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可組裝結(jié)構(gòu)，包括線圈、常開(kāi)、常閉、公共端連接件、底座等。

本技術(shù)基于聲發(fā)射原理進(jìn)行原巖應(yīng)力測(cè)試的一種方法。聲發(fā)射發(fā)又稱(chēng)凱塞效應(yīng)法，是巖石材料的凱塞效應(yīng)來(lái)測(cè)量巖體原巖應(yīng)力的一種方法。材料在受到外載荷作用時(shí)，期內(nèi)部?jī)?chǔ)存的應(yīng)變能快速釋放產(chǎn)生彈性波并發(fā)生聲響的現(xiàn)象。1950 年，德國(guó)學(xué)者凱塞發(fā)現(xiàn)，受單向拉伸作用的材料在應(yīng)力未達(dá)到材料的最大先期應(yīng)力時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)明顯的聲發(fā)射現(xiàn)象，但應(yīng)力達(dá)到或者超過(guò)歷史上所受的最大值之后，聲發(fā)射率明顯增加，這種現(xiàn)象稱(chēng)為凱塞效應(yīng)。從很少產(chǎn)生聲發(fā)射到大量產(chǎn)生聲發(fā)射的轉(zhuǎn)折點(diǎn)就是凱塞效應(yīng)點(diǎn)，凱塞效應(yīng)點(diǎn)的應(yīng)力即為材料在歷史上受到的最大應(yīng)力。后來(lái)，古德曼在 20 世紀(jì) 60 年代初通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了材料具有凱塞效應(yīng)，從而為應(yīng)用這一技術(shù)測(cè)定巖石應(yīng)力奠定了基礎(chǔ)，根據(jù)凱塞效應(yīng)，如果從原巖中取回定向巖芯制成巖石試件，通過(guò)對(duì)加工好的取自不同方向的巖石試件進(jìn)行加載聲發(fā)射實(shí)驗(yàn)，并測(cè)定凱塞效應(yīng)點(diǎn)，即可找出每個(gè)巖石試件先前受到的最大應(yīng)力值，進(jìn)而可以求出取樣點(diǎn)的三維應(yīng)力狀態(tài)。目前進(jìn)行原巖應(yīng)力的方法主要有直接測(cè)量法和間接測(cè)量法兩大類(lèi)，直接測(cè)量方法包括扁千斤頂法、水壓致裂法等，間接測(cè)量方法主要有應(yīng)力解除法等，這些方法中一般需要進(jìn)行大量的鉆孔、裝配測(cè)試傳感器和測(cè)定等工程工序，工程量大，如果在地下空間進(jìn)行原巖應(yīng)力測(cè)試，空間相對(duì)狹小，施工不方便，也不易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、大區(qū)域內(nèi)的原巖應(yīng)力測(cè)量。本技術(shù)進(jìn)行原巖應(yīng)力測(cè)量和現(xiàn)在所有方法相比，地下空間進(jìn)行測(cè)量時(shí)，只需在測(cè)量地點(diǎn)進(jìn)行一次水平取芯便能完成現(xiàn)場(chǎng)工作，方法簡(jiǎn)單，余下少量的測(cè)量和計(jì)算工作均在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)完成，加快了原巖應(yīng)力測(cè)量的工序進(jìn)行，減少了在地下空間的工作時(shí)間，大大減少了測(cè)量費(fèi)用，特別適合大面積多點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的原理應(yīng)力測(cè)量，而且比較其它原巖應(yīng)力的測(cè)量方法，成功率明顯提高，使得測(cè)量工作更易控制和操作，因此本技術(shù)是原巖應(yīng)力測(cè)量中一種施工方便、工期縮短、成功率高的原巖應(yīng)力測(cè)量方法。

