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一種固件可重構的手機數據采集控制器
一種固件可重構的手機數據采集控制器，利用微控制器芯片的 在線固件燒寫功能，提供智能手機對其進行固件燒寫操作的接口，并 對數據采集控制器的固件存儲 Flash 存儲單元空間進行分塊，能夠在一 個微控制器中安裝多個采集控制固件。由手機來啟動微控制器對應的 采集控制固件。當微控制器中未安裝對應的采集控制固件時，則由手 機自動從網上查找、下載相應的采集控制固件，并安裝到數據采集控 制器的空閑塊區中。這既可以避免更換手機測量功能時對數據采集控 制器采集控制固件的重新燒寫，又可以避免將固件程序設計得十分復 雜和
華中科技大學
2021-04-14
一種帶有形變實時補償的薄壁件銑削系統
本發明公開了一種帶有形變實時補償的薄壁件銑削系統，包括 機床、剛性底盤、立柱、固定支架、激光位移傳感器、位移補償控制 器、功率放大器和計算機。本發明在待加工薄板通過立柱固定在剛性 底盤上安裝安裝于機床加工槽中，采用激光位移傳感器檢測薄板的形 變位移，通過位移補償控制器利用貝葉斯估計算法預測加工軌跡，得 到切削深度補償信號，并輸出控制命令對機床主軸的進給進行控制。本發明可以實時的檢測銑削過程中薄壁件的形變，預測未來加工路徑 上薄壁件的形變，并通過對機床 Z 軸的實時控制進而對薄板銑削加工 的 Z 向形
華中科技大學
2021-04-14
一種微機電系統的圓片級真空封裝方法
一種微機電系統的圓片級真空封裝方法，屬于微機電系統的封裝方法，解決現有封裝方法存在的問題，使得微型真空腔長時間保持真空，滿足十年以上使用壽命的要求。本發明包括：刻蝕步驟：在蓋板圓片上對應硅基片 MEMS 器件的位置刻蝕相應空間尺寸的凹坑，再環繞凹坑刻蝕環形凹槽；吸氣劑淀積步驟：在所述凹坑和凹槽內淀積吸氣劑薄膜；鍵合步驟：在真空環境下將蓋板圓片和硅基片緊密鍵合。本發明解決了現有封裝方法存在的真空保持時間短、密封質量低、可靠性差、成本高的問題，可以長時間保持微型腔體內的真空度，極大的推動圓片級 MEMS
華中科技大學
2021-04-14
一種實現現場總線拓撲結構實時重構的通信單元
本發明公開了一種實現現場總線拓撲結構實時重構的通信單元，包括第一、第二數據處理模塊和二個端口，二個端口均設有接收模塊和發送模塊，其中任一端口的接收模塊均通過第一數據處理模塊或第二數據處理模塊與另一端口的發送模塊連接，在第一、第二數據處理模塊之間設置有雙向電子開關。本發明采用一個雙向電子開關即可實現數據流向的靈活切換。具有雙環結構的主從通信系統中采用兩個處理模塊，分別處理各自通信鏈路上的數據信息信號，真正提高了一次通信操作中的數據信息信號冗余度，實現數據信息信號雙環結構。
華中科技大學
2021-04-14
水輪機調節系統高階數學模型的降階方法
一種水輪機調節系統高階數學模型的降階方法，包括如下步驟：①簡化系統分母的最高次項，實現 系統的一次降階，得到一次低階等效系統式；②從波動疊加的角度出發，將一次低階等效系統式變換為 兩個 2 階子系統相加的形式；③進行拉普拉斯反變換，得到水輪機調節系統的一次低階等效系統在負荷 階躍擾動下的機組轉速響應波動方程；④對完整 5 階系統式進行二次降階；⑤利用二階系統進行水輪機 調節系統轉速響應調節品質的影響因素分析。其優點是：較之其他降階方法，本方法是
武漢大學
2021-04-14
一種多向地震動綜合持時的預測方法
本發明公開了一種多向地震動綜合持時的預測方法，包括：步驟 1，根據 Arias 強度定義獲得地震 動各預設方向加速度的 Arias 強度；步驟 2，根據已有的地震動加速度的單向持時定義，分別計算地震 動各預設方向加速度的單向持時，所述的單向持時為括號持時、一致持時或能量持時；步驟 3，以 Arias 強度為權重函數，對地震動各預設方向加速度的單向持時進行加權平均，得地震動綜合持時。本發明綜 合考慮了各方向上強震持時對結構的影響，能較準確地評價地
武漢大學
2021-04-14
先驗地理信息輔助下的光學遙感影像艦船檢測方法
一種先驗地理信息輔助下的光學遙感影像艦船檢測方法，包括建立港口和海岸線相關的先驗地理信 息庫，得到糾正后的待檢測遙感影像；進行區域分割提取邊界線，根據海岸線矢量庫獲取海岸線矢量， 進行海岸線變化檢測；海陸分離得到海面區域和靠岸區域；針對海面區域，先基于多視覺顯著性進行艦 船疑似目標檢測，再基于多特征的機器學習方法在艦船疑似目標中檢測艦船；針對靠岸區域，進行全局 顯著性檢測得到初始的疑似區域，再根據形態信息進行圖像分割獲取最終的疑似區域，之后利用
武漢大學
2021-04-14
一種計算三維點云模型骨骼的方法
