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本發明公開了一種 MTJ 納米柱陣列的制備方法，包括 S1 在基 底上表面制備電子束光刻對準所需要的定標符；S2 根據定標符在基底 上表面制備底電極層，底電極層包括多條平行的底電極線；S3 在附著 有底電極層的基底上表面涂覆一層 HSQ，通過電子束曝光對 HSQ 層 進行圖形化，在每一條底電極線上形成多個絕緣單元；每一個絕緣單 元的中間具有一個孔；S4 依次通過光刻、濺射和剝離工藝在絕緣單元 的孔內形成磁性多層膜層；

本發明公開了一種公園排球專用網柱，包括底座、設于底座上的支柱以及在支柱上設置的彈性球網，所述支柱上設有一包括升降滑塊在內的可控制整個彈性球網沿支柱長度方向上下移動的升降系統，在支柱上還設置有一用于調節彈性球網縱向尺寸的高度調節機構，所述高度調節機構包括沿升降滑塊軸向方向開設的滑軌，在升降滑塊兩端設置有與滑軌滑動配合連接的可彼此靠近或遠離的活動滑臺，所述升降滑塊上設有用于調節兩活動滑臺的旋轉把手及固定旋轉把手的定位鎖銷，彈性球網與兩活動滑臺固定連接。本發明不但可以在作為公園排球網柱的同時兼做羽毛球網柱，而且還可以作為普通的排球運動的網柱。

產品詳細介紹Inertsil CN-3:Inertsil CN-3是在高純度球狀硅膠上鍵合了氰丙基的色譜柱，基于氰基三鍵的π電子作用以及氮的孤對電子作用力，對極性化合物有獨特的選擇性，適合應用于正相分離。當用于反相系統時，其選擇性與C8和C18不同。在藥學領域和復雜混合物的分離中應用廣泛。Inertsil CN-3一般保存在正己烷/乙醇溶液中，當作為反相色譜柱使用時，務必用能與兩種流動相互溶的溶劑，如異丙醇進行過渡置換，再用流動相進行平衡。 --------------------------------------------------------------------------------色譜柱參數：※基體：3系列高純度硅膠※粒徑：3μm，5μm※微孔徑：100?※化學鍵合基團：氰丙基※端基封尾：無※含碳量：14%※USP號：L10 --------------------------------------------------------------------------------訂貨信息： 5μm 長度/內徑(mm) 2.1 3.0 4.0 4.6 33 5020-05311 5020-05321 5020-05331 5020-05341 50 5020-05312 5020-05322 5020-05332 5020-05342 75 5020-05313 5020-05323 5020-05333 5020-05343 100 5020-05314 5020-05324 5020-05334 5020-05344 150 5020-05315 5020-05325 5020-01942 5020-01940 250 5020-05316 5020-05326 5020-01943 5020-01941 【保護柱】 填料名 粒徑 長度(mm) 目標色譜柱的內徑(mm) 內徑(mm) 更換用小柱E（2根一組） 更換用小柱E套件（小柱E2根+小柱保護柱套） Cat.No. Cat.No Inertsil CN-3 3μm、5μm 10 1.0 1.0 5020-08517 5020-08527 1.5、2.1 1.5 5020-08518 5020-08528 2.1、3.0 3.0 5020-08515 5020-08525 4.0、4.6 4.0 5020-08510 5020-08520 20 2.1、3.0 3.0 5020-08565 5020-08575 4.0、4.6 4.0 5020-08560 5020-08570 --------------------------------------------------------------------------------

