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本發(fā)明公開(kāi)了一種隧道結(jié)單元及磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復(fù)合自由層結(jié)構(gòu)；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發(fā)生翻轉(zhuǎn)；由于第二自由層和第一自由層之間的

（一）項(xiàng)目背景 當(dāng)前以硅、砷化鎵為代表的第一和二代半導(dǎo)體接近其物理極限，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是當(dāng)前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)，也是我國(guó)發(fā)展自主核心半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、實(shí)現(xiàn)換道超車(chē)的難得機(jī)遇。氮化鎵（GaN）特別適合制作高頻、高效、高溫、高壓的大功率微波器件，是下一代通信、雷達(dá)、制導(dǎo)等電子裝備向更大功率、更高頻率、更小體積和抗惡劣環(huán)境（高溫抗輻照）方向發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。 目前氮化鎵基射頻器件已接近于商用，需解決從走出實(shí)驗(yàn)室到小量中試的最后“1 公里”，重點(diǎn)攻克其在可靠性工藝和量產(chǎn)穩(wěn)定性的瓶頸。 以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是當(dāng)前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)，也是我國(guó)發(fā)展自主核心半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、實(shí)現(xiàn)換道超車(chē)的難得機(jī)遇。 半導(dǎo)體作為信息時(shí)代的“糧食”，將成為 5G 基建、特高壓、城際高鐵和城際軌道交通、新能源汽車(chē)充電樁、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等“新基建”七大領(lǐng)域發(fā)展的支柱性產(chǎn)業(yè)。而氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體先進(jìn)電子器件，憑借其高效、高壓、高溫等優(yōu)勢(shì)，將在“新基建”中大放異彩，可以彌補(bǔ)傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的技術(shù)瓶頸，滿足更高性能器件要求。 （二）項(xiàng)目簡(jiǎn)介 5G 要求更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，發(fā)射機(jī)的效率會(huì)出現(xiàn)指數(shù)級(jí)的下降。這種下降可以使用包絡(luò)跟蹤技術(shù)來(lái)修復(fù)，該技術(shù)已經(jīng)在較新的 4G/LTE 基站以及蜂窩電話中采用。基站中的包絡(luò)跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用 GaN 技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。諸如 GaN 助力運(yùn)營(yíng)商和基站 OEM 等實(shí)現(xiàn)了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大規(guī)模 MIMO 的目標(biāo)。 GaN 可以說(shuō)為 5Gsub-6-GHz 大規(guī)模 MIMO 基站應(yīng)用提供了眾多優(yōu)勢(shì)：1、在 3.5GHz 及以上頻率下表現(xiàn)良好，對(duì)比其他產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)明顯。2、GaN 的特性能轉(zhuǎn)化為高輸出功率，寬帶寬和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 輸出功率下的平均效率達(dá)到 50%至 60%，明顯降低了發(fā)射功耗。3、在高頻和寬帶寬下的效率意味著大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)可以更緊湊。4、可在較高的工作溫度下可靠運(yùn)行，這意味著它可以使用更小的散熱器。 根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 5G 移動(dòng)連接將從 2019 年的 500 萬(wàn)增長(zhǎng)到 2023 年的近 6 億。所以需求還將不斷上漲。 根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)5G移動(dòng)連接將從2019年的500萬(wàn)增長(zhǎng)到2023年的近6億。所以需求還將不斷上漲。 Efficient Power Conversion 的首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow 討論5G時(shí)也說(shuō)道：“基站中的包絡(luò)跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用GaN技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。根據(jù)Yole Development公司發(fā)布的2018年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，隨著全球整體數(shù)據(jù)流量的激增，我國(guó)5G產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)大規(guī)模的需求增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2022年，我國(guó)5G基站規(guī)模將達(dá)到千億市場(chǎng)，5G基站數(shù)量將達(dá)百萬(wàn)個(gè)。所以未來(lái)氮化鎵基射頻器件是5G通信基站收發(fā)端的核心。 氮化鎵基射頻器件是華為和中興發(fā)展 5G 通信產(chǎn)業(yè)的核心器件，西安電子科技大學(xué)氮化鎵射頻器件研究團(tuán)隊(duì)自 2016 年起就與華為西安研究所、中興西安研究所等國(guó)內(nèi)主流5G通信公司協(xié)同攻關(guān)開(kāi)展氮化鎵基射頻器件的研究，目前承擔(dān)的流片服務(wù)項(xiàng)目合計(jì)約 500 萬(wàn)元。 2017 年，西安電子科技大學(xué)與西安市高新區(qū)、西電電氣集團(tuán)等聯(lián)合成立“陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心”，中心致力于推動(dòng)陜西第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)以氮化鎵為代表的射頻器件、功率器件等加速產(chǎn)業(yè)化，2019 年團(tuán)隊(duì)向陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心轉(zhuǎn)讓專(zhuān)利 35 項(xiàng)，作價(jià) 2000 萬(wàn)元，雙方正在聯(lián)合推進(jìn)搭建第三代半導(dǎo)體中試平臺(tái)，平臺(tái)將會(huì)立足西安，服務(wù)全國(guó)，提升氮化鎵基射頻器件量產(chǎn)工藝可靠性，實(shí)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。 （三）關(guān)鍵技術(shù) 本項(xiàng)目由西安電子科技大學(xué)作為技術(shù)攻關(guān)的主要單位，制定技術(shù)路線，保障國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移動(dòng)通信 GaN 芯片可靠性機(jī)理研究”研究，與華為和中興聯(lián)合開(kāi)展工程合作項(xiàng)目實(shí)施，加快解決器件工藝可靠性工程問(wèn)題，重點(diǎn)開(kāi)展氮化鎵微波功率與太赫茲器件工程技術(shù)研究，突破高性能低缺陷外延材料生長(zhǎng)、高效率高可靠氮化鎵微波功率器件工藝技術(shù)等關(guān)鍵瓶頸問(wèn)題，協(xié)助規(guī)模量產(chǎn)高效率 S-Ku 波段典型氮化鎵功率器件和模塊、5G 基站核心射頻模塊。

