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一種基于憶阻的非易失性 D 觸發(fā)器電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實現(xiàn)了觸發(fā)器的鎖存以及觸發(fā)功能。本發(fā)明所構(gòu)建 D 觸發(fā)器不僅具有傳統(tǒng)觸發(fā)器的功能，而且具備響應(yīng)速度快以及非易失性的特點
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于板面控形的大型板金件電磁漸進(jìn)成形方法
本發(fā)明屬于電磁漸進(jìn)成形領(lǐng)域，并具體公開了一種基于板面控 形的大型板金件電磁漸進(jìn)成形方法，該方法采用分層的方式成形大型 板金件，其包括如下步驟：首先采用平面螺旋線圈按照等高線軌跡移 動放電成形待成形工件的首層；然后采用曲面線圈按照螺旋線軌跡移 動放電成形待成形工件的除首層和底層之外的其他層；最后采用平面 螺旋線圈按照等高線軌跡移動或固定位置多次放電成形待成形工件的 底層，以此實現(xiàn)大型板金件的電磁漸進(jìn)成形。本發(fā)明可通過線
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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現(xiàn)對部分有機(jī)客體及有機(jī)藥物分子的選擇性強鍵合
生物受體可以有效地利用非共價鍵作用和疏水效應(yīng)實現(xiàn)對有機(jī)底物的高效選擇性識別（圖2）。相反，大多數(shù)合成主體對有機(jī)底物的識別選擇性和強度較差。該課題組近期研究發(fā)現(xiàn)酰胺萘管能有效地利用疏水作用和氫鍵作用實現(xiàn)對部分有機(jī)客體及有機(jī)藥物分子的選擇性強鍵合，進(jìn)而實現(xiàn)了部分水溶性較差的藥物分子的增溶。這一研究在藥物科學(xué)領(lǐng)域具有較高的應(yīng)用潛力。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于圖像處理技術(shù)的群集運動數(shù)據(jù)采集方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種群集運動實驗數(shù)據(jù)采集方法及系統(tǒng)，方法包括以下步驟：在實驗場景中采集群集運動目標(biāo)的視頻；從當(dāng)前視頻幀中提取目標(biāo)運動區(qū)域；對目標(biāo)運動區(qū)域濾除背景；將濾除背景的目標(biāo)運動區(qū)域與目標(biāo)灰度閾值進(jìn)行比較，判定大于目標(biāo)閾值的像素點為可疑目標(biāo)像素點，將鄰近的可疑目標(biāo)像素點視為一個可疑目標(biāo)；將可疑目標(biāo)與預(yù)定目標(biāo)長度、寬度和面積閾值進(jìn)行比較，判定可疑目標(biāo)為個體目標(biāo)、多目標(biāo)重合、非目標(biāo)中的一種；根據(jù)歷史目標(biāo)位置、速度和
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種含新能源電力系統(tǒng)調(diào)峰需求的評估方法
本發(fā)明公開了一種含新能源電力系統(tǒng)調(diào)峰需求的評估方法，包 括：統(tǒng)計發(fā)生概率大于 0.95 的正凈負(fù)荷預(yù)測誤差邊界值，發(fā)生概率大 于 0.95 的負(fù)凈負(fù)荷預(yù)測誤差邊界值；生成位于正凈負(fù)荷預(yù)測誤差邊界 和負(fù)凈負(fù)荷預(yù)測誤差邊界之間的凈負(fù)荷預(yù)測誤差代表場景；根據(jù)所得 的凈負(fù)荷預(yù)測誤差代表場景，對次日可能發(fā)生的凈負(fù)荷場景進(jìn)行預(yù)測； 計算預(yù)測得到的凈負(fù)荷場景中的最大峰谷差，作為所求的電力系統(tǒng)次 日的調(diào)峰需求。本發(fā)明可以根據(jù)日前預(yù)測的新能源出力的隨機(jī)特征而 制定出更加準(zhǔn)確的調(diào)峰需求容量，從而使得電力系統(tǒng)在保證安全運
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法
