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一種自適應(yīng)的無(wú)標(biāo)志點(diǎn)三維點(diǎn)云自動(dòng)拼接方法
本發(fā)明屬于三維測(cè)量領(lǐng)域中的點(diǎn)云數(shù)據(jù)拼接技術(shù)，具體為一種 自適應(yīng)的無(wú)標(biāo)志點(diǎn)三維點(diǎn)云自動(dòng)拼接方法，本發(fā)明包括幾何特征點(diǎn)的 查找，圖像特征點(diǎn)的查找，配準(zhǔn)算法選擇模型的建立，基于 RANSAC 的幾何特征點(diǎn)匹配，利用 RANSAC 排除誤匹配圖像特征點(diǎn)，利用 SVD 算法求解旋轉(zhuǎn)平移矩陣 RT，最后利用 RT 矩陣完成兩片點(diǎn)云拼接。該 方法因?yàn)槔梦矬w特征點(diǎn)來(lái)代替標(biāo)志點(diǎn)進(jìn)行拼接，可用于不能粘貼標(biāo) 記點(diǎn)的測(cè)量場(chǎng)合；同時(shí)依靠對(duì)應(yīng)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
連接界面具有梯度漸變結(jié)構(gòu)的同質(zhì)包套熱等靜壓成形方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種同質(zhì)包套熱等靜壓成形方法，該方法采用熱 等靜壓(HIP)/激光選區(qū)熔化(SLM)3D 打印復(fù)合工藝。本發(fā)明提出采用 SLM 成形出同質(zhì)包套來(lái)解決傳統(tǒng)方法成形復(fù)雜形狀異質(zhì)包套生產(chǎn)周期 長(zhǎng)、制造成本高、包套除去過(guò)程繁瑣、連接界面發(fā)生擴(kuò)散反應(yīng)污染制 件等問(wèn)題。同時(shí)將同質(zhì)包套內(nèi)側(cè)表面(在熱等靜壓中與粉末相接處的面) 設(shè)計(jì)成梯度多孔漸變結(jié)構(gòu)，使得熱等靜壓后連接界面處組織呈現(xiàn)出梯 度變化結(jié)構(gòu)，從而克服了因 SLM
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系 統(tǒng)。在進(jìn)行直流母線電壓相間平衡控制時(shí)，通過(guò)檢測(cè)各相直線母線電 壓與直流母線平均電壓之間的偏差，確定基波負(fù)序電流的給定量，是 一種雙閉環(huán)結(jié)構(gòu)，因此系統(tǒng)的魯棒性更高。與傳統(tǒng)的基于負(fù)序電壓注 入的方法相比，不會(huì)影響電流環(huán)的性能；與傳統(tǒng)的基于零序電壓注入 的方法相比，其相間平衡控制的能力更強(qiáng)。在進(jìn)行負(fù)載電流諧波檢測(cè) 時(shí)，在雙 dq 軸坐標(biāo)系下分別檢測(cè)基波正序分量和基波負(fù)序分量，因此 諧波檢測(cè)的精度更高。由于在負(fù)序 dq 軸坐標(biāo)系下檢測(cè)了基波負(fù)序電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種支持固態(tài)盤(pán)緩存動(dòng)態(tài)分配的混合存儲(chǔ)系統(tǒng)和方法
本發(fā)明提供了一種支持固態(tài)盤(pán)緩存動(dòng)態(tài)分配的混合存儲(chǔ)系統(tǒng)和 方法，該方法用固態(tài)盤(pán)和磁盤(pán)構(gòu)建混合存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中固態(tài)盤(pán)用作磁 盤(pán)的緩存，本發(fā)明方法實(shí)時(shí)監(jiān)控應(yīng)用的負(fù)載特征及固態(tài)盤(pán)緩存命中率， 并建立應(yīng)用的性能模型，從而根據(jù)應(yīng)用的性能需求和負(fù)載特征的變化 動(dòng)態(tài)地分配固態(tài)盤(pán)緩存空間。本發(fā)明提供的固態(tài)盤(pán)緩存管理方法可以 根據(jù)應(yīng)用的性能需求合理地分配固態(tài)盤(pán)緩存空間，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用級(jí)的緩存 區(qū)分服務(wù)，并通過(guò)將應(yīng)用的固態(tài)盤(pán)緩存空間進(jìn)一步劃分為讀
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種復(fù)合透明電極及包含此電極的有機(jī)太陽(yáng)能電池
本發(fā)明公開(kāi)了一種以超薄鋁膜修飾的 AZO 復(fù)合透明電極及以此 透明電極制備的有機(jī)太陽(yáng)能電池。在高真空下，采用薄膜沉積技術(shù)在 AZO 基底上沉積一層超薄鋁膜，以此調(diào)節(jié) AZO 導(dǎo)電玻璃的功函數(shù)， 使其成為收集電子的陰極。其中所述超薄鋁膜的厚度大約在 0.5～5nm 之間。本發(fā)明使用 AZO 取代傳統(tǒng)的導(dǎo)電玻璃 ITO，降低了器件的成本， 同時(shí)采用超薄鋁膜電極修飾層，避免了使用復(fù)雜的電極修飾材料，工 藝相對(duì)簡(jiǎn)單，有利于實(shí)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種機(jī)床末端三維靜剛度的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
