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本實(shí)用新型公開了一種光伏太陽能硅片上料設(shè)備，包括：機(jī)架；安裝在機(jī)架上用于將硅片沿著 X 軸方向輸送路徑可調(diào)換方向地輸送至下位機(jī)的硅片輸送機(jī)構(gòu)；分別設(shè)置在輸送路徑的兩側(cè)用于貯存硅片的料盒；處于輸送路徑的上方，通過 Y 軸和 Z 軸方向的移動(dòng)拾取硅片并將其釋放至輸送路徑上執(zhí)行輸送的機(jī)械手，該機(jī)械手還具備硅片分離裝置，由此在拾取硅片的過程中使得相鄰硅片予以分離以便逐一拾取；用于對(duì)整體工況提供控制指令的電氣控制系統(tǒng)；以及根據(jù)電氣控制系統(tǒng)的控制指令對(duì)相應(yīng)功能元件執(zhí)行驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)模塊。本實(shí)用新型還公開了相應(yīng)的上料系統(tǒng)。通過本實(shí)用新型，能夠取得上料效率高、降低硅片破損率以及靈活設(shè)定傳送方向等方面的優(yōu)點(diǎn)。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱，外延生長(zhǎng)時(shí)無法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。

該項(xiàng)目針對(duì) 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實(shí)際生產(chǎn)難題，深入研究磷化膜的形成過程和磷化機(jī)理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內(nèi)在原因；通過工藝優(yōu)化，開發(fā)出了解決上面4 種合金難磷化問題的高溫鎰系黑色磷化新技術(shù)，開發(fā)了新工藝，應(yīng)用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬件的磷化生產(chǎn)線一條，使廢品率由原來的8~10%降 低為現(xiàn)在的0.5%以內(nèi)。每年產(chǎn)生直接經(jīng)濟(jì)效益近600萬元，節(jié)約成本150萬元。

一、成果簡(jiǎn)介 該課題受北京市自然科學(xué)基金項(xiàng)目“植物乳桿菌素對(duì)肉源李斯特氏病原菌作用機(jī)理研究”的資助，鑒于化學(xué)防腐劑在食品防腐應(yīng)用中的不安全性，重點(diǎn)開展了新型生物防腐劑乳酸菌細(xì)菌素產(chǎn)生菌株的篩選，活性細(xì)菌素的分離純化，細(xì)菌素及其產(chǎn)生菌株的應(yīng)用研究。二、技術(shù)指標(biāo) 從傳統(tǒng)宣威火腿中分離篩選出一株高產(chǎn)

本發(fā)明公開了一種在 SOI 硅片上制備微機(jī)械懸空結(jié)構(gòu)的方法。對(duì)懸空結(jié)構(gòu)及其固定結(jié)構(gòu)采用不同的槽寬設(shè)計(jì)，其中，固定結(jié)構(gòu)的槽寬明顯大于懸空結(jié)構(gòu)，寬槽底部經(jīng)刻蝕首先到達(dá)或更加接近 SiO2 層，再通過各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的 Si 層分離，將窄槽間的梁釋放，形成具有平整底面的懸空結(jié)構(gòu)，同時(shí)去除固定結(jié)構(gòu)與懸空結(jié)構(gòu)連接區(qū)底部的 Si 以及固定結(jié)構(gòu)與其它結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域底部的 Si，使得固定結(jié)構(gòu)與窄槽下方的 Si 層及其它結(jié)構(gòu)隔離，從而使不同的固定結(jié)構(gòu)間相互絕緣。本發(fā)明的方法簡(jiǎn)單有效，能廣

