本實(shí)用新型公開了用于集成電路的靜電放電觸發(fā)電路,通過在電路中設(shè)置由 NOMS 晶體管和 PMOS 晶體管組成的反相器、 BigFET 晶體管、低閾值電壓 NMOS 晶體管使電路實(shí)現(xiàn)釋放靜電放電電流( ESD )的功能,且在電路中采用 NMOS 晶體管代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電容器,在能夠有效的釋放靜電放電( ESD )電流的同時(shí),避免使用比較大的電阻和電容而帶來的浪費(fèi)芯片面積的問題。同時(shí)采用低閾值 MOS 管,使 BigFET 柵上的電荷快速泄放干凈,沒有漏電產(chǎn)生。
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