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磁
分子
模型
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
磁
光雙控超
分子
納米纖維可抑制腫瘤侵襲轉移
利用修飾有線粒體靶向肽的氧化鐵磁納米粒子與修飾有β-環糊精的透明質酸構筑了一種超分子納米纖維。該超分子納米纖維可以經由光照或磁場(甚至包括很弱的地磁場)調控其形貌轉換。無論是體內還是體外條件下,由于透明質酸受體在腫瘤細胞表面過表達,該超分子納米纖維可以高效靶向腫瘤細胞,并且經過地磁場的導向聚集,誘導腫瘤細胞線粒體功能障礙和細胞間聚集,從而特異性抑制體內腫瘤細胞的侵襲和遷移。該超分子納米纖維可以作為一種方便的工具,不僅可以加深對動態或刺激響應性生物事件的理解,而且可以促進用于腫瘤治療的生物材料的設計和發展。
南開大學
2021-04-10
DNA
分子
雜交技術,
分子
雜交爐、核酸
分子
雜交
產品詳細介紹 DNA分子雜交技術,分子雜交爐、核酸分子雜交 一、用途特點: 此儀器是我廠與北京大學生物系、復旦大學遺傳所等科研單位參照國外最新產品聯合研制推出的國內首創產品。TC-4YY型多功能核酸分子雜交儀,本儀器的各項技術指標均達到國外同類產品水平。可替代進口雜交儀,本儀器采用獨特的滾動式反應架裝置,配套特制密封雜交管在水平軸上旋轉,使雜交管內壁上的雜交反應膜各處能均勻地雜交液反復地接觸,充分反應。可進行生物大分子DNA、RNA及蛋白質雜交反應。不僅比塑料袋或其它容器在水浴中進行分子雜交反應效果好,并且還能減少雜交液體積,提高雜交效率,而且也避免了加放射性同位素后封口或塑料袋破漏而造成同位素污染的危險。因此,本儀器廣泛應用于生物大分子的雜交反應或其它長時間振搖的化學、生化及免疫學反應,是開展分子生物學技術不可缺少的儀器。 本儀器采用先進的單片計算機進行控制,人機界面采用點陣式液晶顯示器(LCD),直觀顯示系統的運行狀況。溫度控制采用數字PID技術,輸出采用PWM方式,控制精度高,穩定性好,并設有超溫保護裝置。儀器采用獨特滾動式反應裝置,每次可夾6根特制玻璃封管在水平軸旋轉,旋轉速度為每分鐘0~16轉/可調。TC-4YY型分子雜交儀除具有TC-3YY型所有功能外,雜交箱內可放入直徑42mm長300mm雜交瓶。 托盤擺動速度每分鐘5~50次/可調。 二、技術指標: 1.電源電壓:AC220V±10% 50Hz 350W 2.使用環境:0℃~+40℃,相對濕度:≤90%RH 3.溫控范圍:環境溫度+5℃~100℃可調 4.溫度波動值:±1℃ 5.溫度顯示精度:0.1℃ 6.溫度均勻性:±0.03℃ 7.瓶架轉速:0~16轉/分可調 8.雜交管規格:Φ42×150mm或Φ42×200mm或Φ42×250mm或Φ42×300mm6只(任選) 9.搖臺擺動頻率:5~50次/分可調 10.工作室尺寸:330mm×270mm×310mm 儀器報價以公司網站為主 相關鏈接:http://www.tocan.cn/category.php?id=17 公司地址:上海市翔殷路165號B區211室 郵編:200433 聯系電話:021-51863860、13621641125 QQ:572980613 上海領成生物科技有限公司提供專業的產品、專業的售前、售中、售后服務,將使您的工作能夠收到事半功倍的效果。歡迎新老顧客來電咨詢,領成將為您提供最優質的服務!
上海領成生物科技有限公司
2021-08-23
生物納米材料—趨
磁
細菌
磁
小體
已有樣品/n本發明提供了一種趨磁細菌及利用其制備磁性磁小體的方法。從淡水中分離出一種能產生磁性磁小體的趨磁螺菌Magnetospirillumsp.ME-1。該菌株為大小2.62~4.83x0.44~0.62μm的趨磁螺菌,含有由10~31個磁小體顆粒組成的磁小體鏈,磁小體成分為四氧化三鐵(Fe3O4),形態為立方八面體或立方體,大小為26-40nm。該菌株發酵性能優良,所產生的磁小體具有極大的產業化推廣前景
中國科學院大學
2021-01-12
磁場控制平臺
磁
控原理
磁
測量系統
產品概述: FCP磁場控制平臺是根據磁控原理設計的理想磁測量系統,磁場范圍超過3T,利用TESTIK475高斯計穩定磁場控制,適合各系列電磁鐵配置,連續可變的電磁氣隙,實心的和光學入口極帽,線型雙極,真實四象限電磁鐵電源。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”,就能看到我們的企業店鋪,聯系更加方便快速! 磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 FCP磁場控制平臺控制特征: TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度,用戶輸入的控制設定點,用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺,可以被獨立的被利用或做為用戶設計的測量系統的一個基礎。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”,就能看到我們的企業店鋪,聯系更加方便快速! 磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 ※ 磁場控制平臺包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術的高斯計、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場控制平臺具有不同的配制用來滿足在磁場強度、磁場均勻性、樣品尺寸、自定義測量要求等基礎之上的用戶要求。可以獨立的形成用戶所需要的不同磁場強度的可變磁場。