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一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復合粉體的制備方法
小試階段/n本發明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產提供了一個新的思路。
武漢科技大學
2021-01-12
一種基于催化氮化硅粉體及其制備方法
小試階段/n氮化硅陶瓷作為一種高溫結構陶瓷，具有強度高、硬度大、高溫蠕變小、抗熱震穩定性好、耐磨、耐腐蝕、化學穩定性好等優異特性，被廣泛應用于機械、化工、熱工及航空航天等領域。氮化硅粉體是制備高性能氮化硅陶瓷的基礎， 氮化硅粉體的制備及性能對氮化硅陶瓷的制備具有舉足輕重的作用。目前，氮化硅粉體的制備方法主要有：碳熱還原二氧化硅法、自蔓延法、熱分解法、氣相反應法和硅粉直接氮化法等?，F有的氮化硅粉體制備技術都存在一些不足：成本高，反應溫度高，氮化周期長，純度低，工藝過程復雜，不易控制，粉體不呈晶須狀等，
武漢科技大學
2021-01-12
氮化硅超細粉流態化制備技術
氮化硅陶瓷是一種耐高溫耐磨材料，廣泛用于冶金、化工、能源等領域，氮化硅粉是制備氮化硅的原材料。實驗室提出了一種流態化直接氮化制備超細粉方法，可低成本生產晶相和非晶相氮化硅粉。
北京科技大學
2021-04-13
一種氮化硅微米管制造方法
本發明公開了一種氮化硅微米管的制備方法，該方法將去除保 護層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300～600℃的溫度區間內 熱解，使光纖表面形成均勻厚度的碳膜；再將光纖在氮氣條件下以 1100～1600℃的溫度區間高溫加熱，使碳膜與光纖表面的二氧化硅產 生反應生成硅，然后硅與氮氣發生反應在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉，形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進行混合，使氮化硅微米管增強導電性，然后在其中 加入熱熔型粘結劑形成混合物，再均勻涂在洗凈的銅箔表面，可得到 氮化
華中科技大學
2021-04-14
氮化硅基光子集成技術及關鍵器件
項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件
中山大學
2021-04-10
燃燒合成氮化硅基陶瓷的產業化技術
在高技術陶瓷領域，先進陶瓷占有極其重要的地位，在諸多的先進陶瓷中，氮化硅基先進陶瓷以其高強度、高韌性、高的抗熱震性、高的化學穩定性在先進陶瓷中占有獨特的地位，是公認的未來陶瓷發動機中最重要的侯選材料。并且在國際上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷軸承已經形成相當規模的產業。任何一個跨國刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列產品，足見其在機加工行業中具有不可替代的地位。 但是，影響氮化硅陶瓷推廣的一個主要因素，是氮化硅粉末價格昂貴，這是由于傳統的制取氮化硅粉末的方法耗能高，生產周期長，生產成本高。本項目采用具有自主知識產權的創新的燃燒合成技術，制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅復合粉末，具有耗能低，生產周期短，雜質含量低，生產成本低等特點，具有廣泛的應用前景。 燃燒合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高溫合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化學反應自身放熱合成材料的新技術，基本上（或部分）不需要外部熱源，通過設計和控制燃燒波自維持反應的諸多因素獲得所需成分和結構的產物。 自1990年以來，本項目負責人等針對燃燒合成氮化硅陶瓷產業化的一系列關鍵問題，在氣-固體系氮化硅基陶瓷的燃燒合成熱力學、動力學和形成機制等方面進行了深入研究后得到的創新成果。 采用本項目的技術，可以生產符合制作先進陶瓷要求的從全α-Si3N4相到高β- Si3N4相，及不同配比的氮化硅粉末，還可根據用戶要求，用此技術生產α-Sialon，β-Sialon和其它各種氮化硅基的復合粉末。粉末的質量優良而穩定。 應用于航天、航空及機械行業等，用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷軸承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。
北京科技大學
2021-04-11
自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷
北京科技大學特種陶瓷研究室開發出一種自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷材料，其應用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應燒結氮化硅多孔陶瓷的強度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結性能差。本項目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當加工時，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發生偏轉，耗散裂紋擴展的能量使裂紋擴展終止；當載荷繼續上升時，在下層的弱結合界面處將產生新的臨界裂紋再擴展；如此反復，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴展，斷裂漸次發生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結工藝節約了原料成本。產品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應器中進行，燒結所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結）相比較，不需要高溫燒結爐長時間燒結，大大節省了能源。本項目工藝簡單，燒結速度快，效率高?？芍谱鲝碗s形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強度已做到188MPa，材料可加工性能優良。 已獲中國發明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應燒結Si3N4/BN復相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學
2021-04-11
納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法
本發明提供了一種納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法。其特征在于以粉狀釩酸銨、碳質還原劑和微量稀土等催化劑為原料，按一定配比將它們溶于去離子水或蒸餾水中，并攪拌均勻，制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥，最后得到含有釩源和碳源的前驅體粉末。將前驅體粉末置于高溫反應爐中，并通入還原氣體作為反應和保護氣體，于800～950℃、30～60min條件下，制得平均粒徑＜100nm、粒度分布均勻的納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體。本方法具有反應溫度低、反應時間短、生產成本低、工藝簡單等特點，適合工業化生產。
四川大學
2021-04-11
納米氮化釩粉體的制備方法
一種納米氮化釩粉體的制備方法，工藝步驟依次為：(1)前驅體的制備，以V2O5和草酸為原料，V2O5與草酸的重量比為1∶1～1∶3，將所述配比的V2O5和草酸放入反應容器并加水，然后在常壓、40℃～70℃進行攪拌，直到V2O5和草酸的還原反應完成為止，還原反應完成后，將所獲溶液蒸干即得到前驅體草酸氧釩；(2)前驅體的氨解，將所獲前驅體草酸氧釩放入加熱爐，在流動氨氣氛圍中加熱至600℃～750℃進行氨解，保溫10分鐘～3小時后關閉加熱爐電源，保持爐內氨氛圍，待分解產物冷卻至100℃以下取出，即獲得納米氮化釩粉體。
四川大學
2021-04-11
一種六方氮化硼粉體及其制備方法
小試階段/n本發明解決六方氮化硼制備工藝復雜、生產周期長原料毒性大和不易規?；a的技術問題。本發明具有生產周期短、工藝簡單、適宜工業化規模生產的特點，所制備的六方氮化硼粉體純度和結晶度顯著高于現有方法制備的六方氮化硼粉體。本發明處于待轉化階段，應用范圍廣闊，市場前景可觀，預期經濟效益優異。
武漢科技大學
2021-01-12