本發(fā)明公開了一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法，其主要控制過程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行粗調(diào)的同時，實現(xiàn) X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸的當(dāng)前實際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸執(zhí)行角度閉環(huán)控制的同時，實現(xiàn)另外兩直線軸的位置閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行精調(diào)的同時，實現(xiàn)X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制。通過本發(fā)明，可使得芯片
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種高質(zhì)量氧化鋁陶瓷的刻蝕加工方法及裝置
本發(fā)明公開了一種氧化鋁陶瓷的刻蝕加工方法及裝置，該方法 使?jié)崈舻难趸X陶瓷整體位于水中，水表面到氧化鋁陶瓷材料表面距 離為 2mm～12mm，利用紫外脈沖激光對氧化鋁陶瓷進(jìn)行掃描刻蝕加 工，刻蝕加工后的氧化鋁陶瓷表面無發(fā)黑變質(zhì)層和重凝層。裝置包括 紫外激光器、掃描振鏡，二維加工平臺，以及用于裝水和待加工的氧 化鋁陶瓷的容器。本發(fā)明巧妙的引入“水”的因素，在一定厚度或一 定流速的水下對氧化鋁陶瓷進(jìn)行激光刻蝕的冷卻和排渣
華中科技大學(xué)
2021-04-14
雙工況自適應(yīng)直線電機(jī)驅(qū)動泵及其實現(xiàn)恒流輸出的方法
本發(fā)明公開了一種雙工況自適應(yīng)直線電機(jī)驅(qū)動泵，包括一對基本柱塞單元、直線電機(jī)、輸入口和輸出口，基本柱塞單元相對于直線電機(jī)對稱設(shè)置，且分別與固定在直線電機(jī)上的連桿連接，直線電機(jī)包括底座和滑塊，底座設(shè)置在雙工況自適應(yīng)直線電機(jī)驅(qū)動泵底部的中央，滑塊設(shè)置在底座上，且能夠沿著底座做直線運動，基本柱塞單元包括上缸蓋、缸體、柱塞和下缸蓋，上缸蓋和缸體固定連接，下缸蓋與缸體固定連接，柱塞設(shè)置在缸體內(nèi)部，并且從上缸蓋中穿出，缸體包括上進(jìn)液口、上出液口和缸套，其中上進(jìn)液口和上出液口分別對稱設(shè)置于缸套頂端的左右側(cè)。本發(fā)明能
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于壓電陶瓷執(zhí)行器的軸承預(yù)緊力自調(diào)節(jié)裝置
本發(fā)明涉及一種基于壓電陶瓷執(zhí)行器的軸承預(yù)緊力自調(diào)節(jié)裝置，其包括：軸承密封件，安裝基座（6），調(diào)整環(huán)（8）和壓電陶瓷執(zhí)行器（7），其中，所述壓電陶瓷執(zhí)行器包括：安裝底座（702），壓電陶瓷堆定位圈（701），壓電陶瓷堆（708），輸出軸（707），彈性變形體（706），每個軸承沿圓周方向均勻布置若干個執(zhí)行器，分別控制軸承上該若干位置的預(yù)緊力，工作過程中，對軸承圓周方向上幾個位置的預(yù)緊力進(jìn)行測量，根據(jù)測量值分別控制相應(yīng)位置的壓電陶瓷執(zhí)行器，輸出合適的位移和力對軸承進(jìn)行預(yù)緊。本裝置實現(xiàn)了軸承
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于 FPGA 的永磁同步電機(jī)電流環(huán)帶寬擴(kuò)展裝置
本發(fā)明公開了一種永磁同步電機(jī)電流環(huán)帶寬擴(kuò)展裝置，包括電流采樣模塊，讀取A相和B相電流采樣值i<sub>a</sub>、i<sub>b</sub>；Clark 變換模塊，將 i<sub>a</sub>、i<sub>b</sub>變換到αβ坐標(biāo)系中，得到 i<sub>α</sub>、i<sub>β</sub>；Park 變換模塊，將 i<sub>α
華中科技大學(xué)
2021-04-14