|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
一種基于微流控通道的磁分離方法及裝置
本發(fā)明公開了一種基于微流控通道的磁分離方法和裝置，所述方法包括：控制樣品液流入微流控通道；對(duì)所述微流控通道中的樣品液施加垂直于微流控通道方向的梯度磁場(chǎng)，使所述樣品液中的不同粒子分離；對(duì)所述微流控通道中的樣品液施加靜態(tài)均勻磁場(chǎng)；對(duì)所述微流控通道中的樣品液施加周期均勻磁場(chǎng)，所述梯度磁場(chǎng)、周期均勻磁場(chǎng)以及靜態(tài)均勻磁場(chǎng)共同作用產(chǎn)生振蕩復(fù)合式梯度磁場(chǎng)，避免所述樣品液中不同的粒子團(tuán)聚；其中，所述微流控通道、所述梯度磁場(chǎng)以及所述靜態(tài)均勻磁場(chǎng)位于 xy 平面內(nèi)，所述周期均勻磁場(chǎng)垂直于 xy 平面。本發(fā)明中涉及的磁分
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種電場(chǎng)輔助寫入型磁隧道結(jié)單元及其寫入方法
本發(fā)明公開了一種電場(chǎng)輔助寫入型磁隧道結(jié)單元及其寫入方法； 電場(chǎng)輔助磁隧道結(jié)單元具有雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，包括第一電極層，以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL，第 一絕緣層為隧穿層 I，第二磁性層為自由層 FL，第一金屬層為非磁金 屬層 NM，第二絕緣層為介電層 I*；當(dāng)在磁隧道結(jié)單元的兩端施加電 壓時(shí)，電場(chǎng)通過兩個(gè)絕緣層引入到 I/FL 和 FL/NM 界面，從而調(diào)控 I/FL 的界面磁各向異性，并控制 FL/NM
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種電場(chǎng)輔助寫入型磁隧道結(jié)單元及其寫入方法
本發(fā)明公開了一種電場(chǎng)輔助寫入型磁隧道結(jié)單元及其寫入方法； 電場(chǎng)輔助磁隧道結(jié)單元具有雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，包括第一電極層，以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL，第 一絕緣層為隧穿層 I，第二磁性層為自由層 FL，第一金屬層為非磁金 屬層 NM，第二絕緣層為介電層 I*；當(dāng)在磁隧道結(jié)單元的兩端施加電 壓時(shí)，電場(chǎng)通過兩個(gè)絕緣層引入到 I/
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米磁化強(qiáng)度的溫度測(cè)量方法
本發(fā)明公開一種基于磁納米磁化強(qiáng)度的溫度測(cè)量方法，其主要?jiǎng)?chuàng)新在于考慮了磁納米試劑粒徑分布對(duì)溫度測(cè)量的影響，實(shí)現(xiàn)了在未知磁納米粒徑分布的情況下的溫度精確測(cè)量。當(dāng)對(duì)磁納米試劑施加直流磁場(chǎng)時(shí)，檢測(cè)不同磁場(chǎng)強(qiáng)度激勵(lì)下的磁化強(qiáng)度信號(hào)；利用磁納米粒子磁化強(qiáng)度與溫度、濃度以及粒徑高階矩的關(guān)系式精確求解出溫度。當(dāng)對(duì)磁納米試劑施加交流磁場(chǎng)時(shí)，采集交流磁化強(qiáng)度信號(hào)，檢測(cè)出一、三次諧波幅值；利用交流磁化強(qiáng)度一、三次諧波幅值與溫度、濃度以
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
小陣列核脈沖能量與時(shí)間譜分析系統(tǒng)
小陣列核脈沖能量與時(shí)間譜分析系統(tǒng)是國(guó)家自然科學(xué)基金和NSAF聯(lián)合基金 項(xiàng)目的創(chuàng)新成果，采用先進(jìn)的低噪聲陣列讀出電路和基于FPGA的多通道能量與 時(shí)間譜分析系統(tǒng)，能夠同時(shí)測(cè)量小陣列像素探測(cè)器的能譜和時(shí)間譜，并繪制出一 維能量譜、一維時(shí)間譜、能量與時(shí)間的二維譜以及光子作用位置分布圖。 該系統(tǒng)相對(duì)于國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有產(chǎn)品的主要優(yōu)點(diǎn)是：(1)能夠同時(shí)測(cè)量核脈沖的 能量和時(shí)間譜，并給出二維譜分布；(2)能夠?qū)π￡嚵刑綔y(cè)器進(jìn)行高速并行讀 出，并具有較高的靈敏度；(3)可以實(shí)現(xiàn)初步的能譜成像，并具有亞像元空間 分辨能力。 系統(tǒng)指探測(cè)器、模擬讀出電路、FPGA譜分析系統(tǒng)以及電源四個(gè)模塊組成， 低壓電源采用±3. 7V可充電鋰電池，高壓電源采用IkV高壓模塊，探測(cè)器采用基 于CZT晶體的像素陣列探測(cè)器，探測(cè)器與模擬讀出電路體積為 4. 5cmx4. 5cmx2. 7cm, FPGA 譜分析系統(tǒng)體積為 6. 5cmx8. Icmx2. 5cm,基本系統(tǒng)的 像素陣列為2x2,高分辨系統(tǒng)的陣列數(shù)可達(dá)8x8,系統(tǒng)的時(shí)間分辨可達(dá)5ns,能 量測(cè)量下限可達(dá)5keV,對(duì)59. 5keV伽馬射線可以實(shí)現(xiàn)能量分辨率5. 5%。
重慶大學(xué)
2021-04-11
帶數(shù)字標(biāo)識(shí)腦干及下丘腦核團(tuán)模型
XM-617C-1腦干及下丘腦核團(tuán)模型（帶數(shù)字標(biāo)識(shí)）
?