廣泛用于磁光測量系統、VSM測量系統、在線退火、霍爾效應、磁化率測量、自旋磁共振、B-H曲線測量和精準的傳感器校準等領域。 475高斯計從高斯計霍爾探頭得到反饋來計算并調整控制(模擬)輸出。為了更大程度實現控制的穩定性,475型高斯計每33毫秒更新模擬輸出。結果是一個內置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場穩定性。 ※ 當設定點速率激活的時候,儀器會開始從當前磁場讀數加速而不是當前設定點,基于對P和I的設定。另外,475高斯計能設定速率來控制設定點,從當前磁場讀數到一個新的值,使用一個磁場中平滑線性變換而不是瞬態特性的PI控制。 ※ 開環磁場控制也可能用手動輸出來使用475模擬輸出,這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動用戶調整。這個方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場控制系統遭到不合適的調整或開始擺動而不會損壞。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”,就能看到我們的企業店鋪,聯系更加方便快速! 錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務,對內承接科研生產任務,對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換,形成了科學管理的現代化經營模式,專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備(液氮 液氦)制冷機系統集成 ,定制 ,高低溫真空磁場發生系統,Helmholtz線圈(全套解決方案),電磁鐵(全系列支持定制),螺線管,電子槍(高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm),高低溫磁場真空探針臺,霍爾測試系統,電輸運測量解決方案,磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全,性能可靠,至今已有近10余年的歷史,是國內(較早)生產探針臺,電輸運,電磁鐵的廠家之一。
北京錦正茂科技有限公司
2022-02-25
磁
液體光柵
針對傳統光柵衍射效應固定不變,不可調節,運用面狹窄的問題,提出了一種磁流體光柵,利用外磁場的強度來控制磁流體的折射率和吸收系數,進而使得磁流體光柵的折射率調制和吸收系數調制隨外磁場的改變而改變,實現磁流體光柵衍射效率可調的特性。 所述磁流體光柵包括一個周期性凹槽、一種磁流體、一個光學透明的剛性覆蓋層及一個磁場產生裝置,磁流體填入周期性凹槽的各個凹槽中,光學透明的剛性覆蓋層將磁流體密封在周期性凹槽中,磁場產生裝置置于周期性凹槽外,磁場產生裝置通電后在磁流體所在的位置產生均勻、可調的磁場,用于改變磁流體的折射率和吸收系數。 所述的周期性凹槽是在光學透明的剛性襯底上用帶折射率的光學材料隔成一個個凹槽,制作凹槽的方法采用蝕刻法。所述磁流體,由表面包覆活性劑的磁性微粒和用于分散磁性顆粒的液相載液組成。所述周期性凹槽的深度在1μm—10μm之間、寬度在1μm一200μm之間。所述光學透明的剛性襯底和光學透明的剛性覆蓋層為石英(Si02)、光學玻璃。所述的周期性凹槽的周期Λ、深度d、入射光波長λ和磁流體光柵的平均折射率n0滿足關系式2πλd/(noΛ)2<<1薄光柵條件,形狀選用矩形、鋸齒形、余弦形。所述的磁流體的磁性微粒選用四氧化三鐵(Fe304)、三氧化二鐵(Fe203)、錳鋅鐵氧體,表面活性劑選用油酸、亞油酸、橄欖油,液相載液選用水、煤油。所述的磁場產生裝置包括一個或一對螺線圈和一個可調直流恒流源,該可調直流恒流源用于給電磁鐵或螺線圈供電,其輸出電流的大小控制電磁鐵磁場或螺線圈感應磁場的強度。所述的磁場產生裝置產生的磁場平行于襯底或覆蓋層的表面、并且垂直于凹槽的長邊側壁。 將磁流體這一液相磁性物質用來制作光柵,利用磁流體的折射率和吸收系數隨外磁場強度變化的特點,通過外磁場即可控制光柵的衍射光效率,從而實現了衍射奴率可調的光柵。實現了可在線、實時調節指定階次衍射光的衍射效率,為光通訊和光子器件領域的性能提高提供了新的方法。
上海理工大學
2021-04-11
LIKA
磁
柵
產品詳細介紹安裝簡單方便粘貼式磁性帶傳感器磁頭安裝允許的間隙小(10mm)非接觸式線性測量系統,無磨損抗液體、抗油污、抗振動,可以在-20~70℃溫度范圍內正常使用 廣泛應用于各種行業的位置、角度檢測中
北京慧摩森電子系統技術有限公司
2021-08-23
熱
磁
輪
320mm×220mm×200mm,酒精燈加熱,輪子會轉動。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
李天來院士團隊許濤課題組在Science子刊發布植物器官脫落
分子
機制最新研究成果
李天來院士團隊許濤課題組在Science子刊發布植物器官脫落分子機制最新研究成果
沈陽農業大學
2025-05-21
導
磁
構件超強磁化漏
磁
檢測方法與裝置
本發明公開了一種導磁構件超強磁化漏磁檢測方法及裝置。該方法采用單一穿過式磁化線圈對導磁構件進行局部單一軸向超強磁化,激發出其上縱、橫向傷的泄漏磁場并利用磁敏元件陣列加以拾取,實現其上縱、橫向傷的全面檢出;再通過信號求和比較法進行縱、橫向傷檢出信號區分并對其進行信號幅值補償,實現同損傷當量的縱、橫向傷等信號幅值與靈敏度的統一判斷。裝置包括穿過式線圈、磁敏組件,信號識別補償組件和數據采集卡。本發明將傳統的檢測方法進行簡化與統一,降低成本;實現導磁構件與檢測單元之間簡單的直進式相對掃查運動,完成高速高效地
華中科技大學
2021-04-14
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