產品詳細介紹C18液相色譜柱使用的pH值通常為2-7.5，Wondasil C18-WR具有高表面覆蓋率和完全封尾的特點，采用獨特的內表面處理技術，提高了填料的穩定性，能夠適合pH 1-10寬范圍內的分析。由于最大限度的去除了殘存在硅膠表面的硅醇基，因此無論在強酸、強堿性化合物的分析中，還是在金屬配位性化合物的分析中都能夠很好的抑制樣品吸附。色譜柱參數：                            特征：                                                   基體： 3系列高純度球狀硅膠              ● 保留能力強，因此與母體成分的分離更容易。粒徑： 3um，5um                         ● 使用壓力低，給泵帶來的負擔更小，使用簡便。表面積：450 ㎡/g                        ● 高惰性，無論酸性化合物還是堿性化合物，都能得到尖銳的峰型。微孔徑：100A（10nm）                    ● 由于純度高，金屬配位性化合物也能分析。微孔容積：1.05mL/g                      ● 能夠安心使用的高品質保證。化學鍵合基團：十八烷基                  ● ｐH１０即使是強堿性溶離液下也能維持高性能。端基封尾：有                            ● 提供100%滿足度的ODS色譜柱碳含量：14.0%貨號 品名 規格 5020-39031 WondaSil C18-WR 4.6*150mm,5μm 5020-39032 WondaSil C18-WR 4.6*200mm,5μm 5020-39033 WondaSil C18-WR 4.6*250mm,5μm 5020-39034 WondaSil C18-WR 保護柱柱芯*2 4.6*10mm,5μm 5020-39035 柱套+柱芯*2 4.6*10mm,5μm 

射頻識別（Radio Frequency Identification-RFID）技術被公認是21世紀最有發展前途的信息技術之一，已廣泛應用于生產、零售、物流、交通、醫療、消費、旅游、國防等各個領域。超高頻（UHF）RFID技術憑借其無源遠距離多標簽快速識別的優勢，能廣泛應用于智能物流、智能交通、 物品質量追溯、公共安全管理、智慧城市等物聯網系統，顯著提高各行各業的管理效率，降低成本，具有最為廣闊的市場規模和發展潛力，已成為RFID及物聯網產業下一個爆發式增長點。 本團隊在2008年度廣東省重大科技專項的支持下，研究突破了低功耗低壓射頻/模擬/數字電路及SOC架構、高效率整流電路、多標簽防碰撞、高穩定時鐘電路等共性關鍵技術，掌握了基于CMOS工藝的高識別靈敏度的超高頻RFID標簽芯片設計、測試與驗證、質量可靠性保障等核心技術，已獲得授權發明專利7項、公開的發明專利申請8項，發表論文30多篇。自主設計開發出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產品技術指標。在此基礎上，自主設計開發出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態數監測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯網標簽芯片等樣品。 超高頻RFID標簽芯片主要技術指標： ？ 技術標準：ISO18000-6B/6C ？ 工作頻率：840-960MHz ？ 識別（讀取）靈敏度：-15dBm ？ 讀寫距離：讀8 米/寫5 米(與天線形式及當地無線電頻率規范相關) ？ 識別速率：>100次/秒 ？ 存儲容量：256、512、1000bits ？ 前向鏈路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向鏈路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作溫度：-40 —850C ？ 數據保存時間：10年 ？ 寫入次數：100000

傳統的體外生理信號監測如心電、腦電等基于濕電極在電極皮膚建立穩定且低阻抗的接觸,需要凝膠，不易佩戴且容易滋生細菌感染等。使用干電極是可穿戴和醫療健康芯片的必然趨勢。但目前的商業芯片在干電極下無法使用，存在諸多性能上的缺陷，諸如功耗、輸入阻抗、共模抑制比等方面均無法滿足要求。在對國內外相關技術的研究和綜述的基礎上，我們提出了提出一種基于干電極的信號采集芯片。經流片驗證，可以提供足夠的空間分辨率，功耗在μW級別。同時該技術采用了實驗室積累多年的低功耗集成電路設計技術。以下是兩款超低功耗干電極腦電與心電采集芯片及其應用場景。其中腦電芯片可以在耳道采集腦電信號，方便舒適，易于集成，其產業化已經在逐步推行。

1.本外觀設計產品的名稱：LED 芯片高速自動分選機。2.本外觀設計產品的用途：用于對 LED 芯片執行自動分選的裝置。3.本外觀設計的設計要點：分選機的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產品設計要點且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

自主設計開發出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產品技術指標。在此基礎上，自主設計開發出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態數監測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯網標簽芯片等樣品。

超高速模數轉換器是數據采集系統的核心,廣泛應用于寬帶通信、數據捕獲系統、軟件無線電、射頻消費類電子等領域,是國外長期禁運的核心電子元器件。