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受到技術出口限制等原因，目前，我國的紅外探測技術無論是在技術水平、產品性能、靈敏度、應用范圍等方面還具有很大的局限。本項目采用新穎量子點納米材料，制備新型結構高靈敏度光電探測器，以窄帶隙IV-VI族半導體納米材料為光敏感層，研發紅外上轉換光子探測器，實現對微弱入射光（特別是紅外光）進行探測及成像的芯片設計，并用于其他安監和夜視應用研究。實現從紫外到中波紅外（20µm）的一體化、超寬譜段的微弱光探測與成像。完成超寬光譜微弱光探測及成像芯片制備，實現紅外領域高精尖技術的自主可控及大面積的推廣應用，真正實現紅外“中國芯”，意義重大、市場廣泛。

基于分布式芯片驅動的 LED 集成化照明模組，將驅動與光源集成為一體化標準模組，克服了開關電源的電解電容壽命瓶頸、可靠性差、成本高等缺點，具有可靠性高、 壽命長、結構簡單、模塊化設計、安裝方便、免維護、智能化、成本低等優點。結合窄帶物聯網(NB-IoT)、Zigbee、 LoRa 等無線通訊技術，實現了大數據物聯網平臺的智慧城市照明系統，通過精細化運營管理，可達到 70%的節能減排效果。實現驅動芯片化、模組集成化、通訊無線化、軟件智慧化、系統物聯化。 

由西安交大開元集團自主開發的CMOS可視芯片是目前國際先進、國內領先的視覺芯片，具有集成度高、功能全、體積小、功耗低的特點。以CMOS可視芯片為核心部件的彩色電腦眼是新一代計算機圖像輸入器件，具有數碼相機、電子相冊、三維傳真、動態錄像EMAIL、網絡可視電話、視頻會議和智能遙控報警等多種功能。該項目已被列入國家高新年技術產業化示范工程。

本項目針對國內高端光電子器件嚴重依賴進口的現狀問題，自主研制Tb/s級以上 PDM-16QAM的硅基大規模陣列集成相干光接收芯片。根據本研究組在硅基集成光電子器件、偏振控制器件、光混頻器等方面的建模仿真、制備測試基礎，依托“先進電子材料與器件”校級平臺的先進半導體加工能力，制備了高偏振消光比的偏振分束器、偏振旋轉器，高相位精度的90度混頻器，大帶寬高響應度的探測器陣列，高效硅基芯片-光纖耦合，以及可調光功率衰減器。 通過本項目的實施，在硅基光接收集成芯片、高端光電子器件及其大規模集成的關鍵技術領域有所突破，建立關鍵工藝技術與器件標準庫，形成硅基光電子器件標準加工工藝流程，實現高端光電子器件的自主制備,改變了我國硅基光電子器件技術無償地向國外轉移的歷史，縮短我國光子集成技術與國際先進水平的差距，提升我國光通信產業的競爭力。部分成果獲得2014年度上海市發明二等獎。

 在可再生能源日益短缺及溫室效應日趨惡劣的嚴峻形勢下，Seebeck效應作為一種新的能源轉化方式，可以有效地將日常生活及工業生產廢熱和不能被太陽能電池有效吸收的紅外波段轉化為亟需的電能，故而引起了科研工作者們的廣泛關注。衡量熱電材料能量轉化效率的最重要的指標是其品質因子ZT(=S2σT/κ)，如何提高材料的品質因子是熱電科研工作者們普遍關注的問題。     由于本征的納米析出相以及價鍵非簡諧性(bond anharmonicity)的存在, BiAgSeS具有非常低的本征熱導率κ；然而，因其過低的載流子遷移率極大地限制了其功率因子S2σ。何佳清教授課題組巧妙地將在二維薄膜中廣泛運用的調制摻雜(modulation doping)技術推廣到三維塊體BiAgSeS材料中，使用具有不同載流子濃度的異質晶粒構建三維復合結構，從而極大地提升了該材料中的載流子遷移率，使得功率因子S2σ相對于均勻摻雜的對照樣品提升了約87%，進而顯著地提升了BiAgSeS材料的熱電轉化效率。文章結合了透射電子顯微術和理論計算對在n型BiAgSeS三維塊體復合材料中運用調制摻雜改進載流子遷移率的物理機制做了深入的探討；該工作對調制摻雜技術在三維塊體熱電材料中的廣泛運用頗具啟發意義。

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產品詳細介紹

XM-N6高級計劃生育教育模型 ? 一、功能特點： ■ XM-N6高級計劃生育教育模型采用高分子材料制成，外形逼真，腹壁柔軟有彈性，操作真實。 ■ 解剖結構包括子宮和附件等，模型部分透明的子宮有助于觀察宮內避孕器放置與取出全過程，操作時可觀察操作步驟是否正確。 ■ 陰道可擴張，可使用陰道窺器模擬訓練和演示女性宮內避孕器的放置與取出技術。 ■ 使用操作杠桿模擬子宮3個不同的位置：前傾位、水平位和后傾位。 ■ 可使用模擬腹壁（布套）練習雙合診技術，放置和取出陰道隔膜、宮內避孕器和泡沫海綿避孕器。 ■ 可進行計劃生育教育和技能操作訓練及考核。 ■ 可反復進行練習。 ? 二、標準配置： ■ 計劃生育教育模型：1個 ■ 模擬腹壁（布套）：1個 ■ 宮內節育器：1個 ■ 說明書：1冊 ?????? ■ 保修卡合格證：1張

1、學習霍爾效應原理，測繪霍爾元件的VH-1s，VH-ls,VH-lM曲線 2、測量單個通電圓線圈軸線上(X方向)各點的磁感應強度; 3、測量亥姆霍茲線圈軸線上各點的磁感應強度，比較和驗證磁場疊加原理; 4、測測量兩個通電圓線圈不同間距時的線圈軸線上各點的磁感應強度; 5、測量亥姆霍茲線圈Y方向和Z方向上B的分布。