可以設(shè)計(jì)并優(yōu)化光纖激光器和放大器、光波導(dǎo)激光器、光纖耦合器、多芯光纖、螺旋芯光纖、錐形光纖；也可以模擬超短脈沖在不同光纖設(shè)備中的傳輸，例如在光纖放大器系統(tǒng)、鎖模光纖激光器和通訊系統(tǒng)中的傳輸。 能夠跟蹤和優(yōu)化光纖放大器和光纖激光器，讓它們適合各種應(yīng)用。幫助評(píng)估和排除光纖激光器和放大器中各種不利的影響；能夠?qū)τ性垂饫w器件性能進(jìn)行預(yù)測(cè)；能尋找最佳光纖長(zhǎng)度、摻雜濃度、折射率分布等；能夠計(jì)算摻雜濃度與光線的關(guān)系，準(zhǔn)確模擬雙包層光纖，還可以模擬時(shí)域動(dòng)態(tài)變化，可以理解和優(yōu)化的細(xì)節(jié)如功率效率和噪聲系數(shù)。 RP Fiber Power可用于分析和優(yōu)化各種器件： 單模和多模光纖 計(jì)算模式特性；計(jì)算光纖耦合系數(shù)；模擬光纖彎曲、非線性自聚焦效應(yīng)對(duì)光束傳輸和高階光孤子傳輸?shù)挠绊憽? 光纖耦合器、雙包層光纖、多芯光纖、平面波導(dǎo) 模擬雙包層光纖的泵浦吸收,光纖耦合器的光束傳輸, 光在錐形光纖的傳輸, 分析彎曲的影響, 放大器中的交叉飽和影響, 泄漏模式等。 光纖放大器 研究單級(jí)和多級(jí)放大器中的增益飽和特性(連續(xù)或脈沖放大器), 鉺鐿共摻光纖放大器能量轉(zhuǎn)移過(guò)程、猝滅效應(yīng)、自發(fā)輻射放大等。 光纖通信系統(tǒng) 分析色散與非線性信號(hào)失真，放大器噪聲的影響，優(yōu)化放大器非線性效應(yīng)和放置位置。 光纖激光器 分析并優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率、波長(zhǎng)調(diào)諧范圍、動(dòng)態(tài)調(diào)Q。 超快光纖激光器和放大器 研究脈沖的形成機(jī)制和穩(wěn)定范圍，非線性效應(yīng)和色散的影響，拋物脈沖放大，優(yōu)化色散脈沖壓縮，靈敏度反饋，超連續(xù)譜的產(chǎn)生。 脈沖和超快速固體激光器和放大器 研究Q開(kāi)關(guān)，模式鎖定行為，找到可飽和吸收器所需的特性，分析反饋靈敏度，啁啾脈沖放大研究再生放大穩(wěn)定性極限。 這款軟件是致力于光纖器件學(xué)科研究或工業(yè)開(kāi)發(fā)人士的必備工具。這款軟件及其技術(shù)支持將為您的工作效率和工作能力提供極大的便利。同時(shí)，這款軟件也是一款相當(dāng)出色的教學(xué)工具。 目前已使用該軟件的高校：耶拿大學(xué)、英國(guó)南普頓大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、上海技術(shù)應(yīng)用學(xué)院、華中科技大學(xué)、西北大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、深圳大學(xué)、國(guó)防科技大學(xué)、長(zhǎng)春理工大學(xué)、南京理工大學(xué)等。 目前已使用該軟件的單位：費(fèi)朗霍夫研究所、蘇州納米所、兵器裝備部、三江航天、上海光機(jī)所、綿陽(yáng)九院、中科院軟件所、中科院光電所商業(yè)單位、北京敏視達(dá)雷達(dá)有限公司等。   ※ 光纖數(shù)據(jù)： 軟件中帶有各種稀土摻雜光纖數(shù)據(jù)，即時(shí)可以仿真各種光纖激光器和放大器。   ※ 各種公開(kāi)數(shù)據(jù)： “Yb-germanosilicate” “ErYb-phosphate” “Er-fluorozirconate F88” “Er-silicate L22”  “Er-fluorophosphate L11”  

