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一、技術(shù)研究背景 空間位置誤差的存在直接影響了遙感數(shù)據(jù)應(yīng)用的范圍以及以遙感影像為數(shù)據(jù)源的研究結(jié)論的可靠性。如何消除這種空間位置誤差已經(jīng)成為學(xué)術(shù)界和遙感產(chǎn)業(yè)化過程中一個熱點(diǎn)問題。常規(guī)的消除方法（例如空間聚合的方法）只能消除部分誤差，而且對于中低分辨率的遙感數(shù)據(jù)并不適用。因此，發(fā)展一種適用于多尺度遙感影像中空間位置誤差消除方法成為必然。二、技術(shù)先進(jìn)性 本成果提出了一種基于概率位置模型的空間位置誤差影響消除方法，該模型有效地利用前

本實(shí)用新型提供了一種具有翻轉(zhuǎn)芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機(jī)構(gòu)、翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)、芯片吸取機(jī)構(gòu)，Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機(jī)構(gòu)將芯片吸取機(jī)構(gòu)移動到適宜高度，翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)驅(qū)動芯片吸取機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)，芯片吸取機(jī)構(gòu)包括直線導(dǎo)向運(yùn)動部件和芯片吸取元件，直線導(dǎo)向運(yùn)動部件內(nèi)設(shè)有直線軸承和彈簧，直線導(dǎo)向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)的作用下旋轉(zhuǎn)到達(dá)芯片供給位置。本實(shí)用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠

該發(fā)明充分考慮了航空發(fā)動機(jī)輪盤全壽命周期中的現(xiàn)有知識和信息，減少不必要的試驗(yàn)次數(shù)和成本，避免了航空發(fā)動機(jī)輪盤的“小樣本”而導(dǎo)致故障信息少的問題； 揭示了航空發(fā)動機(jī)輪盤全壽命周期內(nèi)不確定性的分散性和隨機(jī)性對其壽命和可靠性的影響規(guī)律，獲得了綜合考慮故障物理建模中的不同目標(biāo)或不同程度的不確定因素 影響的預(yù)測壽命分布以及不確定性范圍，提高了試驗(yàn)結(jié)果的精度，因此能顯著地提高航空發(fā)動機(jī)輪盤的壽命可靠性。

該發(fā)明充分考慮了航空發(fā)動機(jī)輪盤全壽命周期中的現(xiàn)有知識和信息，減少不必要的試驗(yàn)次數(shù)和成本，避免了航空發(fā)動機(jī)輪盤的“小樣本”而導(dǎo)致故障信息少的問題； 揭示了航空發(fā)動機(jī)輪盤全壽命周期內(nèi)不確定性的分散性和隨機(jī)性對其壽命和可靠性的影響規(guī)律，獲得了綜合考慮故障物理建模中的不同目標(biāo)或不同程度的不確定因素影響的預(yù)測壽命分布以及不確定性范圍，提高了試驗(yàn)結(jié)果的精度，因此能顯著地提高航空發(fā)動機(jī)輪盤的壽命可靠性。

成果簡介： 該發(fā)明充分考慮了航空發(fā)動機(jī)輪盤全壽命周期中的現(xiàn)有知識和信息，減少不必要的試驗(yàn)次數(shù)和成本，避免了航空發(fā)動機(jī)輪盤的“小樣本”而導(dǎo)致故障信息少的問題； 揭示了航空發(fā)動機(jī)輪盤全壽命周期內(nèi)不確定性的分散性和隨機(jī)性對其壽命和可靠性的影響規(guī)律，獲得了綜合考慮故障物理建模中的不同目標(biāo)或不同程度的不確定因素 影響的預(yù)測壽命分布以及不確定性范圍，提高了試驗(yàn)結(jié)果的精度，因此能顯著地提高航空發(fā)動機(jī)輪盤的壽命可靠性。

光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)物理層的主要基礎(chǔ)芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅(qū)動器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏韺?shí)現(xiàn)高速傳輸信號的光電、電光轉(zhuǎn)換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設(shè)，并致力于構(gòu)建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點(diǎn)： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點(diǎn) 　　工作溫度: -40度 到 90度

本發(fā)明屬于物理化學(xué)材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鑭摻雜鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛透明陶瓷的制備方法，先以MgO、Nb2O5、PbO、TiO2和La2O3為原料，用高能球磨法制備PMN-PT粉體，再用干壓成型或冷等靜壓工藝壓制陶瓷坯體，燒結(jié)后在氧氣氛條件下間歇抽真空保溫得到PMN-PT透明陶瓷。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：（1）采用上述方法制備的PMN-PT陶瓷，具有不含焦綠石相的純鈣鈦礦相，致密度高，紅外波段透光率最高可達(dá)67%，接近其理論透光率。（2）本制備方法中采用高能球磨，而不是傳統(tǒng)工藝中的行星球磨，轉(zhuǎn)速快，得到的粉體粒徑小、成分均勻，而且耗時短。（3）使用廉價的普通燒結(jié)爐，采用一步燒結(jié)，降低粉體制備工藝耗時，可以制備復(fù)雜形狀透明陶瓷，適合工業(yè)化批量生產(chǎn)、成本低。新一代信息技術(shù)是當(dāng)前國家十三五戰(zhàn)略規(guī)劃新興產(chǎn)業(yè)，也是山東省新舊動能轉(zhuǎn)化十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一。在信息通信領(lǐng)域，電光開關(guān)、電光調(diào)制器是光通信領(lǐng)域的核心器件，而鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛基透明電光陶瓷則是開發(fā)上述器件的核心材料。鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛基透明電光陶瓷的專利技術(shù)與相關(guān)企業(yè)，如青島海泰光電技術(shù)有限公司、青島浦芮斯光電科技有限公司等單位，合作研發(fā)生產(chǎn)基于PMN-PT透明陶瓷的高性能電光器件，擴(kuò)展其在光通信領(lǐng)域的應(yīng)用，推進(jìn)我國光通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)。也可和相關(guān)企業(yè)轉(zhuǎn)讓，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。