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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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脈沖紅外熱波無損檢測設(shè)備
脈沖紅外熱波（熱像）無損檢測設(shè)備以閃光燈為熱激勵源，以紅外熱成像方式檢測物體的內(nèi)部缺陷，具有單次檢測面積大、速度快、非接觸、可單面檢測、不必拆下總裝后的部件、可在外場使用等優(yōu)點。是一種適合于大型復(fù)合材料和金屬板殼結(jié)構(gòu)內(nèi)部缺陷檢測的可視化、數(shù)字化、定量化的檢測設(shè)備。主要檢測對象有：航空航天復(fù)合材料結(jié)構(gòu)的內(nèi)部分層、脫粘、異物和撞擊缺陷；蜂窩結(jié)構(gòu)和夾層結(jié)構(gòu)的內(nèi)部分層、脫粘、積水；各類多層膠接結(jié)構(gòu)的脫膠；鋁蒙皮和金屬板背面的腐蝕；熱障涂層的內(nèi)部脫粘、厚度不均；固體發(fā)動機絕熱層和包覆層脫粘；壁畫空鼓，等等。該設(shè)備是自行研制的設(shè)備，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。 技術(shù)指標：1. 脈沖能量：3000～6000J；2. 圖像分辨率：320*240；3. 檢測時間：10～20s；4. 單次檢測面積：300mm*200mm以上。
北京航空航天大學(xué)
2021-04-13
調(diào)制紅外熱波無損檢測設(shè)備
調(diào)制紅外熱波（熱像）無損檢測設(shè)備以頻率可調(diào)的余弦波(Look-in法)或階躍函數(shù)方式對檢測對象進行連續(xù)光熱激勵，以紅外熱像的相位信息檢測物體的內(nèi)部缺陷，具有單次檢測面積大、非接觸、可單面檢測、不必拆下總裝后的部件、可在外場使用等優(yōu)點。是一種適合于大型復(fù)合材料和多層膠接結(jié)構(gòu)內(nèi)部缺陷檢測的可視化檢測設(shè)備。與脈沖熱像法相比檢測設(shè)備簡單、檢測深度更深，但檢測時間較長。主要檢測對象有：航空航天復(fù)合材料結(jié)構(gòu)的內(nèi)部分層、脫粘；蜂窩結(jié)構(gòu)和夾層結(jié)構(gòu)的內(nèi)部分層、脫粘、積水；各類多層膠接結(jié)構(gòu)的脫粘；固體發(fā)動機絕熱層和包覆層脫粘；壁畫空鼓，等等。該設(shè)備是自行研制的設(shè)備，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。 技術(shù)指標：1. 加熱功率：1000～4000W；2. 圖像分辨率：320*240；3. 檢測時間：20-300s；單次檢測面積：300mm*200mm以上。
北京航空航天大學(xué)
2021-04-13
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太赫茲液晶材料與波片
本發(fā)明提供一種在太赫茲頻段具有大雙折射的液晶淚晶材料，該液晶材料具有目前THz 頻段內(nèi)最大的雙折射率，兼具寬溫液晶相(-15~1500 C) 和低粘度的特點，能夠?qū)崿F(xiàn)低工作電壓、快速響應(yīng)、緊湊型THz 調(diào)制器件的制備。
南京大學(xué)
2021-04-14
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功率MOS器件設(shè)計和制備技術(shù)
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
全固態(tài)太赫茲前端關(guān)鍵器件
針對太赫茲高分辨雷達和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達到國際先進，為我國太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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微電子器件高效冷卻技術(shù)
小試階段/n通過發(fā)展被動式和主動式冷卻技術(shù)能實現(xiàn)典型移動裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風(fēng)壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動式技術(shù)，半導(dǎo)體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動式冷卻技術(shù),獲省自然科學(xué)一等獎。成果市場前景：有散熱需求，就有應(yīng)用前景。
武漢大學(xué)
2021-01-12
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電子器件的高效散熱技術(shù)
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術(shù)發(fā)展的主要障礙之一。本項目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發(fā)了高效沸騰換熱微結(jié)構(gòu)面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達150W/cm2以上。沸騰強化換熱技術(shù)往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導(dǎo)致性能惡化而無法應(yīng)用。近期在微重力條件的實驗表明該技術(shù)即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細現(xiàn)象進行強化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術(shù)可應(yīng)用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
節(jié)水灌溉器件的快速開發(fā)技術(shù)
滴灌是節(jié)水效率最高并能實現(xiàn)水肥自動灌溉的精準農(nóng)業(yè)灌溉技術(shù)，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應(yīng)用。滴灌系統(tǒng)的灌水器在使用時容易發(fā)生堵塞一直是國際上的難題。本技術(shù)針對這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動特性的抗堵設(shè)計和一體化開發(fā)方法，開發(fā)了具有自主版權(quán)的專用設(shè)計軟件。應(yīng)用該軟件與快速成形技術(shù)開發(fā)出系列化的新型灌水器，使開發(fā)周期顯著縮短，單循環(huán)開發(fā)時間由原來的3～5個月縮短到3～5天，而開發(fā)成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關(guān)研究成果獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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新型存儲器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲器領(lǐng)域國際發(fā)展前沿和國家重大需求，長期緊密合作，系統(tǒng)深入研究了新型存儲器機理、器件材料與結(jié)構(gòu)體系、性能調(diào)控規(guī)律、可靠性表征和集成技術(shù)。取得了局域氧化還原主導(dǎo)的阻變模型、阻變存儲器三維集成、電荷俘獲存儲器材料和結(jié)構(gòu)體系優(yōu)化及可靠性表征等系列原創(chuàng)性科技成果，獲得了國內(nèi)外同行的廣泛引用和高度評價。獲得了具有自主產(chǎn)權(quán)的新型存儲器件及集成解決方案，主要發(fā)明專利和技術(shù)研究成果轉(zhuǎn)移到國內(nèi)知名集成電路制造企業(yè)。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12