成果描述：本實(shí)用新型公開(kāi)了便攜式電路原理實(shí)驗(yàn)儀,包括實(shí)驗(yàn)儀本體,所述實(shí)驗(yàn)儀本體的下方設(shè)有基座,所述基座靠近實(shí)驗(yàn)儀本體的一側(cè)設(shè)有支柱,所述支柱的兩側(cè)對(duì)稱(chēng)開(kāi)設(shè)有卡槽,所述實(shí)驗(yàn)儀本體靠近基座的一側(cè)設(shè)有固定座,所述固定座靠近基座的一側(cè)開(kāi)設(shè)有固定凹槽,且支柱活動(dòng)設(shè)于固定凹槽內(nèi),所述固定凹槽的兩側(cè)對(duì)稱(chēng)開(kāi)設(shè)有第一槽道,且第一槽道設(shè)于固定座上,所述第一槽道內(nèi)活動(dòng)設(shè)有固定柱,且固定柱延伸至第一槽道外,所述固定柱活動(dòng)設(shè)于卡槽內(nèi),所述固定柱的兩側(cè)對(duì)稱(chēng)設(shè)有活動(dòng)塊,所述活動(dòng)塊上設(shè)有復(fù)位彈簧。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,操作簡(jiǎn)單,能夠快速拆卸基座和支柱,便于人們攜帶,滿(mǎn)足人們的使用需求。市場(chǎng)前景分析：本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,操作簡(jiǎn)單,能夠快速拆卸基座和支柱,便于人們攜帶,滿(mǎn)足人們的使用需求。與同類(lèi)成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：國(guó)內(nèi)領(lǐng)先

提出了系統(tǒng)熱集成的結(jié)構(gòu)性能連續(xù)性原理，并成功應(yīng)用于以船用鍋爐控制柜為代表的分布參數(shù)系統(tǒng)和以換熱網(wǎng)絡(luò)為代表的集總參數(shù)系統(tǒng)，提高工業(yè)過(guò)程 系統(tǒng)能量利用效率。

DR、CT、MRI 和 MRS 系列仿真實(shí)驗(yàn)儀軟件可用于低成本批量化規(guī)范化仿真實(shí)驗(yàn)教學(xué)，同時(shí)還可以在模型設(shè)計(jì)，系統(tǒng)問(wèn)題（偽影）分析和解決，放療模擬定位，提高磁共振掃描效率，人工智能影像診斷領(lǐng)域樣本增廣方面有應(yīng)用。

采用Intel i386EX單板微機(jī)作為系統(tǒng)核心，具有Windows環(huán)境的匯編語(yǔ)言和C語(yǔ)言源程序調(diào)試環(huán)境，具有單步、跳過(guò)、斷點(diǎn)、連續(xù)、變量跟蹤等調(diào)試手段，全面支持80x86實(shí)模式和保護(hù)模式的教學(xué)實(shí)驗(yàn)，支持課程設(shè)計(jì)和電子競(jìng)賽。

相關(guān)成果已獲授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利4項(xiàng)（其中國(guó)際發(fā)明專(zhuān)利1項(xiàng)）、實(shí)用新型專(zhuān)利兩項(xiàng)，已申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利8項(xiàng)。獲中國(guó)僑界貢獻(xiàn)獎(jiǎng)（創(chuàng)新成果）、江蘇僑界貢獻(xiàn)獎(jiǎng)（創(chuàng)新成果）、第十三屆“挑戰(zhàn)杯”全國(guó)大學(xué)生課外學(xué)術(shù)科技作品競(jìng)賽團(tuán)體二等獎(jiǎng)、第八屆全國(guó)研究生電子設(shè)計(jì)大賽全國(guó)總決賽“團(tuán)體特等獎(jiǎng)”、第十四屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)高校展區(qū)優(yōu)秀展品二等獎(jiǎng)等多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。2015年4月榮獲第43屆日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展特別金獎(jiǎng)。

隨著納米技術(shù)的發(fā)展，光學(xué)腔的尺寸越來(lái)越小，甚至可以達(dá)到亞波長(zhǎng)尺度或者納米尺度，同時(shí)伴隨著非常局域的電場(chǎng)。由于金屬的損耗以及低的收集效率，單個(gè)表面等離激元納腔和單個(gè)量子發(fā)射體的強(qiáng)耦合很少被報(bào)道。論文通過(guò)精心設(shè)計(jì)光學(xué)模式，將金屬納腔置于金屬或者介質(zhì)納米線提供的一維的電磁真空背景中，通過(guò)一維電磁背景強(qiáng)局域效應(yīng)，可極大地增強(qiáng)單個(gè)量子發(fā)射體和金屬納腔的相互作用。理論指出在疏逝的電磁背景下，納米間隙中的耦合系數(shù)可以達(dá)到真空中的4.2倍，同時(shí)熒光收集效率可提高到47%。此外，這個(gè)體系輻射出的光子，還可以通過(guò)納米線的一維倏逝波導(dǎo)入到集成芯片上。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于投影莫爾原理的共面度測(cè)量系統(tǒng)，包括冷光源(1)，準(zhǔn)直透鏡(2)，CCD 攝像機(jī)(3)，LCD 面板(4)，投影透鏡(5)，光學(xué)平臺(tái)(6)，高精度移動(dòng)臺(tái)(7)和計(jì)算機(jī)(8)。所述 LCD 面板(4)上顯示通過(guò)所述計(jì)算機(jī)(8)產(chǎn)生的條紋圖案，所述冷光源(1)發(fā)出的光經(jīng)所述準(zhǔn)直透鏡(2)后照射到所述 LCD 面板(4)上，將顯示在所述 LCD 面板(4)上的條紋圖案投影到被裝載在高精度移動(dòng)臺(tái)(7)上的參考平面或者待測(cè)物表面上，所述 CCD 攝像機(jī)(3)設(shè)置在 LCD 面板(4)側(cè)面。本

