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我國成功實現51比特超導量子簇態制備和驗證
中國科學家繼2017年起先后完成10比特、12比特、18比特的真糾纏態制備之后，在量子科技領域又一次刷新世界紀錄——成功實現51比特超導量子簇態制備和驗證。
科創中國
2023-07-17
中國科學技術大學展示量子熱機優越性
中國科學技術大學中科院微觀磁共振重點實驗室杜江峰、王亞等人在金剛石氮-空位色心體系構建的量子希拉德熱機上實驗展示了量子關聯導致的量子優越性。
中國科學技術大學
2022-03-10
微納尺度腔量子電動力學新原理
隨著納米技術的發展，光學腔的尺寸越來越小，甚至可以達到亞波長尺度或者納米尺度，同時伴隨著非常局域的電場。由于金屬的損耗以及低的收集效率，單個表面等離激元納腔和單個量子發射體的強耦合很少被報道。論文通過精心設計光學模式，將金屬納腔置于金屬或者介質納米線提供的一維的電磁真空背景中，通過一維電磁背景強局域效應，可極大地增強單個量子發射體和金屬納腔的相互作用。理論指出在疏逝的電磁背景下，納米間隙中的耦合系數可以達到真空中的4.2倍，同時熒光收集效率可提高到47%。此外，這個體系輻射出的光子，還可以通過納米線的一維倏逝波導入到集成芯片上。
北京大學
2021-04-11
中國科學技術大學實現新型自旋量子放大技術
中國科學技術大學中國科學院微觀磁共振重點實驗室彭新華研究組在自旋量子精密測量領域取得重要進展，首次提出和驗證了Floquet自旋量子放大技術，該技術克服了以往只在單個頻率處量子放大的局限性，實現了多頻段極弱磁場信號的量子放大，靈敏度達到了飛特斯拉水平。
中國科學技術大學
2022-07-11
一種三維量子阱結構光電裸芯片
一種三維量子阱結構光電裸芯片，屬于一種量子阱結構光電裸芯片，解決現有三維量子阱結構光電裸芯片工作面積有限、工藝復雜、成本高的問題。本實用新型自下而上包括：襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層、p 型層，所述襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層和 p 型層表面形狀走向一致，均為均勻分布的凸臺陣列或者均勻分布的凹槽陣列，或者均勻分布的相間的凸臺和凹槽所構成的陣列。本實用新型增大了襯底層工作面積，在其上直接生長一層緩沖層來進行應力與晶格匹配，克服了工作面積與襯底面積之比較低所帶來的量子轉換效率低的問題；本實用
華中科技大學
2021-04-14
中國科大實現光子偏振態的可集成固態量子存儲
郭光燦院士團隊在固態量子存儲領域取得重要進展。該團隊李傳鋒、周宗權研究組基于自主加工的激光直寫波導，實現了光子偏振態的可集成固態量子存儲，存儲保真度高達99.4±0.6%，該工作顯著推進了可集成量子存儲器在量子網絡中的應用。
中國科學技術大學
2022-06-02
供應各種窗片棱鏡晶體等（定制）//長春博盛量子
產品詳細介紹 濾光片濾色片（尺寸要求可定制）帶通濾光片 截止濾光片 干涉濾光片 激光濾光片 熒光濾光片紅光藍光綠光可見光濾光片325nm-1064nm 產品名稱： CS式濾光片支架 產品名稱： 濾光片支架產品名稱： 濾光片支架產品名稱： 濾光片輪產品名稱： 濾光片固定輪產品名稱： 濾光片輪 FR 65 產品名稱： 濾光片輪 FR 40 產品名稱： 真空紫外濾光片產品名稱： 激光線濾光片產品名稱： 熒光濾光片產品名稱： 拉曼濾光片產品名稱： 光通信薄膜濾光片產品名稱： Andover公司系列濾光片 產品名稱： 雙濾光片盒產品名稱： AB系列濾光片 產品名稱： AB系列全自動濾光片輪 產品名稱： 濾光片輪產品名稱： LDP系列濾光片 濾光片包含波段325nm355nm375nm387nm473nm488nm491nm532nm561nm632.8nm647.1nm670.1nm780nm785nm808nm830nm976nm980nm1047.1nm1064nm
長春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
單分子晶體管器件研究取得重要進展
當電子器件基本單元--晶體管的尺寸進入到亞納米尺度，量子效應將越來越顯著。探索極端尺度下的晶體管器件并研究其性能和物理機理，對未來信息技術以及介觀物理學的發展具有深刻的意義。
科技部
2021-04-19
電子材料及器件低頻噪聲-可靠性測試平臺
電子材料及器件噪聲-可靠性測試平臺，該系統是國內外首套電子器件噪聲-可靠性分析系統。采用了基于虛擬儀器的微弱噪聲測試、基于噪聲的可靠性診斷方法、電子器件噪聲的子波分析方法等關鍵技術，將子波分析用于噪聲-可靠性表征，可對各種電子器件和集成電路模塊進行噪聲測試與分析、內部潛在缺陷診斷和無損預篩選。系統可以測量電子器件的各種噪聲參數，同時對噪聲進行頻譜分析、子波分析、集總參數分析。具有實時檢測、采集、和分析, 高精度、高可靠性、智能化、小體積的優點，良好的通用性和可升級性使其同時適用于科研和生產單位。
電子科技大學
2021-04-10
一種用于ESD保護的低壓觸發SCR器件
本發明公開了一種用于 ESD 保護的低壓觸發 SCR 器件。本發明創造采用第一 PMOS 和第二 PMOS 分別進行襯底觸發和柵觸發，從而降低 SCR 器件的觸發電壓。 ESD 脈沖信號施加在 Anode 和 Cathode 之間，第一 PMOS 和第二 PMOS 首先被觸發導通，第一 PMOS 開通之后，給 Nwell 施加一觸發電流，第二 PMOS 開通之后給第三 PMOS 施加一觸發電壓。第一 PMOS 施加的 Nwell 觸發電流和第三 PMOS 的溝道電流觸發晶閘管導通，晶閘管電流（ SCR current ）導通大部分 ESD 電流，從而實現了 ESD 保護。
遼寧大學
2021-04-11