阻變存儲(chǔ)器與鐵電FinFET
已有樣品/n基于HZO鐵電FinFET的混合存儲(chǔ)器件。該器件在電荷俘獲模式下,表現(xiàn)出高耐
久性(>1012),高操作速度(<20ns),良好的數(shù)據(jù)保持特性(104@85oC),與DRAM
的性能相近,為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當(dāng)器件工作在
電籌翻轉(zhuǎn)模式下的時(shí)候,器件表現(xiàn)出非常好的數(shù)據(jù)保持特性(>10年)以及對(duì)讀取
信號(hào)串?dāng)_的免疫能力,使該器件同時(shí)具有優(yōu)越的不揮發(fā)存儲(chǔ)特性。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12