分米量級尺寸的六方氮化硼二維單晶的制備
團隊與合作者首次報道了米級單晶Cu(111)襯底的制備方法,并在此基礎上實現了米級單晶石墨烯的外延生長(Science. Bulletin 2017, 62, 1074)。與石墨烯不同,六方氮化硼等其它絕大多數二維材料不具有中心反演對稱性,其外延生長普遍存在孿晶晶界問題:旋轉180°時晶格方向發生改變,外延生長時不可避免地出現反向晶疇,而在拼接時形成缺陷晶界。 開發合適對稱性的外延單晶襯底是解決這一科學難題的關鍵。研究團隊探索出利用對稱性破缺的襯底外延非中心反演對稱二維單晶薄膜的新方
南方科技大學
2021-04-14