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國務(wù)院《新一代人工智能發(fā)展規(guī)劃》及教育部《教育信息化2.0行動計劃》的發(fā)布，特別強調(diào)了人工智能在教育領(lǐng)域的戰(zhàn)略意義。中慶根植教育信息化25年，率先在國內(nèi)錄播行業(yè)引入人工智能（AI）技術(shù)，推出了中慶智課——基于大數(shù)據(jù)的教學質(zhì)量分析評測系統(tǒng)V1.0（以下簡稱“中慶智課”）。 中慶智課的核心技術(shù)是將人工智能結(jié)合傳統(tǒng)教育的相關(guān)理論，實現(xiàn)了一整套科學客觀的課堂大數(shù)據(jù)采集和分析的方法。 中慶智課利用人工智能深度學習技術(shù)實現(xiàn)了教師和學生個體的頭、肩、手目標智能定位，實現(xiàn)了教室場景內(nèi)教師和學生個體的動態(tài)人臉識別和表情識別，實現(xiàn)了對課堂教學行為的精細分類，實現(xiàn)了對課堂教學內(nèi)容的智能識別；另一方面中慶智課利用在互聯(lián)網(wǎng)廣泛采納的前后分立模塊化開發(fā)和分布式數(shù)據(jù)庫部署等技術(shù)方案，構(gòu)建了基于課堂大數(shù)據(jù)的應(yīng)用平臺。 能為學校提供各種應(yīng)用的底層構(gòu)建和通路，滿足資源的生成、匯聚、管理、數(shù)據(jù)挖掘、展示、點播、直播、教研等基本應(yīng)用。圍繞著管理者、教師、學生、家長等不同的用戶，精準推送用戶關(guān)注的信息。 中慶智課自發(fā)布以來，已在全國30個省市、自治區(qū)超過400所學校開展常態(tài)化應(yīng)用，涌現(xiàn)出煙臺三中、珠海金灣區(qū)教育局、蘭州安寧區(qū)教育局、上海楊浦區(qū)信息中心等應(yīng)用示范學校。完全取自于課堂教學的大數(shù)據(jù)讓教育的各個環(huán)節(jié)有了實證的數(shù)據(jù)依據(jù)，更科學地促進區(qū)校教學質(zhì)量和學生學習質(zhì)量雙提高。

RMST中控平臺/RMST立式中控平臺/DG-MS智能管理平臺 中控平臺作為管理系統(tǒng)主要控制核心，負責系統(tǒng)內(nèi)試劑信息的記錄和更新，承載著各管控對象的交互軟件和數(shù)據(jù)信息，實現(xiàn)人機信息傳遞、外圍硬件操控和數(shù)據(jù)庫更新功能，同時能夠定時備份保證數(shù)據(jù)安全。  產(chǎn)品參數(shù)PARAMETERS： 操作終端配合中控平臺進行數(shù)據(jù)的出入庫管理，主要用于解決實驗室試劑管理擴展，完成系統(tǒng)的出庫、還庫、查庫和異常處理，形成完整的試劑信息數(shù)據(jù)庫，并對數(shù)據(jù)進行分類統(tǒng)計、篩選，以提高實驗室試劑管理效率。 產(chǎn)品特色FEATURES： 1、便攜式一體化操作平臺 平臺以控制端為核心集成雙功能掃描器、人臉識別能力和超大顯示屏，管理員可在平臺上查詢組網(wǎng)的庫房內(nèi)試劑的所有流轉(zhuǎn)信息，對于異常情況 、權(quán)限設(shè)置、生成報表等都能快速實現(xiàn)。 2、智能化信息系統(tǒng) 自動記錄流轉(zhuǎn)信息、自動統(tǒng)計分析，生成各類統(tǒng)計報表，支持數(shù)據(jù)隨時查詢并導出EXCEL報表，實現(xiàn)庫存無紙化管理；

本項目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進性：為了實現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內(nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計研究：基于四能級躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設(shè)計制備平面波導型磁光開關(guān)對材料磁光性能的驗證。 技術(shù)指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。

本研究利用氧氣對非骨架摻雜選擇性刻蝕的效應(yīng)，首次在Cu襯底上實現(xiàn)了石墨烯的完美骨架摻雜生長，氮摻雜后的石墨烯遷移率高達13000 cm2/Vs，比其他工藝制備的摻雜石墨烯要高出數(shù)個量級。同時，石墨烯的面電阻也降低到130 oh/sq，摻雜的穩(wěn)定性顯著提高。