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        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         傳統(tǒng)CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測(cè)、存儲(chǔ)、處理等多個(gè)分立系統(tǒng)構(gòu)成，不可避免的增加了集成電路的復(fù)雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲(chǔ)器件、存算一體化技術(shù)及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著巨大應(yīng)用潛力。         研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統(tǒng)人工視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)在容量、集成度、速度等方面的技術(shù)瓶頸問(wèn)題，是實(shí)現(xiàn)高效智能視聽(tīng)覺(jué)傳感系統(tǒng)的基礎(chǔ)。研發(fā)團(tuán)隊(duì)首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)中模擬了速度檢測(cè)的多普勒頻移信息處理，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高通濾波和處理具有相對(duì)時(shí)序和頻移的尖峰數(shù)據(jù)。這些結(jié)果為視聽(tīng)覺(jué)運(yùn)動(dòng)感知的模擬提供了新機(jī)會(huì)，促進(jìn)了其在未來(lái)神經(jīng)形態(tài)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。         意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持

本發(fā)明涉及一種利用雙核酸性離子液體選擇性脫除油品中堿性（喹啉）和非堿性（吲哚）氮化物的新方法。其特征在于所采用的離子液體為雙咪唑SO3H功能化酸性離子液體，在常溫常壓下即可進(jìn)行操作，反應(yīng)結(jié)束，經(jīng)簡(jiǎn)單處理，回收的離子液體可重復(fù)使用。本發(fā)明與傳統(tǒng)方法相比，其特點(diǎn)是：（1）無(wú)需采用背景技術(shù)中的酸精制脫氮，顯著改善了設(shè)備腐蝕和廢水排放等問(wèn)題。（2）所用離子液體脫氮方法條件緩和，操作簡(jiǎn)單易行，且離子液體可實(shí)現(xiàn)重復(fù)使用。（3）與其他離子液體相比，所用離子液體能夠同時(shí)脫除油品堿性和非堿性氮，且保持較高的選擇性，一次脫氮即可將氮含量降至10?mg?L-1以下，且克服了原有脫氮?jiǎng)┲荒苊摮龎A性氮或非堿性氮的弊端。

本發(fā)明提供了一種納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法。其特征在于以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料，按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中，并攪拌均勻，制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥，最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應(yīng)爐中，并通入還原氣體作為反應(yīng)和保護(hù)氣體，于800～950℃、30～60min條件下，制得平均粒徑＜100nm、粒度分布均勻的納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體。本方法具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，適合工業(yè)化生產(chǎn)。

已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級(jí)瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測(cè)到近導(dǎo)帶能級(jí)ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國(guó)際上第一次通過(guò)高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面態(tài)主要來(lái)源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強(qiáng)相互作用。由于晶化的Si2N2O

