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1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域： 本設(shè)備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業(yè)對(duì)導(dǎo)電金球在COG綁定后的在線質(zhì)量全檢需求，即對(duì)導(dǎo)電金球的深淺、個(gè)數(shù)和偏位進(jìn)行準(zhǔn)確高效的自動(dòng)檢測(cè)，以滿足液晶行業(yè)日益上升的金球質(zhì)檢標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)能要求。金球內(nèi)核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當(dāng)LCD和驅(qū)動(dòng)芯片之間的導(dǎo)電通道，如金球壓合不好會(huì)造成導(dǎo)電不良，使得液晶屏發(fā)生批量缺線等故障。 2、特色及先進(jìn)性： 1）金球深淺判斷。導(dǎo)電金球的壓合輕重程度沒有量化指標(biāo)，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數(shù)，以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化，對(duì)應(yīng)無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2）偏位測(cè)量情況多樣。當(dāng)BUMP比金手指尺寸大的時(shí)候，完全對(duì)準(zhǔn)的情況下看不到金手指，和剛好錯(cuò)開一個(gè)金手指的情況一樣。需保證調(diào)機(jī)良好情況下的3微米精度，對(duì)于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3）檢查標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置繁多。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)智能分組的工具，在采集了所有視場(chǎng)的圖像后，將建標(biāo)的時(shí)候識(shí)別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過點(diǎn)擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡(jiǎn)化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統(tǒng)的檢測(cè)流程需要根據(jù)被測(cè)屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定，若屏幕在自動(dòng)對(duì)邊后相同特征不同片子產(chǎn)生的位置差異遠(yuǎn)大于線寬線距，則需要添加自動(dòng)尋找定位點(diǎn)，然后將其作為位置起點(diǎn)再進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)。 8、 技術(shù)指標(biāo)：金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數(shù)：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時(shí)間：2秒 ；計(jì)算時(shí)間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個(gè)；單個(gè)引腳金球個(gè)數(shù)：10~50個(gè)；整機(jī)檢測(cè)效率：一代機(jī)5 s，二代機(jī)3.5 s 4、關(guān)鍵問題和實(shí)施效果 目前傳統(tǒng)液晶屏和觸摸屏生產(chǎn)線上，對(duì)于ACF熱壓后的金球壓合質(zhì)量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進(jìn)行人工檢測(cè)，8-10片抽檢一片。該設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的全檢，一臺(tái)設(shè)備相當(dāng)于8-10個(gè)人，對(duì)于提高產(chǎn)能提升產(chǎn)品質(zhì)量具有非常重大的意義。該設(shè)備采用線陣相機(jī)配合精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)0.7微米分辨率的圖像采集，其光學(xué)采集部分如下圖所示。

本設(shè)備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業(yè)對(duì)導(dǎo)電金球在COG綁定后的在線質(zhì)量全檢需求，即對(duì)導(dǎo)電金球的深淺、個(gè)數(shù)和偏位進(jìn)行準(zhǔn)確高效的自動(dòng)檢測(cè)，以滿足液晶行業(yè)日益上升的金球質(zhì)檢標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)能要求。金球內(nèi)核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當(dāng)LCD和驅(qū)動(dòng)芯片之間的導(dǎo)電通道，如金球壓合不好會(huì)造成導(dǎo)電不良，使得液晶屏發(fā)生批量缺線等故障。

成果簡(jiǎn)介： 1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域： 本設(shè)備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業(yè)對(duì)導(dǎo)電金球在COG綁定后的在線質(zhì)量全檢需求，即對(duì)導(dǎo)電金球的深淺、個(gè)數(shù)和偏位進(jìn)行準(zhǔn)確高效的自動(dòng)檢測(cè)，以滿足液晶行業(yè)日益上升的金球質(zhì)檢標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)能要求。金球內(nèi)核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當(dāng)LCD和驅(qū)動(dòng)芯片之間的導(dǎo)電通道，如金球壓合不好會(huì)造成導(dǎo)電不良，使得液晶屏發(fā)生批量缺線等故障。 2、特色及先進(jìn)性： 1）金球深淺判斷。導(dǎo)電金球的壓合輕重程度沒有量化指標(biāo)，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數(shù)，以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化，對(duì)應(yīng)無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2）偏位測(cè)量情況多樣。當(dāng)BUMP比金手指尺寸大的時(shí)候，完全對(duì)準(zhǔn)的情況下看不到金手指，和剛好錯(cuò)開一個(gè)金手指的情況一樣。需保證調(diào)機(jī)良好情況下的3微米精度，對(duì)于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3）檢查標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置繁多。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)智能分組的工具，在采集了所有視場(chǎng)的圖像后，將建標(biāo)的時(shí)候識(shí)別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過點(diǎn)擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡(jiǎn)化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統(tǒng)的檢測(cè)流程需要根據(jù)被測(cè)屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定，若屏幕在自動(dòng)對(duì)邊后相同特征不同片子產(chǎn)生的位置差異遠(yuǎn)大于線寬線距，則需要添加自動(dòng)尋找定位點(diǎn)，然后將其作為位置起點(diǎn)再進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)。 3、技術(shù)指標(biāo)： 金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數(shù)：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時(shí)間：2秒 ；計(jì)算時(shí)間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個(gè)；單個(gè)引腳金球個(gè)數(shù)：10~50個(gè)；整機(jī)檢測(cè)效率：一代機(jī)5 s，二代機(jī)3.5 s 4、關(guān)鍵問題和實(shí)施效果： 目前傳統(tǒng)液晶屏和觸摸屏生產(chǎn)線上，對(duì)于ACF熱壓后的金球壓合質(zhì)量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進(jìn)行人工檢測(cè)，8-10片抽檢一片。該設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的全檢，一臺(tái)設(shè)備相當(dāng)于8-10個(gè)人，對(duì)于提高產(chǎn)能提升產(chǎn)品質(zhì)量具有非常重大的意義。該設(shè)備采用線陣相機(jī)配合精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)0.7微米分辨率的圖像采集，其光學(xué)采集部分如下圖所示。

