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本發(fā)明公開(kāi)了一株對(duì)灰霉病菌有抑制作用的洋蔥假單胞菌菌株QBA-3及其應(yīng)用，本發(fā)明通過(guò)篩選獲得的QBA-3其分類(lèi)命名為洋蔥假單胞菌Pseudomonas?cepacia，保藏于中國(guó)典型培養(yǎng)物保藏中心，其保藏編號(hào)為CCTCC?M2015402。本發(fā)明經(jīng)過(guò)對(duì)灰霉病菌孢子萌發(fā)、芽管伸長(zhǎng)和離體葉片的實(shí)驗(yàn)，證明本發(fā)明獲得的菌株QBA-3具有對(duì)灰霉病菌的強(qiáng)抑制作用，可以將其制備成防治灰霉病菌的生防制劑，具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開(kāi)了一種有壓快速逆氣流熱脫附熱氧化修復(fù)高濃度多環(huán)芳烴污染土壤的方法，包括制備有壓氧氣，并對(duì)有壓氧氣進(jìn)行升溫；取污染土壤并預(yù)處理，然后將升溫后的有壓氧氣從底部向上通過(guò)污染土壤，使得污染土壤與有壓氧氣逆流接觸，形成含有氣態(tài)有機(jī)物的熱氧氣；將含有氣態(tài)有機(jī)物的熱氧氣減壓后燃燒，徹底燃燒氧化殘余的有機(jī)物，形成含顆粒物的廢氣；將含顆粒物的廢氣降溫、凈化，最后排放，得到凈化土壤；將凈化土壤冷卻后回填場(chǎng)地，完成修復(fù)。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于工藝與裝置相對(duì)不復(fù)雜，設(shè)備費(fèi)用合理；處理能力強(qiáng)；有機(jī)污染物的理論去除率高；土壤

利用1組并列的IGBT作為驅(qū)動(dòng)原件，利用多個(gè)電磁繼電器進(jìn)行換向。由于只使用1組并列的IGBT,克服以往4組IGBT組合的換向缺點(diǎn)。

成果簡(jiǎn)介：本發(fā)明涉及一種季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂層材料。通 過(guò)可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移自由基或大分子引發(fā)劑自由基聚合的方法，制備聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羥乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷進(jìn)行季銨化反應(yīng)，制得季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。該方法的優(yōu)點(diǎn)是 反應(yīng)操作簡(jiǎn)便，反應(yīng)條件溫和，反應(yīng)過(guò)程具有較好的可控性。制備的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。這種多嵌段共聚物可以廣泛應(yīng)用于抗菌涂層材 料。 成果水平： 國(guó)內(nèi)領(lǐng)先 應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于織物、室內(nèi)裝飾、建筑物的內(nèi)、外墻、頂棚或地面、以及 家具表面。 市場(chǎng)分析及前景：微生物廣泛存在于自然界，通常細(xì)菌適宜繁殖生長(zhǎng)的自然條件 為溫度 23℃～38℃，相對(duì)濕度為 85%～100%，因此在溫濕地區(qū)的建筑物內(nèi)外墻 面，以及家具表面等適合細(xì)菌生長(zhǎng)的表面，它們繁衍迅速．并由此生出各種酶、 酸和毒素的代謝產(chǎn)物，從而影響物品的外觀與質(zhì)量，污染環(huán)境，危害動(dòng)植物的生 長(zhǎng)和人類(lèi)的健康，我國(guó)南方地區(qū)多雨潮濕，很容易滋生細(xì)菌，抗菌涂料具有筑裝 飾和防霉作用的雙重效果，具有廣闊的應(yīng)用前景。目前抗菌涂料的研發(fā)處于初始 階段，具有良好的發(fā)展前景。 主要技術(shù)指標(biāo)：抗菌性能： 測(cè)試方法：瓊脂平板法。 測(cè)試結(jié)果：在 37℃下，對(duì)大腸桿菌、枯草桿菌等進(jìn)行 24 小時(shí)培養(yǎng)，具有顯著的 抗菌效果。 合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓?zhuān)?00 萬(wàn)元。

伴隨著我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時(shí)，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過(guò)程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)單一，熔體流動(dòng)性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開(kāi)發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。 本項(xiàng)目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實(shí)現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過(guò)程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，保護(hù)環(huán)境。