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 紫外光加速老化試驗(yàn)機(jī)|紫外光耐氣候試驗(yàn)箱|紫外老化箱 產(chǎn)品名稱(chēng)：紫外光加速老化試驗(yàn)機(jī)|紫外光耐氣候試驗(yàn)箱|紫外老化箱 產(chǎn)品售價(jià)： 請(qǐng)咨詢(xún) 產(chǎn)品規(guī)格：ZN-P 產(chǎn)品備注：該系列產(chǎn)品適用于非金屬材料的耐陽(yáng)光和人工光源的老化試驗(yàn)。 說(shuō)明： ■ 紫外老化箱產(chǎn)品用途   該系列產(chǎn)品適用于非金屬材料的耐陽(yáng)光和人工光源的老化試驗(yàn)。 ■ 紫外老化箱箱體結(jié)構(gòu)   箱體采用數(shù)控機(jī)床加工成型，造型美觀大方，箱蓋為雙向翻蓋式，操作簡(jiǎn)便。 箱體內(nèi)膽采用進(jìn)口高級(jí)不銹鋼板，箱體外膽采用A3鋼板噴塑，增加了外觀質(zhì)感和潔凈度。 加熱方式為內(nèi)膽水槽式加熱，升溫快，溫度分布均勻。 排水系統(tǒng)使用回渦型及U型積沉裝置排水，方便用戶(hù)清潔。 ■ 紫外老化箱控制系統(tǒng)   采用黑色鋁板聯(lián)接溫度傳感器，采用黑板溫度儀表控制加熱，溫度更穩(wěn)定。 輻射計(jì)探頭采用固定式，無(wú)須每次裝卸。 輻射量采用高精度顯示和測(cè)量的專(zhuān)用紫外線輻照計(jì)。 輻射度不大于50W/ m2。 光照和冷凝可獨(dú)立控制可以交替循環(huán)控制。 光照和冷凝的獨(dú)立控制時(shí)間和交替循環(huán)控制的時(shí)間可在一千小時(shí)內(nèi)任意設(shè)置。 ■ 紫外老化箱符合標(biāo)準(zhǔn)   GB/T16422.3-1997 GB/T16585-96    紫外老化箱規(guī)格與技術(shù)參數(shù)   型號(hào) ZN-P 工作室尺寸D×W×H 450×1170×500 支持樣板數(shù)量：150×75約40塊 性能指標(biāo) 溫度范圍 RT＋10℃～70℃ 濕度范圍 ≥95％R.H 燈管間距離 35mm 樣品與燈管距離 50mm 紫外波長(zhǎng) 290nm～400nm UV-A、UV-B、UV-C（定貨時(shí)說(shuō)明） 燈管功率 40W 溫濕度運(yùn)行控制系統(tǒng) 溫度控制器 進(jìn)口LED數(shù)顯P、I、D+S、S、R.微電腦集成控制器 時(shí)間控制器 進(jìn)口可編程時(shí)間電腦集成控制器（金鐘默勒） 光照加熱系統(tǒng) 全獨(dú)立系統(tǒng)，鎳鉻合金電加熱式加熱器 凝露加濕系統(tǒng) 全不銹鋼淺表面蒸發(fā)式加濕器 黑板溫度 雙金屬黑板溫度計(jì) 供水系統(tǒng) 加濕供水采用自動(dòng)控制 暴露方式 濕汽冷凝暴露，光照輻射暴露 安全保護(hù) 漏電、短路、超溫、缺水、過(guò)電流保護(hù)/控制器停電記憶

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車(chē)輛、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能發(fā)電、列車(chē)牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計(jì)方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場(chǎng)角情況下的視場(chǎng)分離。

傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對(duì)壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。

本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。

項(xiàng)目概況 針對(duì)小型化、集成化、高頻率和高運(yùn)算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對(duì)流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點(diǎn) 1. 選擇合適的外加磁場(chǎng)和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場(chǎng)梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過(guò)程的磁場(chǎng)的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo)     建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場(chǎng)條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場(chǎng)、熱場(chǎng)和重力場(chǎng)協(xié)同作用下的流動(dòng)傳熱效果。促進(jìn)節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場(chǎng)前景 目前該項(xiàng)目已通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)污染，無(wú)三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。