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基于金屬納米粒子的局域表面等離激元因其高局域強度，小局域尺度，高靈敏度等特點，被大量應用在不同領域。但是，幾個飛秒的超短模式壽命(dephasing time)大大限制了其應用的廣泛性和實用性。該工作設計的多層結構實現了局域表面等離激元和傳播表面等離激元的強耦合(圖1(a))。動態數值模擬結果也清晰地證明在強耦合下局域表面等離激元模式和傳播表面等離激元模式之間的能量交換。近場方面，光電子顯微鏡對表面等離激元模式進行直接成像，大大突破了原有的遠場探測技術的限制。并且結合不同激發光源，實現不同維度的探測。結合波長可調的激光光源，光電子顯微鏡在頻域記錄下表面等離激元模式隨波長變化的強度演化過程(圖1(b))。結合超快泵浦探測技術，光電子顯微鏡在時域記錄下表面等離激元模式隨時間變化的演化趨勢。該工作更加深入并直觀地探測強耦合體系中的能量轉換過程，并通過強耦合中失諧量的改變實現模式壽命的操控，相較于未耦合的局域表面等離模式，強耦合的模式壽命由6飛秒(10-15秒)提高到10飛秒。這一研究成果對進一步發展基于表面等離激元的人工光合成、生物傳感等應用具有重要的指導價值。圖1、（a）光電子顯微鏡和多層結構示意圖，（b）遠場和近場探測曲線、不同波長激光激發下光電子顯微鏡記錄的局域表面等離激元模式分布圖。 此研究是由北京大學和日本北海道大學共同合作完成，北京大學物理學院博士生楊京寰和重大儀器項目的國際合作者、北海道大學助理教授孫泉為該文章的共同第一作者，北京大學龔旗煌院士和北海道大學Misawa教授為共同通訊作者。除了自然科學基金委的國家重大科研儀器研制項目，該工作還得到了科技部、北京大學人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、極端光學協同創新中心、“2011計劃”量子物質科學協同創新中心、日本文部科學省及學術振興會、北海道大學納米技術平臺等單位的支持。目前國家重大科研儀器研制項目“飛秒-納米時空分辨光學實驗系統”的研制正在有序推進中，已經取得了一批包括此工作在內的階段性成果。該實驗系統的核心儀器是附帶低能電子顯微功能的光電子顯微鏡(PEEM), 其激發光的波長覆蓋范圍從極紫外到近紅外(圖2)。下一步該實驗系統有望在二維材料、光電材料與器件、表面介觀物理等研究領域大顯身手、發揮積極作用。圖2、北京大學研究團隊的飛秒納米時空分辨系統

本發明公開了一種用于超分辨定位成像系統的樣品池，包括底座、壓板、蓋玻片、載玻片、第一螺栓、第二螺栓、進穿板接頭與出穿板接頭，載玻片安裝于壓板上，蓋玻片安裝于底座上，壓板腔體外表面與底座腔體內表面間隙配合，并通過第一螺栓連接壓板與底座，第二螺栓安裝于壓板上，通過調節第一螺栓與第二螺栓實現樣品空間厚度的改變，進穿板接頭與出穿板接頭均安裝于壓板上，實現樣品空間與外界環境的連通，通過向進穿板接頭注入新的液態生化試劑，從

本發明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內的光信號實現分析與監測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發明元件少，系統結構簡單緊 湊，對光路的準直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態無關的特性，在分辨出波長 的同時，還能對入射光束的偏振態進行測量，適用范圍更廣。 

本發明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內的光信號實現分析與監測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發明元件少，系統結構簡單緊 湊，對光路的準直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態無關的特性，在分辨

一種三維像素超分辨顯微成像方法，其特征在于，沿與圖像采 集裝置傳感器平面水平方向 x、豎直方向 y 和顯微鏡的 z 軸方向各均成 非直角空間偏轉角的空間矢量掃描樣品，以能夠使每兩張相鄰的圖像 切片之間沿著 x,y,z 方向均有亞像素位移的步長進行掃描，通過圖像采 集裝置采集得到原始三維圖像序列 A，將原始圖像序列 A 根據無損采 樣原則分割成多組三維圖像序列 Bi，對 Bi 進行超分辨處理，生成三維 高分辨圖像 E，

本發明公開了一種電調光反射率薄膜。包括第一光學介質層，依次設置在第一光學介質層上表面的第一陽極、第二光學介質層和第二陽極，以及設置在第一光學介質層下表面的陰極，陰極為勻質導電膜結構，第一陽極和所述第二陽極均由其上布有 M×N 元陣列分布的納孔的導電膜構成；通過調變加載在第一陽極和陰極間的第一時序電壓信號以及加載在第二陽極和陰極間的第二時序電壓信號，調變陰極上的陣列化電子的密度和分布形態，進而調變電調光反射率薄膜的光

產品詳細介紹1  技術說明ME5368-C型電導率儀是精確測量石油產品電導率的專業儀器。經總后勤部油料技術監督處監制并長期試用，效果很好，現已大批量裝備部隊。同時，在民用航空、煉油等方面也發揮著重要作用。本產品體積小、測量種類多、功能齊全、環境適應能力強，可在不同的條件下進行測量加電纜后還可進行長距離測量。同時可數據自動鎖定。動能更加齊全，使用更加方便。目前，ME5368-C型電導率儀測量精度已達到國內外先進水平。2  主要技術指標顯示量程: 0-1999pS/m分 辨 率: 1pS/m測量精度: ＜2%±1pS/m 酸度計檢定裝置電導率儀檢定裝置分光光度計檢定裝置酶標分析儀檢定裝置氣相色譜儀檢定裝置氣相色譜質譜聯用儀檢定裝置液相色譜儀檢定裝置離子色譜儀檢定裝置原子吸收檢定裝置紅外光譜儀檢定裝置粘度計檢定裝置（可自動檢定）密度計檢定裝置（可自動檢定）酒精計檢定裝置玻璃量器檢定裝置（可自動檢定）烘箱/培養箱檢定裝置碳硫分析儀檢定裝置生化分析儀檢定裝置報警器探頭檢定裝置旋光儀檢定裝置白度計檢定裝置阿貝折射儀檢定裝置離子計檢定裝置羅維鵬比色計檢定裝置電位滴定儀檢定裝置有機元素分析儀檢定裝置溫度計自動檢定系統檢定裝置