本發明公開了一種計算三維點云模型骨骼的方法；本發明首先通過使用逐步細分的策略將三維點云 模型均勻體素化；此后，使用快速行軍算法，計算出模型內部體素點的距離域；然后，使用距離域計算 出模型的初始骨骼；最后，將初始骨骼與 L1 中值骨骼提取算法融合，生成基于距離域的 L1 中值骨骼提 取算法，快速準確計算出模型骨骼；與現有的三維點云模型骨骼提取方法相比，本發明處理帶有大量噪 聲點、奇異點和大面積點云缺失的點云模型，而且不會產生錯誤的骨骼連接，同時不
武漢大學
2021-04-14
面向5G前傳的高速半導體激光器
5G新基建是國家的重要發展戰略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當前5G建設的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對解決光通信“空芯化”問題，推進“中國芯”國家重大戰略實施，保障我國通信基礎設施安全具有重要的經濟和社會效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規的DFB激光器面臨嚴重的高溫高帶寬瓶頸。面對5G應用要求的-40~85℃的寬溫應用場景，常規DFB激光器芯片往往是超頻運行，嚴重影響可靠性。因此，研制全國產寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時兼顧低成本高可靠需求對推進“中國芯”國家重大戰略實施具有重要意義。
本成果創新性地提出一種溝中溝脊波導DFB激光器結構，相比較常規DFB激光器，在脊兩側對稱的刻蝕兩個溝槽。此結構可抑制注入載流子的橫向擴散，提高對光場的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實測寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達到商用需求。同時，相比較常規芯片，其制作過程只需多加一步簡單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時的老化試驗，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。
圖1（a）常規DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖
圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應曲線對比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應帶寬對比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線
圖3（a）（b）25℃和85℃下常規芯片與溝中溝脊芯片2000小時老化實驗結果，功率變化小于0.5%
華中科技大學
2022-10-11
工業危險氣體泄漏的非制冷紅外成像檢測技術與裝備
本項目研究突破了寬波段非制冷IRFPA、檢測波段優選、寬波段紅外物鏡、微弱氣體圖像濾波增強、檢測系統性能評價等理論和關鍵技術，實現了對典型工業危險氣體(烷烴、烯烴，氨氣、六氟化硫、二氧化碳、二氧化硫等)泄漏的遠距離成像檢測和定位，經過專業檢測基地和工業現場檢測驗證，性能達到國際同類產品的先進水平。
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、技術分析
危險氣體泄漏是當前工業重大安全隱患之一，迫切需要能夠及時發現泄漏隱患，定點預防重大工業危險氣體泄漏事故的先進檢測技術與裝備。基于氣體特征吸收峰的紅外光譜檢測是泄漏氣體非接觸遙測的有效途徑， 采用制冷型紅外焦平面探測器(IRFPA)已被證明是工業氣體泄露遙測的有效手段，但高昂的價格，且工作壽命也難以適應石油天然氣與化工行業晝夜連續工作的要求。近年來非制冷紅外焦平面探測器性能的迅速提高，使其用于工業氣體泄漏紅外成像檢測成為可能。
本項目提出基于非制冷IRFPA 的工業氣體泄漏成像檢測技術思想，并2011 年起陸續獲得北京市自然基金和首都科技條件平臺科學儀器開發培育項目的支持，針對非制冷 IRFPA 靈敏度偏低，長波紅外波段偏窄等問題， 研究突破了寬波段非制冷IRFPA、檢測波段優選、寬波段紅外物鏡、微弱氣體圖像濾波增強、檢測系統性能評價等理論和關鍵技術，實現了對典型工業危險氣體(烷烴、烯烴，氨氣、六氟化硫、二氧化碳、二氧化硫等)泄漏的遠距離成像檢測和定位，經過專業檢測基地和工業現場檢測驗證，性能達到國際同類產品的先進水平。在完成工程樣機基礎上，近期與北京智慧共享合作研制完成在線式產品樣機，現場應用示范效果明顯，具備批量生產的基本轉化條件。
北京理工大學
2022-08-17