飾表面原子的電子結構，從而增加催化反應活性位點，增強催化性能。同時，通過調節入射離子的劑量大小，可以有效地控制缺陷產生的數量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二維納米片材料。
北京大學
2021-04-11
一種基于多肽模板合成二氧化錳納米片的方法及其應用
本發明涉及納米材料、催化及分析化學領域，具體包括一種基于多肽作生物模板合成二氧化錳納米片的制備方法及其在催化及分析化學方面的應用。該方法利用多肽的納米結構特征及其官能團的性質，將多肽與二價錳離子混合，加入氫氧化鈉后常溫反應以使二氧化錳納米片在多肽的穩定下生成。該材料具有仿酶催化特性，使其在分析化學、環境工程和催化領域有著廣闊的應用前景。該方法以生物材料為模板，制備工藝簡單，反應條件溫和環保，納米結構易控。
青島農業大學
2021-04-13
一種五軸加工軌跡中刀具圓環體向三角片的邊投影的算法
本發明屬于銑削加工相關技術領域，其公開了一種五軸加工軌 跡中刀具圓環體向三角片的邊投影的算法，其包括以下步驟:(1)判斷 刀具圓環體向三角片的邊投影的特殊情況，若存在特殊情況，則轉至 步驟(5)，否則轉至步驟(2);(2)根據第一幾何約束條件來確定初始迭代 角度;(3)基于第二幾何約束條件及第三幾何約束條件來計算及離散初 始迭代角度區域，以確定較優初始迭代角度;(4)基于第二幾何約束條 件及第三幾何約束條件，采用割線法搜索最優角度，若成功則轉至步 驟(5)，否則結束;(5)依據搜索到的所述最優角度計
華中科技大學
2021-04-14
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
一種綠色催化制備14-芳基-14H-二苯并[a，j]氧雜蒽類衍生物的方法
（專利號：ZL 201410351149.4） 簡介：本發明公開了一種綠色制備14-芳基-14H-二苯并[a，j]氧雜蒽類衍生物的方法，屬于化學材料制備技術領域。該制備反應中芳香醛與2-萘酚的摩爾比為1：2，催化劑的摩爾量是所用芳香醛的3～5％，反應溫度為110℃，反應時間為10～30min，反應結束后加入水冷卻，有大量固體析出，碾碎固體，靜置，抽濾，所得濾渣水洗、干燥后用95％乙醇水溶液重結晶，真空干燥后得到純14-芳基-14H-二苯并
安徽工業大學
2021-01-12
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
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※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
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※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
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※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
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※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
中山大學電子與信息工程學院李朝暉、張斌團隊在大帶寬可調諧片上激光器研究方面取得重要進展
李朝暉教授、張斌副教授團隊自主開發了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平臺，該平臺具有低損耗、高光學非線性和高拉曼增益、可實現靈活的色散調控、硅基片上集成等特點，非常適合于實現可調諧的片上拉曼激光器。
中山大學
2022-05-30
中國藥科大學藥學院周建平/丁楊團隊在Adv Sci,Nano Lett,J Control Release連發三文報道抗阿爾茲海默癥研究成果
基于阿爾茲海默癥（AD）病理機制和血腦屏障（BBB）藥物滲透限制，該團隊全面總結了近年來靶向阻斷AD疾病進程的納米藥物應用進展，并探討了以病理機制指導的納米藥物設計原則。
中國藥科大學
2022-05-31