本發(fā)明提供的一種面向物聯(lián)網(wǎng)的砷化鎵基具有熱電轉(zhuǎn)換功能的MESFET器件，主要包括MESFET和熱電偶。MESFET選擇半絕緣的GaAs作為襯底，通過(guò)GaAs工藝和MEMS表面微機(jī)械加工實(shí)現(xiàn)具有能量轉(zhuǎn)換功能的MESFET。在源漏柵的金層四周制作一層二氧化硅，化學(xué)機(jī)械拋光后，制作熱電偶的金屬Au型熱電臂和砷化鎵型熱電臂，蒸金連接兩種熱電偶臂，將源漏柵的熱電偶電極進(jìn)行金屬連線，留下兩個(gè)熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極。該砷化鎵基具有熱電轉(zhuǎn)換功能的MESFET器件根據(jù)塞貝克效應(yīng)，可以將器件工作產(chǎn)生的熱能轉(zhuǎn)換為電能，實(shí)現(xiàn)能量收集的同時(shí)緩解了散熱問(wèn)題。通過(guò)檢測(cè)輸出塞貝克電壓的大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)熱耗散功率大小的檢測(cè)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹供應(yīng)圍墻紅外對(duì)射，周界紅外柵欄廠家，紅外對(duì)射報(bào)警系統(tǒng)價(jià)格產(chǎn)品名稱(chēng)：三光束主動(dòng)紅外對(duì)射 (廠家直銷(xiāo)）產(chǎn)品型號(hào)： 紅外對(duì)射柵欄系列                 Sn-20~150  產(chǎn)品規(guī)格： 標(biāo)準(zhǔn) 室外三光束全數(shù)字式紅外對(duì)射，當(dāng)有人進(jìn)入防區(qū)遮斷三束紅外線時(shí)發(fā)出報(bào)警信號(hào)觸發(fā)報(bào)警。全密封防雨（霧）、防塵（蟲(chóng)）等的全天候一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其能在惡劣的環(huán)境中正常工作。特殊濾光鏡片及電路，抗強(qiáng)光干擾。 產(chǎn)品特點(diǎn)：  抗強(qiáng)光達(dá)50，000LUX，內(nèi)置自動(dòng)調(diào)節(jié)強(qiáng)光過(guò)濾系統(tǒng)，避免受強(qiáng)光或汽車(chē)燈光的影響  全密封防雨（霧）、防塵（蟲(chóng)）等的全天候一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其能在惡劣的環(huán)境中  正常工作  當(dāng)遇到濃霧或天氣惡劣時(shí)探測(cè)器會(huì)自動(dòng)增強(qiáng)靈敏度（AGC電路）  上下光學(xué)鏡片同時(shí)調(diào)整機(jī)械設(shè)計(jì)，使得調(diào)整更快、更方便、更準(zhǔn)確。  模塊化的設(shè)計(jì)便于探測(cè)器的添加及層疊  水平/垂直光學(xué)角度調(diào)整方便，易于校準(zhǔn)   內(nèi)置光學(xué)瞄準(zhǔn)鏡，便于調(diào)試  精密光學(xué)聚焦鏡技術(shù)以及總線控制技術(shù)  具有高水準(zhǔn)的抗RFI/EMI能力  獨(dú)特的數(shù)字濾波電路設(shè)計(jì)  感光余裕度達(dá)99%  防雷擊電路設(shè)計(jì)  帶防雨罩設(shè)計(jì)  C型繼電器輸出  射束遮斷周期可調(diào)使其更加靈活適應(yīng)性更強(qiáng)   專(zhuān)業(yè)抗干擾光學(xué)外罩  大功率紅外發(fā)接收對(duì)管，低功耗數(shù)字變頻處理技術(shù)性能優(yōu)點(diǎn)：1、技術(shù)先進(jìn)，性能優(yōu)越。2、超強(qiáng)穩(wěn)定。3、人工智能識(shí)別技術(shù)，防止惡意入侵。4、專(zhuān)業(yè)MCU芯片、數(shù)字變頻超強(qiáng)信號(hào)濾波，可靠性好、抗干擾能力強(qiáng)。5、簡(jiǎn)單撥碼，無(wú)需設(shè)定，每防區(qū)最多可駁接5組探頭。6、傳輸介質(zhì)：僅需2根電源線+2根信號(hào)線。7、最大無(wú)中繼傳輸距離1.2KM8、具有防水、防塵、防蟲(chóng)進(jìn)線口。9、具有多重防拆卸、防斷電、防移動(dòng)保護(hù)功能。10、自動(dòng)錯(cuò)碼抗干擾技術(shù)。11、便捷式光軸調(diào)整機(jī)構(gòu)。12、超低功耗控制，傳輸距離更遠(yuǎn)。13、整機(jī)結(jié)構(gòu)一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)，造型輕巧，簡(jiǎn)潔美觀。14、可選背對(duì)背安裝構(gòu)造，安裝更簡(jiǎn)便。15、對(duì)射防范警戒距離穩(wěn)定，靈敏度高，室內(nèi)室外全天候工作。16、有線報(bào)警輸出，可兼容市場(chǎng)所有開(kāi)關(guān)量報(bào)警主機(jī)技術(shù)參數(shù)：光束數(shù)：3束探測(cè)方式：3光束同時(shí)遮斷檢知式光　源：紅外線LED感應(yīng)速度：50 ～ 700 msec警報(bào)輸出：繼電器接點(diǎn)輸出　接點(diǎn)容量ACDC30V0.5Amax工作電壓：DC 13.8—24V；  AC 11—18V消耗電流：40mAmax 40mAmax 40mAmax 55mAmax 65mAmax 65mAmax使用溫度范圍：- 25 ° C ～ 55 ° C外型尺寸：參照外型圖防拆輸出：接點(diǎn)輸出　DC30V0. 5 Amax.光軸調(diào)整角度水平：180 °±90 °光軸調(diào)整角度垂直：20 °±10 °瞄準(zhǔn)器：可拆卸式材料：ABS樹(shù)脂重量：600g（受光器+投光器各） 咨詢電話： 劉生 15013775514/0755-89206127 商務(wù)Q 272820915歡迎你的來(lái)電深圳市世寧科技有限公司，我公司會(huì)給最好服務(wù)，最實(shí)惠的價(jià)格！供應(yīng)圍墻紅外對(duì)射，周界紅外柵欄廠家，紅外對(duì)射報(bào)警系統(tǒng)價(jià)格

