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XM-618神經(jīng)元放大模型
XM-618神經(jīng)元放大模型
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XM-618神經(jīng)元放大模型可拆分為2部件，置于基板上，顯示神經(jīng)元、突觸、有髓及無髓神經(jīng)纖維立體超微結(jié)構(gòu)。
尺寸：放大，30×42×12cm
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
XM-705A-1腎解剖放大模型
XM-705A-1腎解剖放大模型
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XM-705A-1腎解剖放大模型放大3倍，帶腎上腺，顯示了腎剖面的腎皮質(zhì)、腎髓質(zhì)、腎小盞、腎大盞、腎盂、輸尿管以及腎動脈、腎靜脈等結(jié)構(gòu)，共有24個部位數(shù)字指示標志及對應(yīng)文字說明。
尺寸：放大3倍，40×26×8cm
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
XM-706A-1腎單位放大模型
XM-706A-1腎單位放大模型
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XM-706A-1腎單位放大模型放大120倍，示腎小體和連接腎小體的腎小管、一段集合管以及包繞在腎小管周圍的小葉間動、靜脈及毛細血管網(wǎng)，腎小管示近端小管的曲部、直部以及遠段小管的直部、曲部。
尺寸：放大120倍
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
XM-706A-2腎小球放大模型
XM-706A-2腎小球放大模型
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XM-706A-2腎小球放大模型放大700倍，示腎小囊、腎小囊腔、入球小動脈、腎小球、出球小動脈、血管極和尿極。
尺寸：放大700倍
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
一種基于仿射算法和攝動方法的幾何模型高頻動力學特性預(yù)示方法
本發(fā)明提供了一種基于仿射攝動的區(qū)間不確定性結(jié)構(gòu)能量響應(yīng)預(yù)示方法，建立各子系統(tǒng)的確定性結(jié)構(gòu)的統(tǒng)計能量控制方程，進而引入?yún)^(qū)間因素，獲取區(qū)間不確定性結(jié)構(gòu)的區(qū)間統(tǒng)計能量控制方程，設(shè)定不確定性參數(shù)的區(qū)間參數(shù)，基于仿射攝動算法得到各區(qū)間變量的仿射區(qū)間表達式，設(shè)定各變量的攝動分析表達式，進而基于區(qū)間仿射算法的運算法則，推導得到考慮區(qū)間不確定性結(jié)構(gòu)的子系統(tǒng)區(qū)間能量表達式，給定初始邊界參數(shù)和求解頻率后，計算得到區(qū)間不確定性結(jié)構(gòu)的區(qū)間能量響應(yīng)。通過本發(fā)明方法使得區(qū)間不確定性結(jié)構(gòu)區(qū)間能量響應(yīng)的區(qū)間寬度大大縮小、區(qū)間能量響應(yīng)的預(yù)示精度大大提高，從而可以更加精確地評估區(qū)間不確定性結(jié)構(gòu)的高頻動力學特性，具有重要的工程應(yīng)用價值。
東南大學
2021-04-11
Si基GaN功率半導體及其集成技術(shù)
隨著便攜式電子設(shè)備的快速發(fā)展，將微型電子設(shè)備運用到可穿戴設(shè)備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統(tǒng)的硬質(zhì)電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設(shè)備的儲能問題，是實現(xiàn)這些可能性的重要因素之一。 本成果設(shè)計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術(shù)
電子科技大學功率集成技術(shù)實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導體技術(shù)研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10
大功率 LED 封裝及熱管理技術(shù)