XM-617C-1帶數(shù)字標(biāo)識(shí)腦干及下丘腦核團(tuán)模型可拆分為4部件，顯示腦干的形狀結(jié)構(gòu)和間腦神經(jīng)核團(tuán)，腦干部除可觀察延髓、腦橋，菱形窩和中腦的形態(tài)外，還可觀察第Ⅱ至Ⅻ對(duì)腦神經(jīng)在腦干部位，間腦可觀察到上丘腦、背側(cè)丘腦、后丘腦和下丘腦，在背側(cè)丘腦和下丘腦部顯示了各主要核團(tuán)，共有多個(gè)部位數(shù)字指示標(biāo)志和對(duì)應(yīng)的文字說明。
尺寸：放大，14×11×22cm
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
腦干腦神經(jīng)核傳導(dǎo)束XM-655
XM-655腦干腦神經(jīng)核傳導(dǎo)束
?
XM-655腦干腦神經(jīng)核傳導(dǎo)束由6部件組成，顯示腦干腦神經(jīng)核及腦神經(jīng)、錐體系傳導(dǎo)束、錐體外系、淺深感覺傳導(dǎo)束、視聽覺和深感覺傳導(dǎo)束、深感覺前庭傳導(dǎo)束和脊髓小腦束等結(jié)構(gòu)形態(tài)。
尺寸：放大
材質(zhì)：優(yōu)質(zhì)鐵絲
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
XM-655腦干腦神經(jīng)核傳導(dǎo)束
XM-655腦干腦神經(jīng)核傳導(dǎo)束
?
XM-655腦干腦神經(jīng)核傳導(dǎo)束由6部件組成，顯示腦干腦神經(jīng)核及腦神經(jīng)、錐體系傳導(dǎo)束、錐體外系、淺深感覺傳導(dǎo)束、視聽覺和深感覺傳導(dǎo)束、深感覺前庭傳導(dǎo)束和脊髓小腦束等結(jié)構(gòu)形態(tài)。
尺寸：放大
材質(zhì)：優(yōu)質(zhì)鐵絲
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
安徽核芯電子科技有限公司
安徽核芯電子科技有限公司
2024-03-20
零壹核芯科技成都有限責(zé)任公司
零壹核芯科技成都有限責(zé)任公司成立于2017-06-05，法定代表人為肖忠海，注冊(cè)資本為300萬元人民幣，統(tǒng)一社會(huì)信用代碼為91510108MA6CR04H03，企業(yè)地址位于成都市成華區(qū)二仙橋東三路一號(hào)致遠(yuǎn)樓5-4室，所屬行業(yè)為軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)，經(jīng)營(yíng)范圍包含：一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；企業(yè)管理；儀器儀表銷售；環(huán)境監(jiān)測(cè)專用儀器儀表銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；電子產(chǎn)品銷售；計(jì)算機(jī)軟硬件及輔助設(shè)備零售；環(huán)境保護(hù)監(jiān)測(cè)；專用設(shè)備修理；家政服務(wù)；業(yè)務(wù)培訓(xùn)（不含教育培訓(xùn)、職業(yè)技能培訓(xùn)等需取得許可的培訓(xùn)）；招生輔助服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）。零壹核芯科技成都有限責(zé)任公司目前的經(jīng)營(yíng)狀態(tài)為存續(xù)（在營(yíng)、開業(yè)、在冊(cè)）。
零壹核芯科技成都有限責(zé)任公司
2022-08-12