概述： FCP磁場(chǎng)控制平臺(tái)是根據(jù)磁控原理設(shè)計(jì)的理想磁測(cè)量系統(tǒng)，磁場(chǎng)范圍超過(guò)3T，利用TESTIK475高斯計(jì)穩(wěn)定磁場(chǎng)控制，適合各系列電磁鐵配置，連續(xù)可變的電磁氣隙，實(shí)心的和光學(xué)入口極帽，線型雙極，真實(shí)四象限電磁鐵電源。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正茂磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁控原理磁測(cè)量系統(tǒng) FCP磁場(chǎng)控制平臺(tái)控制特征： TESTIK475型高斯計(jì)努力保持確切的磁場(chǎng)密度，用戶(hù)輸入的控制設(shè)定點(diǎn)，用G、T、Oe、A/m來(lái)表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場(chǎng)控制平臺(tái)集成了硬件和控制部件來(lái)形成一個(gè)變化的磁場(chǎng)平臺(tái)，可以被獨(dú)立的被利用或做為用戶(hù)設(shè)計(jì)的測(cè)量系統(tǒng)的一個(gè)基礎(chǔ)。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正茂磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁控原理磁測(cè)量系統(tǒng) ※ 磁場(chǎng)控制平臺(tái)包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術(shù)的高斯計(jì)、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場(chǎng)控制平臺(tái)具有不同的配制用來(lái)滿(mǎn)足在磁場(chǎng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)均勻性、樣品尺寸、自定義測(cè)量要求等基礎(chǔ)之上的用戶(hù)要求?？梢元?dú)立的形成用戶(hù)所需要的不同磁場(chǎng)強(qiáng)度的可變磁場(chǎng)。廣泛用于磁光測(cè)量系統(tǒng)、VSM測(cè)量系統(tǒng)、在線退火、霍爾效應(yīng)、磁化率測(cè)量、自旋磁共振、B-H曲線測(cè)量和精準(zhǔn)的傳感器校準(zhǔn)等領(lǐng)域。 475高斯計(jì)從高斯計(jì)霍爾探頭得到反饋來(lái)計(jì)算并調(diào)整控制（模擬）輸出。為了更大程度實(shí)現(xiàn)控制的穩(wěn)定性，475型高斯計(jì)每33毫秒更新模擬輸出。結(jié)果是一個(gè)內(nèi)置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場(chǎng)穩(wěn)定性。 ※ 當(dāng)設(shè)定點(diǎn)速率激活的時(shí)候，儀器會(huì)開(kāi)始從當(dāng)前磁場(chǎng)讀數(shù)加速而不是當(dāng)前設(shè)定點(diǎn)，基于對(duì)P和I的設(shè)定。另外，475高斯計(jì)能設(shè)定速率來(lái)控制設(shè)定點(diǎn)，從當(dāng)前磁場(chǎng)讀數(shù)到一個(gè)新的值，使用一個(gè)磁場(chǎng)中平滑線性變換而不是瞬態(tài)特性的PI控制。 ※ 開(kāi)環(huán)磁場(chǎng)控制也可能用手動(dòng)輸出來(lái)使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動(dòng)用戶(hù)調(diào)整。這個(gè)方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶(hù)可設(shè)定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場(chǎng)控制系統(tǒng)遭到不合適的調(diào)整或開(kāi)始擺動(dòng)而不會(huì)損壞。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ FCP磁場(chǎng)控制平臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)配置： TESTIK475有1個(gè)計(jì)算機(jī)接口：RS-232串口:。這個(gè)接口可以設(shè)置所有儀器參數(shù)和測(cè)量值得讀回。在磁場(chǎng)控制期間，接口的讀數(shù)率是額定每秒30個(gè)讀數(shù)。475的LabVIEW驅(qū)動(dòng)是提供的（選配）。磁場(chǎng)控制平臺(tái)不含應(yīng)用軟件。