新型高速低功耗鐵電存儲器
我國每年將進口200多億美元的存儲器芯片,而大的技術帶動力發(fā)揮著關鍵作用,其產(chǎn)業(yè)中心的不斷轉移也深地出響了世界范圍內(nèi)的產(chǎn)業(yè)格局,存儲器產(chǎn)業(yè)工藝技術先進,產(chǎn)品量大,替代性強,美歐日韓等集成電路強國無不是從半導體存儲器產(chǎn)業(yè)切入并逐漸發(fā)展壯大的。建立完全自主的存儲器產(chǎn)業(yè)可以推動我國整個半導體工業(yè)的完善和優(yōu)化,并我國巨大的產(chǎn)品需求,就可以形成包括市場在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)體系。相比于其他新型存儲器,鐵電存儲器更輕易實現(xiàn)深亞微米設計,與CMOS工藝的匹配性更出色,在設計上相對FDRAM變動最小,因而產(chǎn)業(yè)化成熟度最高,美國Cypress.TI公司和日本Fujtsu.Rohm公司等已有4K~8Mbit系列產(chǎn)品,正逐步占領全球消費類電子、新能源汽車等領域數(shù)百億美元的市場份額,進軍物聯(lián)網(wǎng)、云計算等新興領域鐵電存儲器具有非易失(即掉電后數(shù)據(jù)不丟失)、超低功耗高速讀寫、高可靠、長壽命和抗輻照等優(yōu)點,被稱為“終極存儲器”。從全球存儲器技術發(fā)展來看,鐵電存儲器作為新代存儲器,能夠在快速高耐久寫入、超低功耗以及高可靠性的應用領域全面替代傳統(tǒng)的NVRAM。
電子科技大學
2021-04-10