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本發(fā)明公開了一種氮化硅微米管的制備方法，該方法將去除保 護(hù)層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300～600℃的溫度區(qū)間內(nèi) 熱解，使光纖表面形成均勻厚度的碳膜；再將光纖在氮?dú)鈼l件下以 1100～1600℃的溫度區(qū)間高溫加熱，使碳膜與光纖表面的二氧化硅產(chǎn) 生反應(yīng)生成硅，然后硅與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉，形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進(jìn)行混合，使氮化硅微米管增強(qiáng)導(dǎo)電性，然后在其中 加入熱熔型粘結(jié)劑形成混合物，再均勻涂在洗凈的銅箔表面，可得到 氮化

小試階段/n本發(fā)明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡(jiǎn)單，成本低，具有較大的市場(chǎng)前景，為非氧化物耐火材料原料的生產(chǎn)提供了一個(gè)新的思路。

氮化硅陶瓷是一種耐高溫耐磨材料，廣泛用于冶金、化工、能源等領(lǐng)域，氮化硅粉是制備氮化硅的原材料。實(shí)驗(yàn)室提出了一種流態(tài)化直接氮化制備超細(xì)粉方法，可低成本生產(chǎn)晶相和非晶相氮化硅粉。

項(xiàng)目采用了中山大學(xué)自主研發(fā)的低損耗低應(yīng)力超低溫氮化硅材料平臺(tái)，研制了一系列光子集成的關(guān)鍵 器件

在高技術(shù)陶瓷領(lǐng)域，先進(jìn)陶瓷占有極其重要的地位，在諸多的先進(jìn)陶瓷中，氮化硅基先進(jìn)陶瓷以其高強(qiáng)度、高韌性、高的抗熱震性、高的化學(xué)穩(wěn)定性在先進(jìn)陶瓷中占有獨(dú)特的地位，是公認(rèn)的未來(lái)陶瓷發(fā)動(dòng)機(jī)中最重要的侯選材料。并且在國(guó)際上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷軸承已經(jīng)形成相當(dāng)規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。任何一個(gè)跨國(guó)刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列產(chǎn)品，足見其在機(jī)加工行業(yè)中具有不可替代的地位。 但是，影響氮化硅陶瓷推廣的一個(gè)主要因素，是氮化硅粉末價(jià)格昂貴，這是由于傳統(tǒng)的制取氮化硅粉末的方法耗能高，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，生產(chǎn)成本高。本項(xiàng)目采用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新的燃燒合成技術(shù)，制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅復(fù)合粉末，具有耗能低，生產(chǎn)周期短，雜質(zhì)含量低，生產(chǎn)成本低等特點(diǎn)，具有廣泛的應(yīng)用前景。 燃燒合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高溫合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化學(xué)反應(yīng)自身放熱合成材料的新技術(shù)，基本上（或部分）不需要外部熱源，通過(guò)設(shè)計(jì)和控制燃燒波自維持反應(yīng)的諸多因素獲得所需成分和結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物。 自1990年以來(lái)，本項(xiàng)目負(fù)責(zé)人等針對(duì)燃燒合成氮化硅陶瓷產(chǎn)業(yè)化的一系列關(guān)鍵問(wèn)題，在氣-固體系氮化硅基陶瓷的燃燒合成熱力學(xué)、動(dòng)力學(xué)和形成機(jī)制等方面進(jìn)行了深入研究后得到的創(chuàng)新成果。 采用本項(xiàng)目的技術(shù)，可以生產(chǎn)符合制作先進(jìn)陶瓷要求的從全α-Si3N4相到高β- Si3N4相，及不同配比的氮化硅粉末，還可根據(jù)用戶要求，用此技術(shù)生產(chǎn)α-Sialon，β-Sialon和其它各種氮化硅基的復(fù)合粉末。粉末的質(zhì)量?jī)?yōu)良而穩(wěn)定。 應(yīng)用于航天、航空及機(jī)械行業(yè)等，用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷軸承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。

北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會(huì)形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長(zhǎng)時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡(jiǎn)單，燒結(jié)速度快，效率高。可制作復(fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國(guó)發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。

