超寬光譜微弱光探測及成像芯片研制
受到技術出口限制等原因,目前,我國的紅外探測技術無論是在技術水平、產品性能、靈敏度、應用范圍等方面還具有很大的局限。本項目采用新穎量子點納米材料,制備新型結構高靈敏度光電探測器,以窄帶隙IV-VI族半導體納米材料為光敏感層,研發紅外上轉換光子探測器,實現對微弱入射光(特別是紅外光)進行探測及成像的芯片設計,并用于其他安監和夜視應用研究。實現從紫外到中波紅外(20µm)的一體化、超寬譜段的微弱光探測與成像。完成超寬光譜微弱光探測及成像芯片制備,實現紅外領域高精尖技術的自主可控及大面積的推廣應用,真正實現紅外“中國芯”,意義重大、市場廣泛。
北京理工大學
2023-05-09