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有機(jī)光電器件中的薄膜電導(dǎo)率提高機(jī)理技術(shù)研究
本成果通過有機(jī)光電器件中有機(jī)薄膜的缺陷態(tài)來揭示： 1. 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級(jí)排布或者出現(xiàn)的界面能級(jí)釘扎的機(jī)理； 3. 缺陷態(tài)的存在對器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機(jī)、無機(jī)材料摻雜來極大的提高有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機(jī)光電器件的性能。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
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一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械能的捕獲效果。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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東北師范大學(xué)在憶阻材料與器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
憶阻器具有運(yùn)行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優(yōu)勢，在信息存儲(chǔ)、邏輯運(yùn)算、類腦計(jì)算等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，被視為推進(jìn)信息技術(shù)發(fā)展的一種變革性技術(shù)。
東北師范大學(xué)
2022-06-08
一種可調(diào)控的空間電磁感應(yīng)透明超材料器件
本發(fā)明公開了一種可調(diào)控的空間電磁感應(yīng)透明超材料器件。該 器件包括基板和位于基板上的能產(chǎn)生電磁感應(yīng)透明現(xiàn)象的金屬單元陣 列；所述金屬單元陣列包括多個(gè)陣列分布的金屬單元，所述金屬單元 包括第一金屬微結(jié)構(gòu)和第二金屬微結(jié)構(gòu)，所述第一金屬微結(jié)構(gòu)包括第 一金屬圖形，所述第二金屬微結(jié)構(gòu)包括第二金屬圖形，所述第一金屬 微結(jié)構(gòu)和/或所述第二金屬微結(jié)構(gòu)還包括半導(dǎo)體元件。本發(fā)明能有效解 決現(xiàn)有技術(shù)中不能簡單快速地對電磁感應(yīng)透明超材料的工作
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于同質(zhì)器件架構(gòu)的感算存一體化神經(jīng)形態(tài)硬件
該成果創(chuàng)新性地基于二維半導(dǎo)體的硅基同質(zhì)器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計(jì)算-存儲(chǔ)一體化”神經(jīng)形態(tài)芯片架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了光電傳感、放大運(yùn)算、信息存儲(chǔ)功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實(shí)現(xiàn)類腦智能提供了一種全新思路。
繆向水教授團(tuán)隊(duì)，長期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。
同質(zhì)晶體管-存儲(chǔ)器架構(gòu)的原理及器件結(jié)構(gòu)
繆向水團(tuán)隊(duì)長期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。
華中科技大學(xué)
2022-08-12
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低 C/N 比城市污水連續(xù)流脫氮除磷工藝與過程控制技術(shù)
針對國內(nèi)外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達(dá)標(biāo)及能耗高的技術(shù)難題，本成果經(jīng)過 10 余年的潛心研究與工程實(shí)踐，提出了 1 個(gè)原創(chuàng)理論與方法，突破了 3 項(xiàng)新技術(shù)應(yīng)用的瓶頸，開發(fā)并集成了 4 個(gè)低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術(shù)，共獲得 28 項(xiàng)授權(quán)的發(fā)明專利，發(fā)表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文提名獎(jiǎng)，2 項(xiàng)國家級(jí)火炬計(jì)劃項(xiàng)目。本成果為低 C/N 比城市污水連續(xù)流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補(bǔ)了我國在此項(xiàng)技術(shù)研究領(lǐng)域的空白，形成了具有我國自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的污水脫氮除磷技術(shù)。
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-13
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超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:Cr2N層與WC層交替分布實(shí)現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強(qiáng)的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時(shí)非晶WC層進(jìn)一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
低C/N比城市污水連續(xù)流脫氮除磷工藝與過程控制技術(shù)
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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TiO2/g-C3N4納米復(fù)合物用于可見光產(chǎn)氫
課題組依據(jù)共價(jià)鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構(gòu)筑了三類TiO 2
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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一種分辨 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的雙光柵光譜儀系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達(dá)系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單本發(fā)明 公開一種分辨 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的雙光柵光譜儀系統(tǒng)。包括信號(hào)饋入單元、光學(xué)色散單元和信號(hào)檢 測單元。信號(hào)饋入單元采用集束光纖將傳導(dǎo)的信號(hào)光饋入光學(xué)色散單元;光學(xué)色散單元包含兩組級(jí)聯(lián)的 準(zhǔn) Littrow 結(jié)構(gòu)布局的單光柵色散系統(tǒng);信號(hào)檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內(nèi)譜信號(hào)。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產(chǎn)生的 Stokes 振轉(zhuǎn) Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側(cè)的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發(fā)明能提取 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的分辨與檢測，同時(shí)能對 354.8nm 附近光信號(hào)產(chǎn)生大幅抑制。
武漢大學(xué)
2021-04-13