小試階段/n氮化硅陶瓷作為一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，具有強(qiáng)度高、硬度大、高溫蠕變小、抗熱震穩(wěn)定性好、耐磨、耐腐蝕、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)異特性，被廣泛應(yīng)用于機(jī)械、化工、熱工及航空航天等領(lǐng)域。氮化硅粉體是制備高性能氮化硅陶瓷的基礎(chǔ)， 氮化硅粉體的制備及性能對(duì)氮化硅陶瓷的制備具有舉足輕重的作用。目前，氮化硅粉體的制備方法主要有：碳熱還原二氧化硅法、自蔓延法、熱分解法、氣相反應(yīng)法和硅粉直接氮化法等。現(xiàn)有的氮化硅粉體制備技術(shù)都存在一些不足：成本高，反應(yīng)溫度高，氮化周期長(zhǎng)，純度低，工藝過(guò)程復(fù)雜，不易控制，粉體不呈晶須狀等，

產(chǎn)品詳細(xì)介紹商品描述：本離心空柱管每套包含2毫升容量外管、1毫升容量?jī)?nèi)管和5微米孔徑混纖篩板各一個(gè)。外管和內(nèi)管采用高純度聚丙烯材質(zhì)(和各種常用的EP管材質(zhì)相同)，對(duì)各種生物分子的吸附極低。其中的篩板厚度約為1.0毫米，采用以玻璃纖維為主要原料的混合纖維制成，孔徑均勻，不宜產(chǎn)生氣泡。整個(gè)離心空柱管由于其材質(zhì)的特殊性，可以耐受酸堿和大部分有機(jī)溶劑，對(duì)大部分生物分子沒有吸附作用。可以用于固液相的快速分離，去除樣品中的固相雜質(zhì)，裝填蛋白、核酸或小分子純化柱等。離心空柱管本身可以耐受12,000g的離心力。產(chǎn)品詳情地址：http://www.shhk.com.cn/product_detail-2719.htm 上海化科實(shí)驗(yàn)器材有限公司主要生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)：實(shí)驗(yàn)室器材，玻璃儀器，實(shí)驗(yàn)室耗材，生物耗材，化學(xué)試劑，微生物試劑，樣品瓶，包裝瓶，實(shí)驗(yàn)室設(shè)備，儀器儀表等。廣泛服務(wù)于：科研，制藥，生物，生命科學(xué)，教育，污水處理，食品與飲料，電子，輕工業(yè)，礦業(yè)，石油天然氣，石油化學(xué)工業(yè)，工業(yè)品儀器，環(huán)保工程等行業(yè)。公司網(wǎng)站：http://www.shhk.com.cn訂單郵箱：[email protected]（推薦）咨詢電話：021-67652117，57602161QQ 在線：1152028600。大量供應(yīng)：離心空柱管(2毫升) 5微米孔徑。 

超細(xì)球形/類球形二氧化硅粉體是一種現(xiàn)代工業(yè)的無(wú)機(jī)精細(xì)化學(xué)原料。該材料有嚴(yán)格的超微細(xì)粒度（一般為小于 1 微米的膠體顆 粒）要求，顆粒形貌必須為球形或類球形。以作為電子封裝材料的無(wú)機(jī)填料為例，要求其達(dá)到超微細(xì)粒級(jí)、放射性元素含量低、 純度高、顆粒形貌球形化。目前，制備超微細(xì)球形或類球形二氧化硅顆粒的方法主要包括火焰成球法、高溫熔融噴射法、溶膠凝 膠法及化學(xué)沉淀法等，工藝復(fù)雜、成本較高。該技術(shù)基于介質(zhì)攪拌磨中研磨介質(zhì)對(duì)顆粒表層的剪切剝離研磨及添加某種鹽溶液對(duì) 二氧化硅顆粒表面進(jìn)行化學(xué)溶蝕的耦合作用，將化學(xué)溶蝕輔助超 細(xì)研磨應(yīng)用于類球形二氧化硅顆粒的制備中，得到顆粒更細(xì)、粒徑分布更窄、分散穩(wěn)定性良好的亞微米粒級(jí)類球形二氧化硅粉體。 

碳化硅工程陶瓷材料具有優(yōu)異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴(yán)酷環(huán)境使用環(huán)境。碳化硅工程陶瓷在工業(yè)領(lǐng)域具有最廣泛的應(yīng)用前景、并可能在較短時(shí)間內(nèi)形成產(chǎn)業(yè)化規(guī)模，有巨大的市場(chǎng)潛力。國(guó)家科委在“九五”科技攻關(guān)項(xiàng)目“結(jié)構(gòu)陶瓷產(chǎn)品開發(fā)”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護(hù)管開發(fā)”的專題。通過(guò)產(chǎn)品開發(fā)牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術(shù)。