本發(fā)明公開了一種抗工藝漲落的自修調(diào)集成電路片上振蕩器，包括集成于同一芯片的用于產(chǎn)生基準(zhǔn)脈沖的基準(zhǔn)振蕩單元，用于產(chǎn)生輸出脈沖的待修調(diào)振蕩單元，以及用于接收基準(zhǔn)脈沖和輸出脈沖，并根據(jù)接收到的基準(zhǔn)脈沖和輸出脈沖向待修調(diào)振蕩單元發(fā)出相應(yīng)的修調(diào)信號(hào)，控制待修調(diào)振蕩單元對(duì)輸出脈沖進(jìn)行頻率修調(diào)的自修調(diào)邏輯控制單元。由可片內(nèi)集成的基準(zhǔn)振蕩單元提供頻率調(diào)修所需的基準(zhǔn)脈沖，并在修調(diào)完成后關(guān)閉基準(zhǔn)振蕩單元，實(shí)現(xiàn)了輸出頻率的片內(nèi)自修調(diào)，避免片外修調(diào)，有利于降低芯片制備成本。且硬件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)，并在不修調(diào)時(shí)，關(guān)閉基準(zhǔn)振蕩單元，降低芯片的功耗。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹多媒體講臺(tái)|鋼制講臺(tái)|電子講臺(tái)|班班通講臺(tái)|多媒體講桌|多功能講臺(tái)|S1300【多媒體講臺(tái)|鋼制講臺(tái)|講桌】基本說明外型尺寸：1400mm*730mm* 900 mm(長(zhǎng)*寬*高)；展臺(tái)位置：470mm*560mm*300mm（長(zhǎng)*寬*高）；【多媒體講臺(tái)|鋼制講臺(tái)|講桌】產(chǎn)品特點(diǎn)產(chǎn)品材料：全部采用1.2-1.0精裝冷軋鋼板，克服了木制講臺(tái)散熱差、不防盜、不耐用、不防火的缺點(diǎn)；【多媒體講臺(tái)|鋼制講臺(tái)|講桌】參數(shù)規(guī)格詳細(xì)參數(shù)1、外型尺寸：1400mm*730mm* 950 mm(長(zhǎng)*寬*高)；展臺(tái)位置：470mm*560mm*300mm（長(zhǎng)*寬*高）；2、產(chǎn)品材料：全部采用1.2-1.0精裝冷軋鋼板，克服了木制講臺(tái)散熱差、不防盜、不耐用、不防火的缺點(diǎn)；3、表面處理：經(jīng)酸洗、磷化、防腐、防銹處理后靜電噴涂,表面經(jīng)久耐用,顏色用戶可自選；4、顯示器面板為活動(dòng)件，為用戶選用中央控制系統(tǒng)、顯示器提供了方便，可安裝15-19寸液晶顯示器（也可按要求定做）； 5、產(chǎn)品結(jié)構(gòu): 安全防盜,鎖好講臺(tái)后,外面無任何可拆卸螺釘；蓋板由導(dǎo)軌和推拉相結(jié)合,全部采用豪華內(nèi)藏式鋁合金鉸鏈,開啟靈活方便;設(shè)備箱門向下翻即開打開,不占用空間；6、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)： 除具備上翻后推講臺(tái)的功能外,還有以下優(yōu)點(diǎn)： 空間更大，有更多的看見可以放置筆記本電腦和教具,還可以在講臺(tái)邊上一邊做實(shí)驗(yàn)一邊使用電腦和視頻展臺(tái)；7、桌面可安裝筆記本接口模塊，其中包括網(wǎng)絡(luò)接口一個(gè)，AV視頻接口一個(gè)，音頻接口一個(gè)，話筒接口一個(gè)，VGA接口一個(gè)，USB接口兩個(gè)；（選配）8、講桌內(nèi)可放以下設(shè)備：教學(xué)終端、廣播終端、電腦主機(jī)、顯示器、鍵盤鼠標(biāo)、多媒體中控、實(shí)物展示臺(tái)、DVD機(jī)、功放音箱、筆記本電腦、無線話筒等；9、適應(yīng)范圍廣泛：大中院校、中小學(xué)校的多媒體教室、階梯教室、普通教室、演播廳 、以及各種培訓(xùn)教室、報(bào)告廳等。【多媒體講臺(tái)|鋼制講臺(tái)|講桌】適用范圍適應(yīng)范圍廣泛：大中院校、中小學(xué)校的多媒體教室、階梯教室、普通教室、演播廳 、以及各種培訓(xùn)教室、報(bào)告廳等。【多媒體講臺(tái)|鋼制講臺(tái)|講桌】包裝說明紙箱包裝，可根據(jù)需求訂制木箱。【多媒體講臺(tái)|鋼制講臺(tái)|講桌】售后服務(wù)一年免費(fèi)保修，終身維護(hù)維修。

