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一種倒裝 LED 芯片在線檢測方法
本發明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測方法，該方法所涉及 的檢測裝置包括盤片裝載臺、運輸傳輸系統、收光測試組件、探針工 作臺以及探測對準系統，其中，該在線檢測方法為:在工作中，運輸 傳送系統可以運輸盤片工作臺到合適的工作區域，調整位姿之后，啟 動探測對準系統對探針工作臺進行控制，使探針與待測試的芯片接觸 通電，使芯片發亮，從而收光測試組件可以對其進行檢測。按照本發 明的機械結構，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機和發光面不同側的 問題，并且采用了精密圖像
華中科技大學
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測裝置
本發明公開了一種倒裝 LED 芯片測試裝置，該裝置包括:工作臺模塊、運輸傳輸組件、收光測試組件、探針測試平臺以及精密對準 系統，其中，在工作中，運輸傳輸組件可以運輸待測試倒裝 LED 芯片 到合適的工作區域，使待測試倒裝 LED 芯片對準收光測試組件的收光 口處，調整位姿之后，啟動探針測試平臺，使探針與待測試的芯片接 觸通電，使芯片發亮，從而收光測試組件可以對其進行檢測。按照本 發明的機械結構，能夠成功地解決倒裝 LED
華中科技大學
2021-04-14
光學超晶格鈮酸鋰有源光量子芯片
國際上第一個鈮酸鋰有源光量子芯片
一、項目分類
重大科學前沿創新、關鍵核心技術突破
二、成果簡介
南京大學物理學院祝世寧院士的科研團隊，研制出國際上第一個鈮酸鋰有源光量子芯片。該芯片集成了微型化光學超晶格糾纏光源、波導量子干涉器、波分復用器及電光調制器等不同功能器件,實現了糾纏光子的高效產生、高速電光調制并完成相應的信息處理功能。該芯片由光纖耦合輸入輸出,能在室溫穩定工作，工作電壓低于3.55V，調控速率可達40GHz。芯片的多項核心指標如糾纏光子產率、調諧速率、調諧帶寬等創下當時國際最高水平，為光量子集成光學和信息處理開辟了一條和硅基芯片不同的技術路線。
成果以編輯推薦形式發表在物理學頂級期刊《物理評論快訊》(Phys. Rev. Lett. ,2014)上，被國際Physics、IEEE Spectrum等科技媒體重點評述。成果也成功入選中國光學十大進展(2014)，以此為主要成果之一的“光學超晶格中糾纏光子的產生、調控和應用”獲2020年高等學校自然科學獎一等獎。以此成果為基礎，團隊成功獲批和完成基金委重大科研儀器研制項目，研制出多種高性能量子光源。
南京大學
2022-08-12
基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片
本發明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電極層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質石墨烯膜構成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質的勻質石
華中科技大學
2021-04-14
一種液晶基紅外波束偏振控制芯片
本發明公開了一種液晶基紅外波束偏振控制芯片，包括芯片殼體(4)以及位于該芯片殼體(4)內的陣列化液晶偏振控制結構(3)；芯片殼體(4)上設置有第一驅控信號輸入端口(1)，第二驅控信號輸入端口(2)，第三驅控信號輸入端口(5)，第四驅控信號輸入端口(6)。紅外光波進入芯片的陣列化液晶偏振控制結構后，按照液晶偏振控制結構的陣列規模和排布情況被離散化為子波束陣。子波束與受控電場激勵下的液晶分子相互作用，被執行水平、垂直、4
華中科技大學
2021-04-14
一種芯片連晶缺陷識別方法
本發明公開了一種芯片連晶缺陷識別方法，該發明主要用于在 芯片制造過程中識別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個步驟：步驟 一，對采集到的芯片圖片進行模板匹配，定位出芯片的位置，根據芯 片的位置，對圖片進行截取；步驟二，對截取獲得的圖片進行預處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對經過預處理的圖片進行分割， 獲取 blob 塊，對 blob 塊進行特征分析：首先以面積為基準判斷出是否 含連晶缺陷；對面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點以及四邊中點的位置，以中心點以及四邊
華中科技大學
2021-04-14
高清數字視頻及寬帶網絡ADC芯片設計
主要功能和應用領域：主要應用在數字視頻芯片（DVB，DAB，DMB等數字視頻廣播標準）和通信網絡（WLAN，WiFi，WiMAX等）領域。具有極為廣泛的用途和應用價值。 特色及先進性：在滿足數字視頻芯片和通信網絡要求下，采用了自創的校正方法，實現了更低的功耗、大大節省了芯片面積、降低了芯片的復雜度、提高了芯片的穩定性、不易受外界環境如溫度、電源電壓和工藝的影響，使性能更加出色。 技術指標：采樣速率200MSps，分辨率10-Bit，ENOB達到8.7-Bit以上（±10%電源電壓變化和-40~125度溫度變化），總體功耗 < 100mW。 實施后可取得的效果：此類ADC芯片應用領域極廣，中高端領域均有大量且穩定的需求。一旦形成產品，產量和銷售極其可觀。現在市場上此類ADC芯片主要掌握在國外大公司手里，定價相對較高，如果能夠實現同等性能下更低的定價或者同等價位但是更出色的性能，將有巨大的市場。
電子科技大學
2021-04-10
EIS 型無標記病理芯片及其檢測系統的研究
項目簡介： 本成果提供了一種以光尋址電位傳感器（LAPS）為核心、基于現代電子學的光電化學型生化分析平臺，具有陣列式、光可尋址、無標 記等優點。同時，該成果作為一個測試平臺，可將多種生物化學響應 過程移植于其上，具有應用靈活的優勢，例如，與噬菌體展示技術結 合，將特異于轉移腫瘤細胞的噬菌體固定于芯片表面，實現了對轉移 乳腺癌腫瘤細胞（MDAMB231）無標記檢測，如圖 1 所示；與基于左 旋多巴（L-dopa）的表面仿生活化策略相結合，對免疫球蛋白（IgG） 探針固定、免疫響應進行了全程監測，并將其推廣至甲胎蛋白（AFP）、 癌胚抗原（CEA199）、鐵蛋白（Ferritin）等四種原發性肝癌相關腫瘤 標志物的聯合檢測，如圖 2 所示；利用新材料——氧化石墨烯（GO， graphene oxide），構建了 GO 功能化光電化學型 DNA 檢測體系，實 現對 ssDNA 探針固定、及其與三種不同長度 ssDNA 雜交的無標記檢 測，如圖 3 所示。
南開大學
2021-04-11
高清數字視頻及寬帶網絡ADC芯片設計
ADC芯片
電子科技大學
2021-04-10
高性能CMOS成像芯片關鍵技術研發與應用
CMOS成像芯片廣泛應用于手機、相機、安保、工業、醫療、科學等眾多應用領域。該領域的絕大部分市場和技術被國外廠商壟斷。成像芯片大量依賴進口存在重大技術風險和政治風險。該項目通過產學研合作，從器件、電路及工藝等多層次突破了高性能CMOS成像芯片的關鍵技術，形成了一批國際、國內發明專利以及集成電路布圖設計等知識產權，開發了國際首款128級TDI型CMOS圖像傳感器芯片，打破了國外在高端成像技術上的壟斷。本項目技術成果達到國際領先水平，且相關成像技術已在產業界得到應用。
天津大學
2021-04-10