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體復(fù)合材料的制備，旨在提供一種球狀微米二氧化錫負(fù)載微米、納米銀顆粒材料的制備方法。包括：將質(zhì)量NaOH溶液加入SnCl4·5H2O溶液中進(jìn)行水熱反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物離心分離，并以去離子水和乙醇洗滌，烘干，即得到球狀微米二氧化錫；將球狀微米二氧化錫加入至AgNO3水溶液中，以銀材質(zhì)的陰極和陽極插入至混合物中進(jìn)行電鍍；電鍍時(shí)，傾斜電鍍?nèi)萜鞑⑹蛊溲刂行妮S旋轉(zhuǎn)，讓混合物保持?jǐn)噭?dòng)狀態(tài)；混合物抽濾棄濾液，抽濾產(chǎn)物烘干，即得到最終產(chǎn)物。本發(fā)明采用電鍍技術(shù)提高球狀微米二氧化錫的功能性質(zhì)并且擴(kuò)大其應(yīng)用范圍；該復(fù)合材料中，微米、納米銀顆粒均勻地負(fù)載于球狀微米二氧化錫上，銀顆粒的粒徑可控，分散度高，能夠節(jié)約材料，可應(yīng)用于電接觸材料領(lǐng)域。

目前，導(dǎo)電樹脂是一種有著較大應(yīng)用前景的功能化復(fù)合材料，既可以 用作防靜電、電磁屏蔽等功能化涂料，也可以作為導(dǎo)電粘結(jié)材料(導(dǎo) 電膠)用在微電子封裝領(lǐng)域。其包括兩個(gè)主要成分:一是作為基體的 樹脂;二是提供導(dǎo)電功能的填充材料。導(dǎo)電填料常見的是適用于不同 用途的炭粉和金屬粉末材料，性能較佳的導(dǎo)電樹脂通常為填充銀粉的 高分子樹脂，該類產(chǎn)品市場(chǎng)上已有多種產(chǎn)品出售，如 Alfa Aesar 公司 的銀導(dǎo)電樹脂產(chǎn)品、上海合成樹脂研究所的 DAD 系列產(chǎn)品等。然而， 填充顆粒狀

