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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

"該項(xiàng)目針對(duì)大型基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與災(zāi)害預(yù)警的迫切需求，歷時(shí)10余年科技攻關(guān)，突破了多項(xiàng)重要理論與核心關(guān)鍵技術(shù)。提出了基于雙重約束的光纖光柵非均勻應(yīng)變傳感理論，形成了復(fù)合材料光纖內(nèi)植工藝與光纖金屬化封裝新工藝，攻克了傳感精度低、成活率低與耐久性差三大難題；在國(guó)內(nèi)外首次突破了大型基礎(chǔ)設(shè)施裂隙水流速監(jiān)測(cè)難題，破解了大型基礎(chǔ)設(shè)施多場(chǎng)耦合監(jiān)測(cè)技術(shù)障礙，發(fā)明了系列專用光纖光柵傳感器；組建了超大容量光纖光柵傳感網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)建了大型基礎(chǔ)設(shè)施安全監(jiān)測(cè)多元信息一體化綜合感知系統(tǒng)；提出了基于離散應(yīng)變反演遞推的形態(tài)傳感方法建立了基于多場(chǎng)信息的災(zāi)變判據(jù)，解決了大型基礎(chǔ)設(shè)施災(zāi)害綜合預(yù)警的重大難題。形成了從“傳感理論—封裝工藝—傳感結(jié)構(gòu)—傳感器—采集系統(tǒng)—預(yù)警方法”成套技術(shù)體系。成果獲得2018年度國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、2018年度山東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)項(xiàng)，納入行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)，獲國(guó)家發(fā)明專利29項(xiàng)，實(shí)用新型專利34項(xiàng)，軟件著作權(quán)15項(xiàng)，發(fā)表SCI論文52篇，EI論文62篇，產(chǎn)品出口英國(guó)、德國(guó)、新加坡、馬來(lái)西亞等國(guó)家，同時(shí)產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益及社會(huì)效益，對(duì)大型基礎(chǔ)設(shè)施安全監(jiān)測(cè)與災(zāi)害預(yù)警行業(yè)發(fā)展具有重要的推動(dòng)作用。本項(xiàng)目成果主要

噬菌體由和 Twort 在 1907 年和 D，Herelle 在 1909 年發(fā)現(xiàn)。凡存 在細(xì)菌的場(chǎng)所就可能有相應(yīng)的噬菌體存活。20 世紀(jì)初，由于抗生素 的發(fā)現(xiàn)及臨床應(yīng)用為治療細(xì)菌感染提供了有效途徑，以至于對(duì)噬菌體 生物制劑的研究放緩了步伐。但隨著多重耐藥致病菌威脅的不斷加 大，人們需要尋找抗生素以外的療法治療感染性問(wèn)題。因此，噬菌體 療法又引起人們廣泛關(guān)注。 噬菌體是感染細(xì)菌、真菌、放線菌或螺旋體等微生物的病毒的

本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的

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2022年3月，植物免疫團(tuán)隊(duì)康振生/張新梅組在小麥與條銹菌互作方面取得新進(jìn)展，研究揭示了小麥感病基因負(fù)調(diào)控小麥抗條銹病的新機(jī)制。研究成果以“TaBln1negativelyregulateswheatresistancetostriperustbyreducingCa2+influx”為題在《PlantPhysiology》在線發(fā)表。植保學(xué)院2021級(jí)博士研究生郭雙元為第一作者，生命學(xué)院張新梅副教授為通訊作者。

為解決腸易激綜合征治療中存在的副作用大、增加腸道負(fù)擔(dān)的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于中藥的治療脾虛型腸易激綜合征的使用隔藥灸臍療法進(jìn)行治療的中藥組合物。本發(fā)明的有益效果：有效治療腸易激綜合征，且用藥都為中藥，無(wú)毒副作用；具有顯效快、療效確切、無(wú)痛苦的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質(zhì)中摻雜鐵磁性元素構(gòu)成，材料的磁性能夠通過(guò)非晶態(tài)-晶態(tài) 相變來(lái)可逆調(diào)控。本發(fā)明基于材料的相變控磁特性實(shí)現(xiàn)“實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵” 邏輯運(yùn)算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運(yùn) 算，其運(yùn)算結(jié)果以材料的剩余磁化存儲(chǔ)在器件中，從而實(shí)現(xiàn)

發(fā)育過(guò)程中細(xì)胞生長(zhǎng)和增殖依賴于蛋白質(zhì)的大量合成，在這一高強(qiáng)度的加工過(guò)程中難免產(chǎn)生一定數(shù)量的“殘次品”，即由于蛋白質(zhì)翻譯過(guò)程中的隨機(jī)誤差、折疊失敗等原因造成的錯(cuò)誤折疊蛋白。

本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個(gè)依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個(gè)柵電 極單元為柱狀結(jié)構(gòu)，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側(cè)壁構(gòu) 成；所述連通電極的上表面用于連接?xùn)艑樱卤砻嬗糜谶B接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接?xùn)艑拥碾姌O結(jié)構(gòu)。此電 極結(jié)構(gòu)呈階梯狀連接不同堆疊層且相對(duì)應(yīng)的柵層，對(duì)疊層中非相對(duì)應(yīng) 的柵層與柵電極之間通過(guò)絕緣層隔離