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冶煉碳化硅的多芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法
碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術(shù)，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場(chǎng)奇缺，嚴(yán)重制約了其在諸多高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。 1995 年以來，課題組對(duì)以往國(guó)內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)技術(shù)和工藝進(jìn)行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術(shù)。該技術(shù)獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán) 1 項(xiàng)，獲西安市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、陜西省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎(jiǎng)。已在國(guó)內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國(guó) SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動(dòng)了行業(yè)技術(shù)進(jìn)步。
西安科技大學(xué)
2021-04-11
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基于電紡芯鞘納米纖維的藥物兩級(jí)控釋給藥系統(tǒng)
同軸靜電紡絲通過采用一個(gè)具有套筒結(jié)構(gòu)的紡絲頭為模板，控制兩股工作流體以內(nèi)外關(guān)系在高壓電場(chǎng)下拉伸，通過溶劑的快速揮發(fā)，在纖維接收板可以獲得具有芯鞘結(jié)構(gòu)特征的納米纖維膜。 選用合適的藥用聚合物輔料為芯鞘結(jié)構(gòu)納米纖維的基材，通過同軸高壓靜電紡絲可以有效調(diào)節(jié)藥物在納米纖維芯部或鞘部的分布與含量，進(jìn)而調(diào)控藥物的兩級(jí)緩控釋給藥特征，并通過同軸電紡過程中芯鞘流量的調(diào)控，調(diào)節(jié)藥物在兩級(jí)的相對(duì)釋放量。 可以根據(jù)用戶需要進(jìn)行多種藥物的兩級(jí)控釋給藥系統(tǒng)的研制和開發(fā)。
上海理工大學(xué)
2021-04-13
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一種絕緣鐵氧體磁芯變壓器型高壓電源
本發(fā)明公開了一種絕緣鐵氧體磁芯變壓器型高壓電源，包括上 磁軛、下磁軛、初級(jí)磁芯、次級(jí)磁芯、絕緣層；四個(gè)初級(jí)磁芯分布在 上磁軛和下磁軛之間；每個(gè)初級(jí)磁芯對(duì)應(yīng)的磁芯柱上安裝有多層次級(jí) 磁芯；上下相鄰次級(jí)磁芯之間設(shè)有絕緣層；磁軛和磁芯均選用鐵氧體 材料；電路結(jié)構(gòu)包括初級(jí)線圈電路和次級(jí)線圈電路；初級(jí)線圈電路包 括初級(jí)線圈、方波逆變電路和高頻 PWM 整流器，高頻 PWM 整流器 將三相交流市電變成直流，方波逆變電路將直流逆變?yōu)榉讲ㄗ鳛槌跫?jí) 線圈輸入；次級(jí)線圈電路包括次級(jí)線圈和全橋整流電路，全橋整流電 路將次
華中科技大學(xué)
2021-04-14
鋁合金或鎂合金薄壁復(fù)雜鑄件用水溶性砂芯的制備方法
本發(fā)明公開了一種鋁合金或鎂合金薄壁復(fù)雜鑄件用水溶性砂芯 的制備方法，包括：(a)在常溫下將七水硫酸鎂和等離子水配制成質(zhì)量 百分比為 20％～30％的硫酸鎂水溶液，然后將特定量的十八水硫酸鋁 和添加劑加入至該硫酸鎂水溶液中，并加熱至 60℃～80℃制成復(fù)合粘 結(jié)劑；(b)將鑄造原砂預(yù)混均勻后加入復(fù)合粘結(jié)劑，由此得到混合料芯 砂；(c)將得到的混合料芯砂放入制芯模具內(nèi)壓實(shí)，然后將其與模具一 同放入微波環(huán)境中執(zhí)行加熱，取出
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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碳纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料
碳纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料耐腐蝕、耐高溫、耐磨損、韌性高，能夠廣泛用于能源、交通、化工等領(lǐng)域的關(guān)鍵部件，比如摩擦制動(dòng)材料、耐化學(xué)腐蝕葉片等。
