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大型沉管隧道水下基槽浚邊坡穩(wěn)定性、承載力和變形分析
1.依據(jù)海河實(shí)際土質(zhì)條件，提出了基槽水下開挖下部和上部坡率建議值；2.提出了適合濱海軟土地層特性的水下開挖法及合理的超挖值；3.提出了適合海河沉管隧道的水下邊坡檢測要求和減少基底回淤的施工措施；4.通過應(yīng)力路徑試驗(yàn)方法，進(jìn)行模擬基坑開挖時(shí)主動區(qū)側(cè)向卸荷試驗(yàn)（DEP）和固結(jié)試驗(yàn)，得到主動區(qū)卸荷狀態(tài)下土的強(qiáng)度參數(shù)；5.編制了天津市地方標(biāo)準(zhǔn)《內(nèi)河沉管法隧道設(shè)計(jì)、施工及驗(yàn)收規(guī)范》DB/T29-219-2013。 在海河下游軟土地層環(huán)境下，針對內(nèi)河沉管沉放過程中存在的技術(shù)難題，形成了對沉
天津城建大學(xué)
2021-01-12
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一種通過原位沉積磷酸鈣對碳納米管進(jìn)行功能改進(jìn)的方法
一種通過原位沉積磷酸鈣對碳納米管進(jìn)行功能改性的方法，其步驟為：a、接枝反應(yīng)將聚乙二醇、淀粉、聚乙烯醇或馬來酸酐溶于二氯甲烷中，并加入偶聯(lián)劑構(gòu)成接枝反應(yīng)液；再將經(jīng)酸化預(yù)處理后的碳納米管粉末和催化量的酯化催化劑加入到接枝反應(yīng)液中，進(jìn)行酯化反應(yīng)；然后過濾、洗滌、干燥得已接枝小分子化合物或聚合物后的碳納米管；b、礦化反應(yīng) 再將a步接枝后的碳納米管置入成分與模擬體液相同，但離子濃度為模擬體液2-10倍的快速礦化液中，超聲分散后置于溫度為37℃的環(huán)境中，靜置1-7天。該種方法改性后的碳納米管的親水性以及生物相容性好，可用作醫(yī)用高分子復(fù)合材料的增強(qiáng)體或者藥物載體材料。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
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一種環(huán)氧樹脂－二氧化硅空心管復(fù)合材料及制備方法
本發(fā)明公開了一種環(huán)氧樹脂－二氧化硅空心管復(fù)合材料及其制 備方法。所述環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管復(fù)合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環(huán)氧樹脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，其 添加量為環(huán)氧樹脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，形成環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3
華中科技大學(xué)
2021-04-14
制造有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法、實(shí)現(xiàn)該方法的噴嘴及裝置
本發(fā)明公開了應(yīng)用混合型噴嘴噴印制造有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導(dǎo)電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導(dǎo)電單元及覆在導(dǎo)電單 元上的油層；4)轉(zhuǎn)印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發(fā)明工藝簡 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實(shí)現(xiàn)簡單，對環(huán) 境要求也較低；成本低，設(shè)備成本低，同時(shí)制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復(fù)定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱的制作方法
（專利號：ZL 201310543403.6） 簡介：本發(fā)明提供一種內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱，屬于土木工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明制作方法為：（1）在鋼管內(nèi)部焊接加勁肋，然后在鋼管內(nèi)部澆筑高強(qiáng)混凝土，形成鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱；（2）在鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱外綁扎縱筋和箍筋；（3）在異形FRP管內(nèi)截面拐角處，設(shè)置橫向和斜向的FRP連接件；（4）在鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱和異形FRP管內(nèi)澆筑混凝土，制成內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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提升結(jié)晶小分子半導(dǎo)體在n型有機(jī)薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個(gè)柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導(dǎo)體的晶界，提升其機(jī)械性能，實(shí)現(xiàn)了柔性有機(jī)晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
實(shí)驗(yàn)室溫度計(jì) 硅二極管溫度傳感器 DT640
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-06-27
在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法
本發(fā)明公開了一種在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法，將硫酸洗液清洗過的硅基質(zhì)樣品浸入到SiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，使玻璃表面覆蓋均勻的SiO2涂層，220℃煅燒涂層，得到的覆蓋SiO2涂層的樣品浸入到TiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，并在500℃煅燒涂層。最后經(jīng)氟硅烷溶液浸泡進(jìn)行涂層表面改性得到光控油水浸潤性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層。本發(fā)明和以往制備親疏水親疏油可逆轉(zhuǎn)換材料的方法相比，方法簡便，耗時(shí)少，不需要特殊儀器。涂層呈現(xiàn)納米TiO2微球包裹微米SiO2微球的類荷葉表面結(jié)構(gòu)，在工程領(lǐng)域中具有良好的應(yīng)用前景。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
喜迎二十大 | 管培俊：高質(zhì)量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發(fā)展實(shí)現(xiàn)新的歷史性跨越。
人民政協(xié)報(bào)
2022-10-12
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可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11