一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的柵電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的柵電極及其制 備方法;柵電極包括 n 個(gè)依次成階梯狀排列的柵電極單元,每個(gè)柵電 極單元為柱狀結(jié)構(gòu),由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側(cè)壁構(gòu) 成;所述連通電極的上表面用于連接?xùn)艑樱卤砻嬗糜谶B接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接?xùn)艑拥碾姌O結(jié)構(gòu)。此電 極結(jié)構(gòu)呈階梯狀連接不同堆疊層且相對(duì)應(yīng)的柵層,對(duì)疊層中非相對(duì)應(yīng) 的柵層與柵電極之間通過(guò)絕緣層隔離
華中科技大學(xué)
2021-04-14