東南大學(xué)
2025-02-08
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長(zhǎng)壽命磷酸鹽鈉離子電池正極材料
研發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)NASICON型結(jié)構(gòu)鈉離子電池正極材料面臨的瓶頸問題，通過新穎的合成方法和材料晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)理念，成功開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的長(zhǎng)壽命、高功率和低成本的鈉離子電池及其超穩(wěn)定的正極材料。材料合成方法簡(jiǎn)單，反應(yīng)條件溫和，不需要特殊設(shè)備，目前已完成實(shí)驗(yàn)室中試，具備了公斤級(jí)的制備能力。成果具有高的振實(shí)密度，可實(shí)現(xiàn)高體積能量密度，具有非常優(yōu)秀的實(shí)用化潛力。
意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持
東北師范大學(xué)
2025-05-16
杭州艾特力納米新材料科技有限公司
杭州艾特力納米新材料科技有限公司
2025-02-19
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江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司研發(fā)碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)
公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為第三代化合物半導(dǎo)體材料，當(dāng)前產(chǎn)品為 6 寸碳化硅晶體、襯底，未來可拓展至設(shè)備和外延技術(shù)領(lǐng)先。公司創(chuàng)始人在碳化硅行業(yè)有15年以上經(jīng)驗(yàn)，曾任國(guó)際知名碳化硅襯底企業(yè)Norstel高級(jí)研發(fā)工程師，回國(guó)后任世紀(jì)金光研發(fā)副總，獲得北京市特聘專家等榮譽(yù)，擔(dān)任國(guó)家01專項(xiàng)6寸碳化硅襯底項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，研發(fā)出6寸襯底，具備豐富的長(zhǎng)晶和設(shè)備經(jīng)驗(yàn)，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的幾個(gè)掌握碳化硅技術(shù)的人員之一。碳化硅半導(dǎo)體材料行業(yè)前景廣闊，國(guó)內(nèi)碳化硅材料處于起步階段，落后于國(guó)外，能量產(chǎn)的企業(yè)很少，6寸襯底都還沒實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，有技術(shù)的新企業(yè)仍然有機(jī)會(huì)。公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)領(lǐng)先，研發(fā)出6寸襯底，創(chuàng)始人在行業(yè)內(nèi)知名度高，行業(yè)人脈豐富，下游多家器件廠商愿意采購(gòu)產(chǎn)品形成戰(zhàn)略合作，具備量產(chǎn)6寸襯底能力。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！
四川大學(xué)
2021-04-10
一種絕緣芯變壓器型電子輻照加速器安裝工藝
本發(fā)明公開了一種絕緣芯變壓器型電子輻照加速器安裝工藝， 包括以下步驟：在加速器支架上分別安裝高壓電源和加速器主體，通 過連接鋼筒連接高壓電源和加速器主體；高壓電源的安裝工藝依次包 括電源底座的安裝、下磁軛的安裝、過渡盤與第一層高壓底盤的預(yù)安 裝、六層高壓底盤的預(yù)安裝、第一層高壓底盤的安裝、余下各層高壓 底盤的安裝和上磁軛的安裝。按照本發(fā)明安裝工藝安裝絕緣芯變壓器型電子輻照加速器，其安裝精度高，工作效率高，合格率高，保證了 安裝質(zhì)量，節(jié)約了人力、物力和財(cái)力。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種芯殼型納米線三維 NAND 閃存器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該存 儲(chǔ)器件由芯殼型納米線作為 NAND 串組成，所述 NAND 串垂直于襯 底。利用芯殼型納米線作為 NAND 串制作存儲(chǔ)器件，不僅使器件的結(jié) 構(gòu)更加簡(jiǎn)單，也減少了原有器件制作過程中復(fù)雜的制造工藝步驟，簡(jiǎn) 化了制備過程，對(duì)降低制造成本有積極作用
華中科技大學(xué)
2021-04-14