關(guān)鍵工序生產(chǎn)的自動(dòng)化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制可對(duì)粉碎車(chē)間雷蒙磨振動(dòng)下料、粉碎、氣流粗分工況進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、自動(dòng)優(yōu)化控制的自動(dòng)監(jiān)控系統(tǒng)。將雷蒙磨因堵塞停機(jī)造成的故障次數(shù)比現(xiàn)階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級(jí)自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制氣流分級(jí)機(jī)用自動(dòng)控制系統(tǒng)，具備以下功能：可根據(jù)分級(jí)輪主機(jī)負(fù)載實(shí)時(shí)自動(dòng)調(diào)節(jié)喂料速度、根據(jù)所設(shè)定的風(fēng)壓值自動(dòng)調(diào)整變頻器運(yùn)行、根據(jù)生產(chǎn)工藝要求自動(dòng)向企業(yè)綜合信息平臺(tái)實(shí)時(shí)發(fā)送生產(chǎn)工況參數(shù)。    ③ 提純工序?qū)崟r(shí)檢測(cè)與信息管理系統(tǒng)的研發(fā)   開(kāi)發(fā)可對(duì)提純缸、脫水機(jī)、烘干爐等主要設(shè)備工況進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控的智能化監(jiān)控儀設(shè)備。    ④ 水力分級(jí)自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研發(fā)水力分級(jí)設(shè)備用自動(dòng)控制系統(tǒng)，可根據(jù)工藝曲線要求自動(dòng)控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規(guī)的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達(dá)到0.3%；研制出料自動(dòng)切換裝置，實(shí)現(xiàn)出料無(wú)人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動(dòng)測(cè)控裝置的研發(fā)   研制SiC冶煉爐在線自動(dòng)測(cè)控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動(dòng)進(jìn)行恒功率綜合優(yōu)化控制，爐溫控制精度達(dá)到2.5級(jí)。成果已在工廠正常運(yùn)行3年。獲得4項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)，5項(xiàng)軟件著作權(quán)授權(quán) 雷蒙磨粉碎自動(dòng)檢測(cè)方法及裝置                   專(zhuān)利號(hào)：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級(jí)效率的精密控制方法 專(zhuān)利號(hào)：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監(jiān)測(cè)方法                      專(zhuān)利號(hào)：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區(qū)域溫度動(dòng)態(tài)控制方法  專(zhuān)利號(hào)：ZL201210356239.3 一種經(jīng)濟(jì)型燃煤鍋爐能效監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及方法           專(zhuān)利號(hào)：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發(fā)電機(jī)組智能測(cè)速裝置 專(zhuān)利號(hào)：ZL201110058228.2一種手機(jī)可遙控的總線型區(qū)域供熱計(jì)量管理系統(tǒng) 專(zhuān)利號(hào)：ZL201010134495.9

擁有人工微結(jié)構(gòu)科學(xué)與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心、固體微結(jié)構(gòu)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體節(jié)能器件及材料國(guó)家地方聯(lián)合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等科研平臺(tái)，在硅基納米結(jié)構(gòu)材料與性能調(diào)控，硅基光子學(xué)器件和新型能源器件等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域具有很強(qiáng)的影響力。近年來(lái)，在硅基太陽(yáng)能電池片研發(fā)及其新型結(jié)構(gòu)材料在電池片上應(yīng)用等方面開(kāi)展了全方位的研究，承擔(dān)完成了國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃課題和國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等相關(guān)課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點(diǎn)電池結(jié)構(gòu)，利用漸變帶隙進(jìn)一步拓寬電池的響應(yīng)光譜范圍，發(fā)展了包

實(shí)現(xiàn)多晶硅生產(chǎn)冷氫化工藝過(guò)程工程化的關(guān)鍵加熱系統(tǒng)裝置；降低成本40%，減少能耗2/3。8000小時(shí)以上無(wú)故障穩(wěn)定運(yùn)行加熱合成反應(yīng)器關(guān)鍵技術(shù)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種硅太陽(yáng)能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應(yīng)一段時(shí)間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發(fā)明通過(guò)引入瓜爾豆膠為反應(yīng)離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學(xué)還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長(zhǎng)的隧穿氧化 層、電荷存儲(chǔ)層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲(chǔ)層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢(shì)壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC