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本發(fā)明公開(kāi)了一種斜生纖孔菌鯊烯合酶基因及其編碼的蛋白質(zhì)與用途，本發(fā)明所提供的鯊烯合酶基因具有SEQ ID NO.1所示的核苷酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個(gè)或多個(gè)核苷酸的同源序列或其等位基因及其衍生的核苷酸序列。所示基因編碼的蛋白質(zhì)具有SEQ ID NO.2所示的氨基酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個(gè)或多個(gè)氨基酸的同源序列。本發(fā)明提供的鯊烯合酶基因可以通過(guò)基因工程技術(shù)提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇的含量，可用于利用轉(zhuǎn)基因技術(shù)來(lái)提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇含量的研究和產(chǎn)業(yè)化中。而這些次生代謝產(chǎn)物在臨床上具有抗腫瘤、防治艾滋病等潛在的應(yīng)用價(jià)值，對(duì)保護(hù)人民的健康生長(zhǎng)有所幫助。因而本發(fā)明具有很大的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開(kāi)了一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過(guò)超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復(fù)合粉末實(shí)現(xiàn)VC對(duì)WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。

本發(fā)明公開(kāi)一種超大長(zhǎng)徑比深孔類零件的金屬增材制造方法， 首先通過(guò)金屬增材制造沉積一層金屬，然后銑削成平面，最后鉆孔加 工孔徑，形成“沉積金屬，銑削平面，鉆孔成形”的工藝過(guò)程。其特 點(diǎn)是在增材制造每層金屬的過(guò)程中進(jìn)行深孔的加工，變深孔加工為厚 度約 1～3mm 的淺孔加工，因而可以有效地解決直徑小到 1mm 的超大 長(zhǎng)徑比深孔無(wú)法加工的問(wèn)題，避免了傳統(tǒng)深孔加工中切削散熱難、刀 具易走偏等技術(shù)難題，制造成本較低，零件成形

本發(fā)明公開(kāi)了一種旋轉(zhuǎn)軸系中軸承孔系的布置方法，通過(guò)對(duì)支 撐旋轉(zhuǎn)軸系各軸承的軸承孔軸線的位置和偏轉(zhuǎn)角度進(jìn)行布置，使單個(gè) 軸承沿周向同一位置、軸向的不同位置所受應(yīng)力或壓強(qiáng)基本一致，從 而實(shí)現(xiàn)對(duì)旋轉(zhuǎn)軸系的支撐并消除軸系軸承自身的偏磨，其特征在于， 所述各軸承按照順應(yīng)軸承的軸承孔型心處的軸系撓度曲線安裝布置。 本發(fā)明的方法針對(duì)軸承孔有 3 個(gè)或 3 個(gè)以上、軸系的撓度曲線在軸承 孔型心處的撓度值和轉(zhuǎn)角值超過(guò)制造公差和回轉(zhuǎn)使用公差的工作狀況 的旋轉(zhuǎn)軸系，在穩(wěn)定負(fù)載的條件

研發(fā)階段/n本發(fā)明涉及一種利用親水改性無(wú)機(jī)填料作致孔劑制備多孔膜的方法，該方法是在成膜過(guò)程中使用水或水溶液將親水改性的無(wú)機(jī)填料以固體狀態(tài)從聚合物膜中析出得到多孔膜的方法，該親水改性的無(wú)機(jī)填料是使用能溶于水且能與無(wú)機(jī)填料形成配位鍵或氫鍵的聚合物或小分子化合物改性制備的，其特征在于，該方法包括如下工序：無(wú)機(jī)填料的親水改性工序，該親水改性工序可以在配制膜液前完成或在膜液配制過(guò)程中完成；使用水或水溶液作為凝膠浴在浸沒(méi)沉淀相轉(zhuǎn)化的成膜過(guò)程中將親水改性的無(wú)機(jī)填料以固體狀態(tài)從膜中析出的工序。這種方法制膜時(shí)不僅可以

成果簡(jiǎn)介：本發(fā)明涉及一種季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂層材料。通 過(guò)可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移自由基或大分子引發(fā)劑自由基聚合的方法，制備聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羥乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷進(jìn)行季銨化反應(yīng)，制得季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。該方法的優(yōu)點(diǎn)是 反應(yīng)操作簡(jiǎn)便，反應(yīng)條件溫和，反應(yīng)過(guò)程具有較好的可控性。制備的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。這種多嵌段共聚物可以廣泛應(yīng)用于抗菌涂層材 料。 成果水平： 國(guó)內(nèi)領(lǐng)先 應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于織物、室內(nèi)裝飾、建筑物的內(nèi)、外墻、頂棚或地面、以及 家具表面。 市場(chǎng)分析及前景：微生物廣泛存在于自然界，通常細(xì)菌適宜繁殖生長(zhǎng)的自然條件 為溫度 23℃～38℃，相對(duì)濕度為 85%～100%，因此在溫濕地區(qū)的建筑物內(nèi)外墻 面，以及家具表面等適合細(xì)菌生長(zhǎng)的表面，它們繁衍迅速．并由此生出各種酶、 酸和毒素的代謝產(chǎn)物，從而影響物品的外觀與質(zhì)量，污染環(huán)境，危害動(dòng)植物的生 長(zhǎng)和人類的健康，我國(guó)南方地區(qū)多雨潮濕，很容易滋生細(xì)菌，抗菌涂料具有筑裝 飾和防霉作用的雙重效果，具有廣闊的應(yīng)用前景。目前抗菌涂料的研發(fā)處于初始 階段，具有良好的發(fā)展前景。 主要技術(shù)指標(biāo)：抗菌性能： 測(cè)試方法：瓊脂平板法。 測(cè)試結(jié)果：在 37℃下，對(duì)大腸桿菌、枯草桿菌等進(jìn)行 24 小時(shí)培養(yǎng)，具有顯著的 抗菌效果。 合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓，100 萬(wàn)元。

