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防損降險 ★ 目前較為有效降低硬膜外麻醉置管風(fēng)險的麻醉導(dǎo)管。 ★ 較大程度避免損傷血管、神經(jīng)，甚至捅破硬脊膜的可能。 ★ 采用目前較為先進的彈性式穿刺進行硬脊膜外腔置管。 ★ 管壁內(nèi)含三條X顯影線，提高X光下導(dǎo)管影像質(zhì)量。 ★ 導(dǎo)管抗斷裂力達到國家標(biāo)準(zhǔn)10倍以上。 ★ 可為臨床使用者進行個性化定制。 輕松盲插 智能穿刺置管，接頭輕松連接且不易脫落，操作過程零技巧，幫助臨床使用者從繁復(fù)的操作手法中解放出來，更簡便快捷地置管，更好地規(guī)避職業(yè)風(fēng)險，減少醫(yī)療事故，避免醫(yī)療糾紛。 適應(yīng)癥 所有硬脊膜外腔麻醉置管，尤其： ★ 實施剖宮產(chǎn)或無痛分娩的孕婦，靜脈易怒張者； ★ 老人或兒童，血管脆弱者； ★ 凝血功能障礙，易出血者； ★ 非首次硬膜外麻醉，硬膜外腔可能有疤痕、增生者； ★ 先天椎管狹窄，置管有難度者； ★ 需要長時間留置麻醉導(dǎo)管，如癌痛或術(shù)后鎮(zhèn)痛者； ★ 個性化要求：擇時分娩、VIP病人或病情體位等原因，需要確保一次性置管成功以及滿足后續(xù)治療等。

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1.痛點問題 光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國家的戰(zhàn)略資源之一。半導(dǎo)體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發(fā)難度大、專利壁壘高、資金投入多、準(zhǔn)入門檻高，目前國內(nèi)企業(yè)尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。 2.解決方案 本項技術(shù)采用了國際最前沿的納米氧化物團簇材料的工藝路線，可以實現(xiàn)單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導(dǎo)體3nm制程節(jié)點的技術(shù)要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)異，其曝光劑量遠低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項技術(shù)具有多種半導(dǎo)體光刻膠兼容性，可以生產(chǎn)248nm和193nm光源的半導(dǎo)體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導(dǎo)體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術(shù)替代優(yōu)勢和市場應(yīng)用前景。 3.合作需求 本項技術(shù)已設(shè)立衍生企業(yè)，位于江蘇常州的3000m2研發(fā)生產(chǎn)中心正在建設(shè)中。 1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。 2）資源對接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產(chǎn)企業(yè)，地方政府等。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 體積小、質(zhì)量輕、操作簡單 耗電省、性價比高 適應(yīng)初、高中教改實驗要求

JO401演示電表是根據(jù)新的教學(xué)大綱，為普及九年制義務(wù)教育而設(shè)計的新型演示電表，可用于測量直流電流、直流電壓、也可作檢流計用，是教學(xué)中研究磁電系電表結(jié)構(gòu)的直觀教具，該表有良好的直觀性，高的可見度，操作方便，結(jié)構(gòu)合理，采用優(yōu)質(zhì)磁鋼的內(nèi)磁結(jié)構(gòu)。使儀表的磁性穩(wěn)定，靈敏度高、重量輕、攜帶方便，表頭采用硅二級管保護電路，可防止過載電流損壞電表，而且具有價廉、物美、質(zhì)好的特點。 The JO401 Demonstrating Galvanometer is an ideal visual aid specifically esigned according to the devised educatble schema for the 9-years compulsory educational plan .besides working as galvanometer,it is suitable for measuring educational plan.provides such excellence as magnetic stabiliry,high accuit which can prevent damages from overloading .other excellence can be listed as following;visual convenience,openness easily to control, excellent arrangement high and cheap in price etc.

JO403高中演示電表為指針或內(nèi)磁結(jié)構(gòu)，及測量線路等部分所組成，共有十四個測量檔位，使用方便，性能穩(wěn)定，安全可靠，供學(xué)生教學(xué)演示實驗中作檢流計測量微量直流電流及直流電壓，直流電阻等演示項目. The model JO402 is comprised of inner magnetic structure and measuring Circuit It has such excellence as esily for usage ,stabriitym safety, and visual for demonstration.It provides14measuring ranges and may serve as galvanometer or measuring instrument of DCA DCV ACA and ACV ?

1. 測量范圍：Measuring Range:DCA:-500uA-0-+500uA 0-10-100mA-1-5A DCV:0-5-10V ACA:0-10-100mA-1-5AACV:0-10-50-250V 2.基本誤差Basic Deviation:±2.5% 3.阻尼時間　Damp time ≤65 4.重量　　Weight:1kg 5.外形尺寸：Dimensions:115×270×300mm 　　J0402 Demonstrating Galvanometer for Middle school(Ammeter &Voltmeter) 　　高中演示電表為指針式內(nèi)磁結(jié)構(gòu)，及其測量電路等部份所組成。它具有使用方便，性能穩(wěn)定、安全可靠、演示直觀等優(yōu)點。它共有十四檔測量量程，供教學(xué)演示實驗中作檢流計，及測量直流電流、直流電壓、交流電流、交流電壓等之用。 　　The model JO402 is comprised of inner magnet ic structure and measuring Circuit. It has such excellence as easily for usage, stabriity, safety,and visual for demonstration. It provides14 measuring ranges and may serve as galvanometer or measuring instrument of DCA,DVv,ACA and ACV ?

目前半導(dǎo)體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學(xué)增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產(chǎn)酸劑組成，這種體系最大的問題是光產(chǎn)酸在后烘階段會發(fā)生酸遷移，導(dǎo)致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產(chǎn)酸劑，且其光產(chǎn)酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產(chǎn)酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產(chǎn)生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產(chǎn)酸劑與其它成膜材料一起組成化學(xué)增幅型光致抗蝕劑。 以之為產(chǎn)酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現(xiàn)。  利用高分子產(chǎn)酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：  在此基礎(chǔ)上，還制備了負(fù)型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現(xiàn)。這些高分子光產(chǎn)酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應(yīng)條件溫和可控，去金屬雜質(zhì)的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經(jīng)過多年的深入研究之后，完全具備了產(chǎn)業(yè)化的條件。 半導(dǎo)體加工的關(guān)鍵設(shè)備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關(guān)鍵材料，日本公司的產(chǎn)品占據(jù)全球市場的70%以上，而我國在中高端產(chǎn)品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產(chǎn)化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉(zhuǎn)這種不利的局面，這需要科研工作者和產(chǎn)業(yè)界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關(guān)注，已有多家企業(yè)開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，但絕大部分仍處于研發(fā)階段。我們研制的光刻膠具備了產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)條件并具有與國外先進光刻膠產(chǎn)品競爭的產(chǎn)品性能。    半導(dǎo)體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結(jié)果，也在致力于這些光刻膠產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。 相關(guān)項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產(chǎn)酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術(shù)研究） 2.國家自然科學(xué)基金應(yīng)急管理項目，51641301, 含光產(chǎn)酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學(xué)增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產(chǎn)酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應(yīng)用，中國發(fā)明專利，專利號：9。