成果的背景及主要用途： 對于大功率白光 LED(半導體發(fā)光二極管），由于其工作電流大和工作電壓高， 在其工作過程中會產(chǎn)生很多熱量，在現(xiàn)有的封裝技術(shù)下，不能提供足夠的散熱能 力來維持極限條件下的可靠運行，大功率 LED 連接成為瓶頸，而解決這一問題 的根本方法在于改善芯片級互連材料的散熱能力。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 采用納米銀焊膏的低溫燒結(jié)技術(shù)，利用其納米銀低熔點的性能，使燒結(jié)溫度 降低到 280℃，而燒結(jié)后銀連接具有高熔點（960℃）、高導電和高導熱性能，非 常適合高溫功率電子器件的長期可靠性運行。 以大功率 1W LED 芯片封裝為例，測試表明對于三種熱界面材料銀漿(silver epoxy)，錫銀銅焊膏(solder paste)，和鈉米銀焊膏（silver paste），由于鈉米銀焊 膏的高導熱性，在大電流下發(fā)光效率提高 7~10%，說明散熱效率提高，有效地 降低了結(jié)溫。目前課題組已完成 25W 的 LED 模塊封裝。 技術(shù)水平及專利與獲獎情況： 獲發(fā)明專利“以納米銀焊膏低溫燒結(jié)封裝連接大功率 LED 的方法”，發(fā)明專 利 ZL200610014157.5，授權(quán)日：2008.11.19。 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測： 此項技術(shù)可以用于大功率 LED 芯片的封裝，具有廣闊的市場前景，進一步 可以推廣到大功率半導體激光器的封裝中。 應(yīng)用領(lǐng)域：電子封裝 技術(shù)轉(zhuǎn)化條件： 本項目組在電子器件的熱管理方面也具有豐富的經(jīng)驗，可進行電子封裝的熱 分析及熱管理設(shè)計。 合作方式及條件：根據(jù)具體情況面議 20 耐高溫、耐高濕電子封裝材料
天津大學
2021-04-11
高頻高功率密度GaN柵驅(qū)動電路
作為第三代半導體代表性器件.硅基GaN開關(guān)器件由于具有更小的FOM.能夠把開關(guān)頻率推到MHz應(yīng)用范圍，突破了傳統(tǒng)電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優(yōu)勢，滿足未來通信、計算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關(guān)領(lǐng)域的研究對我國在下一代電力電子器件產(chǎn)業(yè)的全球競爭中實現(xiàn)彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅(qū)動電路和采用先進的環(huán)路控制策略，最大程度提高GaN開關(guān)應(yīng)用的可靠性,發(fā)揮其高頻優(yōu)勢。
電子科技大學
2021-04-10
大功率雙輸出傳動系統(tǒng)設(shè)計
雙輸出傳動箱是雙螺桿擠出機中的關(guān)鍵裝置 , 它廣泛用于制備化工、食品、甚至建筑材料制磚等工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域。近幾十年用于制備塑料、化纖、碳纖維和食品加工的雙螺桿擠出機都配備的是來自德國 THYSSEN HENSCHEL 和意大利 Zambello 的大功率雙輸出傳動箱，這些高端設(shè)備曾經(jīng)是國內(nèi)同類產(chǎn)品無法替代的。受化工機械企業(yè)需求的委托，我們對大功率雙輸出傳動系統(tǒng)展開了研發(fā)，解決了關(guān)鍵技術(shù)，并制造出了規(guī)格不同的系列產(chǎn)品，成功地替代了 THYSSEN HENSCHEL 和 Zambello 的系列產(chǎn)品，已經(jīng)安全用于化工塑料領(lǐng)域 6 年。至今，我們已經(jīng)發(fā)明了大功率雙輸出傳動系統(tǒng)的多種傳動結(jié)構(gòu)和傳動系統(tǒng)的最優(yōu)化設(shè)計方法，從而巨大地減小了傳動箱的體積，提高了傳動功率。目前，已經(jīng)為南京 GIANT 機電有限公司完成了從 18.5KW 到 800KW 的全系列大功率雙輸出傳動箱產(chǎn)品設(shè)計，產(chǎn)品已經(jīng)全部替代進口產(chǎn)品，并 100% 安全運轉(zhuǎn)至今。實踐表明，我們自主研發(fā)的關(guān)鍵技術(shù)和最優(yōu)設(shè)計結(jié)構(gòu)已經(jīng)在行業(yè)中處于領(lǐng)先水平，成熟技術(shù)可以推廣應(yīng)用于其它需要大功率雙螺桿擠出機的場合。
北京交通大學
2021-04-13