伴隨著我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時(shí)，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過(guò)程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)單一，熔體流動(dòng)性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開(kāi)發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。 本項(xiàng)目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實(shí)現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過(guò)程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，保護(hù)環(huán)境。

關(guān)鍵工序生產(chǎn)的自動(dòng)化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制可對(duì)粉碎車間雷蒙磨振動(dòng)下料、粉碎、氣流粗分工況進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、自動(dòng)優(yōu)化控制的自動(dòng)監(jiān)控系統(tǒng)。將雷蒙磨因堵塞停機(jī)造成的故障次數(shù)比現(xiàn)階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級(jí)自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制氣流分級(jí)機(jī)用自動(dòng)控制系統(tǒng)，具備以下功能：可根據(jù)分級(jí)輪主機(jī)負(fù)載實(shí)時(shí)自動(dòng)調(diào)節(jié)喂料速度、根據(jù)所設(shè)定的風(fēng)壓值自動(dòng)調(diào)整變頻器運(yùn)行、根據(jù)生產(chǎn)工藝要求自動(dòng)向企業(yè)綜合信息平臺(tái)實(shí)時(shí)發(fā)送生產(chǎn)工況參數(shù)。    ③ 提純工序?qū)崟r(shí)檢測(cè)與信息管理系統(tǒng)的研發(fā)   開(kāi)發(fā)可對(duì)提純缸、脫水機(jī)、烘干爐等主要設(shè)備工況進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控的智能化監(jiān)控儀設(shè)備。    ④ 水力分級(jí)自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研發(fā)水力分級(jí)設(shè)備用自動(dòng)控制系統(tǒng)，可根據(jù)工藝曲線要求自動(dòng)控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規(guī)的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達(dá)到0.3%；研制出料自動(dòng)切換裝置，實(shí)現(xiàn)出料無(wú)人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動(dòng)測(cè)控裝置的研發(fā)   研制SiC冶煉爐在線自動(dòng)測(cè)控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動(dòng)進(jìn)行恒功率綜合優(yōu)化控制，爐溫控制精度達(dá)到2.5級(jí)。成果已在工廠正常運(yùn)行3年。獲得4項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)，5項(xiàng)軟件著作權(quán)授權(quán) 雷蒙磨粉碎自動(dòng)檢測(cè)方法及裝置                   專利號(hào)：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級(jí)效率的精密控制方法 專利號(hào)：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監(jiān)測(cè)方法                      專利號(hào)：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區(qū)域溫度動(dòng)態(tài)控制方法  專利號(hào)：ZL201210356239.3 一種經(jīng)濟(jì)型燃煤鍋爐能效監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及方法           專利號(hào)：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發(fā)電機(jī)組智能測(cè)速裝置 專利號(hào)：ZL201110058228.2一種手機(jī)可遙控的總線型區(qū)域供熱計(jì)量管理系統(tǒng) 專利號(hào)：ZL201010134495.9

擁有人工微結(jié)構(gòu)科學(xué)與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心、固體微結(jié)構(gòu)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體節(jié)能器件及材料國(guó)家地方聯(lián)合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等科研平臺(tái)，在硅基納米結(jié)構(gòu)材料與性能調(diào)控，硅基光子學(xué)器件和新型能源器件等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域具有很強(qiáng)的影響力。近年來(lái)，在硅基太陽(yáng)能電池片研發(fā)及其新型結(jié)構(gòu)材料在電池片上應(yīng)用等方面開(kāi)展了全方位的研究，承擔(dān)完成了國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃課題和國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等相關(guān)課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點(diǎn)電池結(jié)構(gòu)，利用漸變帶隙進(jìn)一步拓寬電池的響應(yīng)光譜范圍，發(fā)展了包

實(shí)現(xiàn)多晶硅生產(chǎn)冷氫化工藝過(guò)程工程化的關(guān)鍵加熱系統(tǒng)裝置；降低成本40%，減少能耗2/3。8000小時(shí)以上無(wú)故障穩(wěn)定運(yùn)行加熱合成反應(yīng)器關(guān)鍵技術(shù)。