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強(qiáng)雌性，第一雌花著生節(jié)位為 2-3 節(jié)，早熟性好， 15 節(jié)內(nèi)有雌花 11 個(gè)，生長勢強(qiáng)，葉片大而厚，結(jié)果率近 100%， 從播種到采收 60 天左右，畝產(chǎn)量超過 7000kg，果實(shí)長度23 厘米，果把 4 厘米，果實(shí)表面為細(xì)刺、密刺，質(zhì)地脆嫩、香味濃；對白粉病抗性為中抗，對霜霉病和病毒病的抗性為抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時(shí)，養(yǎng)分供應(yīng)必須充分及時(shí)，否則，須適當(dāng)疏果。

側(cè)蔓較少，強(qiáng)雌性， 15 節(jié)內(nèi)雌花數(shù)達(dá)到 9 個(gè)，第一雌花節(jié)位 4 節(jié)，生長勢強(qiáng)，結(jié)果力強(qiáng)，從播種到采收 62 天左右，畝產(chǎn)量超過 7000kg，果實(shí)長度偏短， 23 厘米左右，果把長度 4.1 厘米，果實(shí)表面為粗刺瘤，皮肉均較厚， 香味濃；對白粉、霜霉和病毒病的抗性均達(dá)到抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時(shí)，養(yǎng)分供應(yīng)必須充分及時(shí)，否則，須適當(dāng)疏果。

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一、概述 TDL-5型低速臺式大容量離心機(jī)具有運(yùn)行平穩(wěn)、噪聲低、造型美觀、配有安全門鎖裝置，自動(dòng)調(diào)節(jié)平穩(wěn)，控制精度高等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于生物科學(xué)、農(nóng)業(yè)科學(xué)、醫(yī)藥學(xué)等科研單位。 本儀器可在環(huán)境溫度為5℃-40℃，相對濕度不超過80%，周圍無導(dǎo)電塵埃，爆炸性氣體和腐蝕性氣體的條件下安全地使用。 二、技術(shù)參數(shù) 最高轉(zhuǎn)速：4000r/min 最大相對離心力 2810g 容 量：100ml×4、50ml×8、15ml×32 定時(shí)范圍 0-99min 電源 220V 50Hz 外型尺寸 390×470×365 （L×W×H） 輸入功率 250VA 電機(jī)：無刷電機(jī)"

大司空云計(jì)價(jià)，主要用于編制建筑工程項(xiàng)目預(yù)算、招標(biāo)控制價(jià)、投標(biāo)報(bào)價(jià)、項(xiàng)目審計(jì)審核、竣工結(jié)算。大司空云計(jì)價(jià)軟件深得頂尖工程造價(jià)師的喜愛，是建筑行業(yè)不可缺少的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。 大司空云計(jì)價(jià)軟件可用于政府行政機(jī)關(guān)、行業(yè)主管部門、項(xiàng)目投資業(yè)主、設(shè)計(jì)、施工、建設(shè)、管理、審計(jì)、審核、財(cái)審、監(jiān)理、咨詢、學(xué)校等相關(guān)單位。

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本項(xiàng)目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進(jìn)性：為了實(shí)現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項(xiàng)目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計(jì)體系，為了使其同時(shí)具有良好的磁光和微波特性，本項(xiàng)目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計(jì)了材料配方，并選用無鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問題。研究內(nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計(jì)研究：基于四能級躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗(yàn)證研究，設(shè)計(jì)制備平面波導(dǎo)型磁光開關(guān)對材料磁光性能的驗(yàn)證。 技術(shù)指標(biāo)：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達(dá)到3英寸，單面薄膜厚度達(dá)到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進(jìn)行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計(jì)、制備和測試工作。 促進(jìn)科技進(jìn)步作用意義：本項(xiàng)目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。該項(xiàng)目研制的材料已提供給中電集團(tuán)41所、美國Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國工程物理研究院、深圳市通能達(dá)電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團(tuán)9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問題。

本研究利用氧氣對非骨架摻雜選擇性刻蝕的效應(yīng)，首次在Cu襯底上實(shí)現(xiàn)了石墨烯的完美骨架摻雜生長，氮摻雜后的石墨烯遷移率高達(dá)13000 cm2/Vs，比其他工藝制備的摻雜石墨烯要高出數(shù)個(gè)量級。同時(shí)，石墨烯的面電阻也降低到130 oh/sq，摻雜的穩(wěn)定性顯著提高。