一種機(jī)床末端三維靜剛度的測(cè)試裝置，動(dòng)力裝置采用額定載荷高的液壓裝置，傳力裝置采用傳動(dòng)效率高、結(jié)構(gòu)可靠的圓筒式直線導(dǎo)軌副結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊、傳力效率高，加載過(guò)程平滑、穩(wěn)定，傳力裝置與機(jī)床末端的連接采用彈簧柔性連接，能有效吸收外界干擾形成的附加位移和附加荷載，有效保護(hù)機(jī)床末端結(jié)構(gòu)。一種機(jī)床末端三維靜剛度測(cè)試裝置的控制系統(tǒng)，能自動(dòng)控制加載、測(cè)量、計(jì)算靜剛度的全過(guò)程，界面友好、控制精準(zhǔn)。一種機(jī)床末端三維靜剛度的測(cè)試方法，單向加載機(jī)構(gòu)配合機(jī)床本身的回轉(zhuǎn)功能實(shí)現(xiàn)三維加載，采用控制系統(tǒng)裝置和控制系統(tǒng)控制測(cè)試全過(guò)程
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于 iSCSI 的自適應(yīng)加解密安全存儲(chǔ)系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 iSCSI 的自適應(yīng)加解密安全存儲(chǔ)系統(tǒng)和 方法，系統(tǒng)包括相連的啟動(dòng)端和目標(biāo)端，啟動(dòng)端包括啟動(dòng)端負(fù)載計(jì)算 器、啟動(dòng)端轉(zhuǎn)換控制器和啟動(dòng)端加解密器；目標(biāo)端包括目標(biāo)端負(fù)載計(jì) 算器、目標(biāo)端轉(zhuǎn)換器和目標(biāo)端加解密器。負(fù)載計(jì)算器每隔ΔT1 收集負(fù) 載信息，計(jì)算負(fù)載值；啟動(dòng)端轉(zhuǎn)換控制器收集啟動(dòng)端和目標(biāo)端負(fù)載值， 每隔ΔT2 計(jì)算負(fù)載均值，根據(jù)兩端負(fù)載均值判斷是否進(jìn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換， 如果不進(jìn)行轉(zhuǎn)換則保持狀態(tài)不變，如果進(jìn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于體表反向場(chǎng)的內(nèi)外傷漏磁檢測(cè)區(qū)分方法與裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于體表反向場(chǎng)的內(nèi)外傷漏磁檢測(cè)區(qū)分方法及裝置。該方法的特征為：將被檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件磁化，在上述被磁化導(dǎo)磁構(gòu)件體表內(nèi)施加反向磁感應(yīng)場(chǎng) B<sub>反</sub>，與體內(nèi)原有磁感應(yīng)場(chǎng)B<sub>原</sub>發(fā)生矢量疊加抵消，在體表內(nèi)形成零磁感應(yīng)區(qū)域，使得出現(xiàn)在該體表內(nèi)區(qū)域的缺陷(也即外傷)因無(wú)漏磁場(chǎng)產(chǎn)生而無(wú)法被探測(cè)到；而出現(xiàn)在非體表零磁感應(yīng)區(qū)的缺陷均有漏磁場(chǎng)產(chǎn)生而可以被探測(cè)到，包括內(nèi)、外傷；然后采用磁敏元件分別布置靠近于零磁感應(yīng)區(qū)和非零磁感應(yīng)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于缺陷磁泄漏域反向場(chǎng)的漏磁檢測(cè)方法與裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁真空泄漏原理的漏磁檢測(cè)方法及其裝置。該方法為①將待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件磁化；②在上述被磁化的導(dǎo)磁構(gòu)件外圍，剔除已有背景磁場(chǎng)，形成磁真空區(qū)域；③采用磁敏元件布置于磁真空區(qū)域，拾取無(wú)磁壓縮效應(yīng)的缺陷漏磁場(chǎng)并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，如果電壓信號(hào)中存在突變，則說(shuō)明待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件中存在缺陷，否則無(wú)缺陷。裝置采用穿過(guò)式線圈對(duì)被檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件實(shí)施局部磁化，以便激發(fā)出該磁化區(qū)域內(nèi)導(dǎo)磁構(gòu)件上缺陷的漏磁場(chǎng)；在其內(nèi)腔布置永磁體對(duì)，產(chǎn)生反向磁場(chǎng)與原背景磁場(chǎng)疊加抵消，形成磁真空區(qū)域以供缺陷的漏磁場(chǎng)泄漏擴(kuò)散進(jìn)來(lái)，同時(shí)消除由
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁表征的鐵磁性材料表面輪廓檢測(cè)識(shí)別方法
本發(fā)明提供一種基于磁表征的鐵磁性材料表面輪廓檢測(cè)識(shí)別方法，該方法先將磁敏元件以 0-5<i>mm</i>的提離距離靠近待檢鐵磁性材料表面，拾取近表空氣域內(nèi)磁場(chǎng)特征，并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)；再采用電壓信號(hào)幅值比較識(shí)別判斷法，或者檢測(cè)信號(hào)波形圖方法進(jìn)行表面輪廓識(shí)別判斷。本發(fā)明為非接觸式提離檢測(cè)方式，可以實(shí)現(xiàn)在線輪廓檢測(cè)識(shí)別；檢測(cè)手段能夠直接穿透灰塵及污垢等物質(zhì)而不受干擾，不需要高的待檢測(cè)表面清潔度及檢測(cè)工況環(huán)境光線要求。該方法原理是基于鐵磁性材料在加工完后的剩磁在地磁場(chǎng)作用下的磁表征現(xiàn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14