衛(wèi)星在軌運(yùn)行和返回過(guò)程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務(wù)高可靠的關(guān)鍵。針對(duì)衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導(dǎo)致的載荷在軌及返回過(guò)程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問(wèn)題。我校陳駿教授團(tuán)隊(duì)以原創(chuàng)的負(fù)熱膨脹技術(shù)研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學(xué)性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料，并研制了系列關(guān)鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負(fù)熱膨脹技術(shù)應(yīng)用到我國(guó)的衛(wèi)星上，填補(bǔ)了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應(yīng)用領(lǐng)域的空白。該技術(shù)使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強(qiáng)、界面應(yīng)力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過(guò)程中信號(hào)高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。 圖1 實(shí)踐十九號(hào)衛(wèi)星成功返回（圖片來(lái)源國(guó)家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料及構(gòu)件應(yīng)用于全球首顆可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星（圖片來(lái)源央視新聞?lì)l道）

本發(fā)明公開(kāi)了一種正壓引射式全預(yù)混燃燒供熱裝置，包括送風(fēng)系統(tǒng)、燃料系統(tǒng)、燃燒室、換熱系統(tǒng)和排煙系統(tǒng)，送風(fēng)系統(tǒng)包括風(fēng)機(jī)及與其送風(fēng)口相連的空氣分配管，燃料系統(tǒng)包括燃?xì)夤芗芭c其相連的燃?xì)夥峙涔埽細(xì)夥峙涔艿亩瞬烤鶆虿贾糜幸唤M燃?xì)鈬娮欤細(xì)鈬娮斓耐庵茉O(shè)有與空氣分配管貫通的環(huán)形進(jìn)氣口，與燃?xì)鈬娮鞂?duì)正的位置處設(shè)有引射式混合器，其頂部自下而上設(shè)有分配孔板和火孔板；燃燒室設(shè)在引射式混合器的上方，其側(cè)壁與火孔板的外輪廓之間設(shè)有環(huán)形孔隙。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊，便于對(duì)整個(gè)系統(tǒng)采取安全控制，供熱裝置運(yùn)行時(shí)燃?xì)夂涂諝饣旌贤耆紵a(chǎn)物中一氧化碳和氮氧化物的排放量較低，使燃?xì)夂涂諝馊A(yù)混燃燒，實(shí)現(xiàn)了燃?xì)馊紵^(guò)程的低污染物排放。

利用聲發(fā)射監(jiān)測(cè)結(jié)晶是王興君副教授團(tuán)隊(duì)歷經(jīng) 5 年研發(fā)的一項(xiàng)能利用聲發(fā)射信號(hào)在線監(jiān)測(cè)結(jié)晶的技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)聲發(fā)射信號(hào)的時(shí)域、頻域、時(shí)頻域的分析，監(jiān)測(cè)結(jié)晶的成核、晶體生長(zhǎng)、晶體聚合。并通過(guò)通過(guò)信號(hào)分析結(jié)果，在線監(jiān)測(cè)結(jié)晶顆粒大小的分布情況。具有獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已申請(qǐng)實(shí)用新型專(zhuān)利 1 項(xiàng)。發(fā)表 SCI 論文 3篇。技術(shù)團(tuán)隊(duì)正在爭(zhēng)取該技術(shù)在無(wú)損檢測(cè)等領(lǐng)域的新突破。