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目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產(chǎn)酸劑組成，這種體系最大的問題是光產(chǎn)酸在后烘階段會發(fā)生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產(chǎn)酸劑，且其光產(chǎn)酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產(chǎn)酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產(chǎn)生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產(chǎn)酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產(chǎn)酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現(xiàn)。   利用高分子產(chǎn)酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：   在此基礎(chǔ)上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現(xiàn)。這些高分子光產(chǎn)酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質(zhì)的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經(jīng)過多年的深入研究之后，完全具備了產(chǎn)業(yè)化的條件。 半導體加工的關(guān)鍵設(shè)備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關(guān)鍵材料，日本公司的產(chǎn)品占據(jù)全球市場的70%以上，而我國在中高端產(chǎn)品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產(chǎn)化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉(zhuǎn)這種不利的局面，這需要科研工作者和產(chǎn)業(yè)界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關(guān)注，已有多家企業(yè)開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，但絕大部分仍處于研發(fā)階段。我們研制的光刻膠具備了產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)條件并具有與國外先進光刻膠產(chǎn)品競爭的產(chǎn)品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結(jié)果，也在致力于這些光刻膠產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。 相關(guān)項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產(chǎn)酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術(shù)研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產(chǎn)酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產(chǎn)酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發(fā)明專利，專利號：9。

本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，通過其獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，以用于浸沒式光刻工藝中，其特征在于，該溫控系統(tǒng)包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過管路進口進入該浸液管路，溫控后的浸液通過該浸液管路出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環(huán)流動；以及熱交換器（6），所述浸液管路和工藝冷卻液回路同時流經(jīng)該熱交換（6），利用該熱交換器（6）完成工藝冷卻液和浸液的熱交換，獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，實現(xiàn)對浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置采用內(nèi)部回流結(jié)構(gòu)與熱交換器

本發(fā)明公開了一種光刻機自動調(diào)焦方法及裝置，其方法是將平行光束經(jīng)第一狹縫投射至硅片表面，再經(jīng)振動反射鏡掃描后通過第二狹縫，由光電探測器接收光強信號，然后通過提取光強信號中二倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的粗調(diào)量，通過提取光強信號中一倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的精調(diào)量，最后由驅(qū)動裝置調(diào)整硅片至焦點位置。調(diào)焦裝置主要由兩個狹縫、一個振動反射鏡、光電傳感器、驅(qū)動臺和若干光學鏡片組成，信號處理過程由計算機編程完成。該方法與裝置相較于以往對比光斑強度進行調(diào)焦的方式，具有結(jié)構(gòu)簡單、響應迅速、精度高(優(yōu)于 0.

本發(fā)明公開了一種用于投影式光刻機成像系統(tǒng)的波像差檢測方法，包括光刻機成像系統(tǒng)的快速正向模型建立，澤尼克系數(shù)靈敏度矩陣的解析求解，檢測用掩模圖形優(yōu)化求解，基于單次光強測量的波像差求解。本發(fā)明方法通過解析求解無像差時的空間像光強值和澤尼克系數(shù)靈敏度矩陣，實現(xiàn)了基于單次離焦空間像光強測量的波像差檢測。

本發(fā)明公開了一種精確控制浸沒式光刻機浸液溫度的裝置，包括增壓泵；初級熱交換器，其浸液入口與增壓泵出口連通，浸液在其中進行熱交換，實現(xiàn)浸液溫度的初級調(diào)控；次級熱交換器，其浸液入口與初級熱交換器浸液出口連通，浸液在其中進行再次熱交換，實現(xiàn)浸液溫度的次級調(diào)控；流量伺服閥，其入口與初級熱交換器浸液出口連通，與次級熱交換器形成并聯(lián)，用于調(diào)節(jié)進入次級熱交換器的浸液流量。通過協(xié)調(diào)控制進入初級熱交換器和次級熱交換器的冷媒流量，并結(jié)合流量伺服閥對進入次級熱交換器的浸液流量的調(diào)節(jié)，可實現(xiàn)對浸液溫度的兩級調(diào)控，從而獲得溫

高分辨率電子電路光刻膠是制造高密度、高精度電子電路的核心材料之一， 該類光刻膠在達到分辨率要求的同時，還需具備高感度、高硬度、優(yōu)異的耐焊性 和耐酸堿性等物理化學性能，以滿足電子電路復雜的制造工藝要求。長期以來， 由于我國高性能基礎(chǔ)光固化材料開發(fā)的滯后，導致國產(chǎn)電子電路光刻膠技術(shù)水平低下，相關(guān)產(chǎn)品占國內(nèi)市場份額不足 30%，其中高分辨率電子電路光刻膠更是被國際公司所壟斷。針對上述現(xiàn)狀，團隊通過高性能光固化材料的開發(fā)突破了高分辨率電子電路光刻膠制備關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品創(chuàng)新技術(shù)，并制備了以高分辨率阻焊油墨和光致抗蝕劑為主的一系列具備優(yōu)異物理化學性能的高分辨率電子電路光刻膠產(chǎn)品。

成果介紹一種高性能石墨烯柔性電子皮膚，該電子皮膚結(jié)合了一種具備脫水性的商業(yè)化妝品膠體以及可編程的激光刻寫石墨烯，在無毒、環(huán)保、可大量印刷的制備加工工藝下，具有輕薄、貼合皮膚、可降解、高耐用性的特性，實現(xiàn)了高于500的應變系數(shù)、大于75[[[%]]]的拉伸范圍以及穩(wěn)定的電阻變化能力。該柔性表皮壓阻式傳感器可應用在生命體征監(jiān)測、人機交互等領(lǐng)域中，目前已經(jīng)將其初步應用在手勢識別之中，并做出了一系列人機交互應用。技術(shù)創(chuàng)新點及參數(shù)采用綠色環(huán)保的新工藝，解決了傳統(tǒng)激光刻寫石墨烯脆弱的問題，實現(xiàn)了可編程激光刻寫石墨烯的耐摩擦性、耐用性改善，且傳感器可降解回收利用。

(東北師范大學物理學院無掩膜光刻機（進口）設(shè)備采購)的潛在供應商應在（長春市二道區(qū)東南湖大路3030號，中資國際工程咨詢集團有限責任公司一樓）獲取采購文件，并于2020年12月14日13點30分（北京時間）前提交響應文件。