本項(xiàng)目采用元素粉末法制備高性能的亞微米陶瓷顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料，突破了亞微米顆粒在基體中的分散和鋁基復(fù)合材料的二次加工困難瓶頸難題，制備的亞微米陶瓷顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料具有高的比強(qiáng)度、比剛度、熱穩(wěn)定性，較低的熱膨脹系數(shù)，優(yōu)良的導(dǎo)熱、耐磨、耐腐蝕性等特點(diǎn)，機(jī)加工表面光潔度高。亞微米陶瓷顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的成功制備，在金屬基復(fù)合材料實(shí)際應(yīng)用方面取得了突破性的進(jìn)展。 亞微米陶瓷顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料是一種極具潛力的工程材料，其在航空航天領(lǐng)域、汽車裝甲、電子封裝、高輕化自行車等方面取得了大量應(yīng)用。其中以碳化硼為增強(qiáng)體的B4C/Al復(fù)合材料耐磨性很高，在制造噴砂嘴、電觸點(diǎn)、摩擦和耐摩擦材料時(shí)得到了廣泛的應(yīng)用，并且在機(jī)器和設(shè)備端部密封件上，碳化硼為基體的B4C/Al復(fù)合材料也有出色表現(xiàn)。此外，碳化硼具有良好的耐酸堿腐蝕性能，在有氣體腐蝕條件下工作時(shí)，效果極佳，用亞微米B4C制備的B4C/Al復(fù)合材料制備的噴砂嘴和噴丸機(jī)噴嘴在標(biāo)準(zhǔn)條件下顯示出的高強(qiáng)度，為鎢硬質(zhì)合金強(qiáng)度的5～11倍。先后設(shè)計(jì)和開發(fā)了高尺寸穩(wěn)定性高導(dǎo)熱易加工電子封裝復(fù)合材料制品，如印刷電路板板芯、軍用功率混合電路、微波管的載體、多芯片組件等。亞微米SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料具有高耐磨性、良好的耐高溫性和抗咬合性能等特點(diǎn)，在高速列車剎車盤，制動(dòng)盤、發(fā)動(dòng)機(jī)活塞和齒輪箱等以及現(xiàn)已用于越野自行車上的車鏈齒輪具有廣闊的應(yīng)用前景。從前瞻性、戰(zhàn)略性、經(jīng)濟(jì)性和基礎(chǔ)性這幾個(gè)角度來考慮，亞微米陶瓷顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料制備技術(shù)的發(fā)展符合具有高性能價(jià)格比，有待迅速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的要求趨勢(shì)。本項(xiàng)目圍繞航空航天用大尺寸關(guān)鍵承力結(jié)構(gòu)件、光機(jī)結(jié)構(gòu)件與精密儀表零件、電子封裝器件、核能領(lǐng)域屏蔽材料等應(yīng)用背景，部分研究成果已達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。先后設(shè)計(jì)和開發(fā)了高尺寸穩(wěn)定性高導(dǎo)熱易加工電子封裝復(fù)合材料制品；制備的亞微米碳化硼增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料被應(yīng)用于制造核廢料處理容器；應(yīng)用于高速列車剎車盤，制動(dòng)盤、發(fā)動(dòng)機(jī)活塞和齒輪箱等。

本發(fā)明公開了一種納米/微米金膜及其制備方法。所述納米/微米金膜，包括基質(zhì)和納米/微米金層，所述納米/微米金屬層由金屬納米顆粒沉積而成，所述基質(zhì)表面具有氨基，所述金屬納米顆粒與所述基質(zhì)表面氨基形成強(qiáng)相互作用。所述制備方法包括以下步驟：(1)將基質(zhì)表面進(jìn)行氧等離子處理或紫外光照射；(2)將表面活化的基質(zhì)，浸入 3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液中；(3)取氯金酸和強(qiáng)堿的碳酸氫鹽的混合溶液與葡萄糖溶液均勻混合，并涂布于表面氨基化的基質(zhì)上，避光反應(yīng)得到所述納米/微米金屬膜。本發(fā)明提供納米/微米金膜，基質(zhì)種類多，能滿

本發(fā)明公開了一種氮化硅微米管的制備方法，該方法將去除保 護(hù)層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300～600℃的溫度區(qū)間內(nèi) 熱解，使光纖表面形成均勻厚度的碳膜；再將光纖在氮?dú)鈼l件下以 1100～1600℃的溫度區(qū)間高溫加熱，使碳膜與光纖表面的二氧化硅產(chǎn) 生反應(yīng)生成硅，然后硅與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉，形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進(jìn)行混合，使氮化硅微米管增強(qiáng)導(dǎo)電性，然后在其中 加入熱熔型粘結(jié)劑形成混合物，再均勻涂在洗凈的銅箔表面，可得到 氮化

本發(fā)明公開了一種片狀微米級(jí)鎳粉的制備方法，用本發(fā)明的方法制備的片狀微米級(jí)鎳粉具有較大的徑厚比，較高的接觸表面積，良好的導(dǎo)電性能和導(dǎo)磁性能，能滿足電子屏蔽材料、磁存儲(chǔ)以及多功能導(dǎo)電涂料等應(yīng)用的特殊要求。本發(fā)明通過下述技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：取鎳含量大于99%，顆粒的粒徑分布在2-10微米的鎳粉原料100份，按成分質(zhì)量比，棒磨介質(zhì)的硬脂酸0.05-1份，乙醇10-70份，鎳粉原料與棒磨介質(zhì)混合后放入柱型棒磨機(jī)內(nèi)棒磨，棒磨過程中控制溫度在2-20℃，棒磨時(shí)間在2-5小時(shí)，取出物料后在室溫下采用真空干燥后即得片狀微米級(jí)鎳粉。

可以量產(chǎn)/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優(yōu)勢(shì)。除了具 有高質(zhì)量，低成本的襯底材料，InP基激光器因其兼容傳統(tǒng)通訊用激光器的成熟工 藝，且易與其它器件實(shí)現(xiàn)集成等優(yōu)勢(shì)而具有更好的工業(yè)應(yīng)用前景。我們擁有采用 MOCVD制備大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半導(dǎo)體激光器工藝制作以及 器件測(cè)試封裝的全套技術(shù)。我們制備的激光器外延芯片波長(zhǎng)可精確調(diào)控，其面內(nèi)波 長(zhǎng)不均勻性低至±3nm，相應(yīng)的激光器件性能指達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 目前市場(chǎng)對(duì)2微米激光器的應(yīng)用需求主要