南昌大學(xué)湯淵源教授在熊仁根教授提出的“托氟效應(yīng)”理論的指導(dǎo)下，與江蘇科技大學(xué)陳立莊教授合作，在有機(jī)-無機(jī)雜化型鐵電體領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。通過精準(zhǔn)修飾有機(jī)陽離子，成功地合成了新型非鈣鈦礦結(jié)構(gòu)ABX3（A、B為陽離子，X為陰離子）鐵電體[(CH3)3NCH2F]ZnCl3，這是首例ABX3鋅鹵鹽鐵電體。 鈣鈦礦型ABX3有機(jī)-無機(jī)雜化材料擁有豐富的性能，比如鐵電性、壓電性、光致發(fā)光、鐵磁性等。其中，鐵電性作為一種重要的物理性質(zhì)，在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、電容器、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。除了鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，ABX3型化合物也可以結(jié)晶在其他結(jié)構(gòu)里。比如無機(jī)的ABX3化合物可以結(jié)晶成輝礦石結(jié)構(gòu)、剛玉結(jié)構(gòu)、六方錳礦結(jié)構(gòu)等。相應(yīng)地，有小部分有機(jī)-無機(jī)雜化ABX3型化合物可以結(jié)晶成由BX3五面體或四面體構(gòu)成的非鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。但是，在這些非鈣鈦礦型的ABX3化合物中卻很少有鐵電性的報(bào)道。這主要是由于對(duì)鐵電體結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系認(rèn)識(shí)不夠所導(dǎo)致的。因此，深入探究鐵電體的構(gòu)效關(guān)系，對(duì)于精準(zhǔn)設(shè)計(jì)有機(jī)-無機(jī)雜化型鐵電體具有重要意義。 根據(jù)諾埃曼原則，鐵電體必定屬于10個(gè)極性點(diǎn)群。因此，在晶體中引入極性分子或是極性無機(jī)骨架將會(huì)是設(shè)計(jì)鐵電體一個(gè)非常有效的策略。團(tuán)隊(duì)基于前期工作的系統(tǒng)篩選，鎖定了擁有極性結(jié)構(gòu)的[(CH3)4N]ZnCl3。它的晶體結(jié)構(gòu)中，所有ZnCl4四面體沿著同一個(gè)方向以共角的方式排列，形成極性的[ZnCl3]-n鏈。這與一維鈣鈦礦結(jié)構(gòu)和硅酸鹽結(jié)構(gòu)不同，在這兩種結(jié)構(gòu)中偶極子被相互抵消。然而進(jìn)一步的表征表明，[(CH3)4N]ZnCl3沒有相變，且不具鐵電性。另一個(gè)精準(zhǔn)設(shè)計(jì)有機(jī)-無機(jī)雜化鐵電體的策略是“托氟效應(yīng)”理論，用電負(fù)性最強(qiáng)的F原子取代分子中的H原子，可以改變分子中原子間的相互作用，進(jìn)而引入鐵電性。受該理論的啟發(fā)，研究者對(duì)[(CH3)4N]ZnCl3進(jìn)一步修飾，用電負(fù)性較強(qiáng)的鹵素原子F、Cl、Br、I來取代準(zhǔn)球形有機(jī)陽離子[(CH3)4N]+上的H原子，獲得了4例非鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的ABX3型化合物。其中，[(CH3)3NCH2F]ZnCl3被證明具有鐵電性。對(duì)于[(CH3)3NCH2X]ZnCl3 (X = Cl, Br, I)，沒有可靠的證據(jù)顯示他們具有鐵電性。[(CH3)3NCH2F]+陽離子中電負(fù)性更強(qiáng)的F原子影響了[ZnCl3]n-鏈中的Cl原子，形成相對(duì)較強(qiáng)的F…Cl作用，這種鹵-鹵鍵連接了陽離子和無機(jī)鏈。這樣，陽離子的翻轉(zhuǎn)將會(huì)帶動(dòng)極性陰離子鏈的翻轉(zhuǎn)，使得體系在兩種極化狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換的能量降低，所以[(CH3)3NCH2F]ZnCl3具有在外電場(chǎng)作用下可翻轉(zhuǎn)的自發(fā)極化，即鐵電性。相比于F原子，Cl、Br、I原子的電負(fù)性較弱，這種鹵-鹵作用在[(CH3)3NCH2X]ZnCl3 (X = Cl, Br, I)中不足以誘導(dǎo)出鐵電性。這項(xiàng)研究為精準(zhǔn)設(shè)計(jì)新型有機(jī)-無機(jī)雜化鐵電體提出了新的思路。

本項(xiàng)目系統(tǒng)地研究了陰極離子鍍第一代涂層(TiN，TiC和CrN)、第二代涂層(TiCN和TiAlN)、第三代涂層(TiN/TiCN)、第四代涂層(金剛石和DLC)、第五代涂層(TiAlSiN)和第六代涂層(AlCrN)的制備方法及其摩擦-磨損性能，適應(yīng)了數(shù)字化制造時(shí)代的需求，滿足了干切削的要求，具有高熱穩(wěn)定性、高抗氧化性和良好的紅硬性的優(yōu)點(diǎn)。本項(xiàng)目制備的高性能涂層，如TiAlN、AlCrN和TiAlSiN等在國(guó)內(nèi)有巨大的應(yīng)用市場(chǎng)，目前國(guó)內(nèi)的刀具和模具的涂層市場(chǎng)超過200億元。與國(guó)外同類涂層相比，性