產品詳細介紹粉末冶金零件密度測試儀÷含油軸承含油率測試儀，粉末冶金比重測試儀，粉末冶金密度計，粉末冶金密度天平：粉末冶金制品在成型之前，先將原資料增加黏結劑、光滑劑如硬脂酸鋅、硬脂酸鋰及白蠟、石墨粉等加以混雜平均，而后加以成型。使成型胚體中與內部接觸的孔隙或多或少被光滑劑和石墨粉所填滿。配合現場作業，于試模和密度再確認時，根據生胚密度的測試可立刻調劑粉末填充量，防止粉末適量充填或充填缺乏。為了延長停機的時光，須要疾速的實現密度測量。目前市場上用來檢測粉末冶金構造件體密度、有效孔隙率、濕密度、體積的測量儀器有很多，現重要給大家介紹一款產自臺灣的粉末冶金密度計，可正確、疾速、不便測出各種粉末冶金構造件的體密度與含油合金的有效孔隙率、濕密度、體積。粉末冶金零件密度測試儀÷含油軸承含油率測試儀重要技巧參數：1、型號：TW－120P、TW－600P2、稱重規模：0。001g～120g、0。01g～300g、0。01g～600g3、密度解析精度：0。0001 g÷cm3 0。001 g÷cm34、測量時光：約10稱5、測試品種：粉末冶金構造件、含油合金、含油軸承及各種固體、顆粒體、薄膜、浮體功用及特征：1、可間接讀取粉末冶金構造件的體密度和含油合金的有效孔隙率、濕密度、體積；2、可間接讀取燒結含油軸承含油率、有效孔隙率；3、可根據現場操作習性，間接讀取不吸水資料的密度和體積值；4、具備溫度彌補設定、溶液彌補設定、防水解決油的密度設定功用；5、主機配有RS－232標準打印接口，能很不便地銜接打印機將測試后果輸入；6、采取大水槽設計，可下降吊欄線的浮力所形成的誤差；7、兩個操作步驟即可顯示測量后果；8、操作簡樸、不便、測量疾速；9、全主動零點跟蹤功用；10、具備環境調劑功用；為什么要測試粉末冶金原料的密度粉末冶金是將金屬、合金、或其氧化物、碳化物等粉末裝入模具內，施以低壓而成形，再進行燒結固化來制作所須要的資料、產品的技巧。粉末冶金是把金屬的粉末顆粒微細化后，再制形成外形龐雜的零件，替代傳統的機械加工。因為粉末冶金的孔隙構造對粉體的物感性質影響很大，而且粉末冶金產品根據其需求是以體密度、濕密度、視孔隙率、含油率等為重要的認定標準，所以關于成形胚體和燒結體的密度檢測更為重要。按照標準：金屬燒結資料的燒結密度=試料空氣中分量÷（防水解決后試料空氣中重－防水解決后試料水中重）。抉擇數顯臺式精細密度計，密度儀，密度測試儀，密度天平，比重計，比重測試儀，比重儀，比重天平，比重密度測試儀÷測量儀

房屋的冬暖夏涼是人類自古以來追求的夢想，本發明提供一種可以使建筑物窗戶透 光率溫致可逆變化的材料。該材料在低溫時為無色透明液體，在高溫時可轉變為白色不 透明液體，且溫度在轉變溫度上下變化時，該液體在無色透明和白色不透明狀態之間可 逆變化。 本發明材料可用于建筑窗戶、溫室暖棚、車船飛機等方面。冬季在建筑上與選擇性 吸收材料配合使用，可在不影響其冬季制熱的同時，在夏季可使過熱現象大大緩解，從 而使該組合材料成為寒冷地區用智能調溫材料，適合創造建筑熱舒適環境，具有節約礦 物能源、減少環境污染的作用，具有較大的經濟和社會效益。 

隨著光學器件在日常生活領域越發廣泛地應用，對其新功能的需求也加大，其中高折射率材料的研究也越來越多,特別是高折射率聚合物（HRIP）。近來，由于其在高級光電制造中的潛在應用，HRIPs已經吸引了相當多的關注，例如先進顯示設備的高性能基底，用于有機發光二極管顯示器，光學黏合劑或密封膠材料，高級光學應用中的減反射涂層，193-nm浸潤蝕刻光阻劑，和微透鏡組件中的電荷耦合式裝置以及互補金屬氧化物半導體圖像傳感器。然而，一般普通聚合物的折光指數的范圍在1.30～1.70之間，但是在實際應用中要求更高的折光指數（大于1.70，甚至 1.80）。由高折射率無機納米粒子和有機高分子基體組成的納米復合材料可以輕易地獲得高的折光指數。本項目將高折射率的無機納米粒子炭黑、二氧化硅、二氧化鈦等添加到各種聚合物基體中，獲得高折射率光學薄膜，且通過對無機粒子和聚合物基體間的界面設計，使得無機粒子少量填充即可獲得高折射率光學薄膜。具有核心技術（自主知識產權），發明專利1項，獲得上海市自然科學基金資助。